一种接触电阻的测试结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种接触电阻的测试结构，所述测试结构至少包括：制作在衬底中的主测试结构和参考结构；所述主测试结构至少包括：形成于所述衬底中的有源区；制作在所述有源区中的第一硅化物、第二硅化物以及第三硅化物；上述每一个硅化物表面制作接触插塞和电极；所述参考结构至少包括：形成于所述衬底中的第四硅化物；分别制作所述第四硅化物两侧的第四接触插塞和第五接触插塞；分别制作在第四接触插塞和第五接触插塞表面的第四电极和第五电极。利用该测试结构可以获得硅化物和硅之间的接触电阻，并且该测试结构的制备工艺与CMOS工艺兼容，适合工业化生产。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体测试
，涉及一种接触电阻的测试结构，特别是涉及一种硅与硅化物之间接触电阻的测试结构。
技术介绍
在半导体的生产工艺中，由于例如包括MOSFETS并且借助MOS或CMOS工艺制造的器件集成度的不断提高，半导体器件的小型化也正在面临着挑战。其中，随着CMOS器件尺寸的不断缩小，寄生外电阻(Rext)成为限制晶体管性能的主要因素。寄生外电阻主要包括金属和半导体(源区/漏区)之间的接触电阻(Rc)。现有技术中，采用采用链接(Chain)方式或开尔文测试结构测得接触电阻，其中链接方式的测试结构如图1所示，在硅化物(silicide)30A两端各连一个接触插塞(Contac plug)40A，并用金属线50A和下个单元连接，用链接方式串联起来，通过在两端测试端口之间加电压测电流方式，可以得出整个结构的电阻，再除以接触插塞的个数，就可以得出单个孔加上接触孔间硅化物电阻的一半，从而获得单个孔(金属和硅化物之间的接触电阻)的电阻，图1只示意了一个单元。但是这种测试结构仅仅能测得金属接触插塞与硅化物之间的接触电阻，不能测得硅化物与硅之间的接触电阻，而硅化物与硅之间的接触电阻是CMOS器件一个非常重要的参数。因此提供一种能测得硅化物与硅之间的接触电阻的测试结构实属必要。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种接触电阻的测试结构，用于解决现有技术中测试结构不能测试硅与硅化物之间接触电阻的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种接触电阻的测试结构，所述测试结构至少包括：制作在衬底中的主测试结构和参考结构；所述主测试结构至少包括：形成于所述衬底中的有源区；制作在所述有源区中的第一硅化物、第二硅化物以及第三硅化物；所述第一硅化物表面自下而上依次制作有第一接触插塞和第一电极；所述第二硅化物表面自下而上依次制作有第二接触插塞和第二电极；所述第三硅化物表面自下而上依次制作有第三接触插塞和第三电极；所述参考结构至少包括：形成于所述衬底中的第四硅化物；分别制作所述第四硅化物两侧的第四接触插塞和第五接触插塞；分别制作在第四接触插塞和第五接触插塞表面的第四电极和第五电极。作为本技术接触电阻的测试结构的一种优化的结构，所述第一接触插塞、第二接触插塞间的距离为D1，所述第二接触插塞、第三接触插塞间的距离为D2，第四接触插塞、第五接触插塞间的距离为D3，D2＝2D1，D1＝D3。作为本技术接触电阻的测试结构的一种优化的结构，所述第一接触插塞、第二接触插塞、第三接触插塞、第四接触插塞以及第五接触插塞之间通过第一钝化层隔离开。作为本技术接触电阻的测试结构的一种优化的结构，所述第一钝化层的材料为氧化硅或者氮化硅。作为本技术接触电阻的测试结构的一种优化的结构，所述第一电极、第二电极、第三电极、第四电极以及第五电极之间通过第二钝化层隔离开。作为本技术接触电阻的测试结构的一种优化的结构，所述第二钝化层的材料为低K或者超低K介质材料。作为本技术接触电阻的测试结构的一种优化的结构，所述第一硅化物、第二硅化物、第三硅化物、第四硅化物为金属硅化物。作为本技术接触电阻的测试结构的一种优化的结构，所述第一硅化物、第二硅化物、第三硅化物、第四硅化物为镍硅化物或者钛硅化物。作为本技术接触电阻的测试结构的一种优化的结构，所有接触插塞与硅化物的接触处均设置有粘附层。如上所述，本技术的接触电阻的测试结构，所述测试结构至少包括：制作在衬底中的主测试结构和参考结构；所述主测试结构至少包括：形成于所述衬底中的有源区；制作在所述有源区中的第一硅化物、第二硅化物以及第三硅化物；所述第一硅化物表面自下而上依次制作有第一接触插塞和第一电极；所述第二硅化物表面自下而上依次制作有第二接触插塞和第二电极；所述第三硅化物表面自下而上依次制作有第三接触插塞和第三电极；所述参考结构至少包括：形成于所述衬底中的第四硅化物；分别制作所述第四硅化物两侧的第四接触插塞和第五接触插塞；分别制作在第四接触插塞和第五接触插塞表面的第四电极和第五电极。利用该测试结构可以获得硅化物和硅之间的接触电阻，并且该测试结构的制备工艺与CMOS工艺兼容，适合工业化生产。附图说明图1为现有技术接触电阻的测试结构示意图。图2为本技术的接触电阻的测试结构示意图。元件标号说明1    主测试结构2    参考结构10   衬底20   有源区301  第一硅化物302  第二硅化物303  第三硅化物304  第四硅化物401  第一接触插塞402  第二接触插塞403  第三接触插塞404  第四接触插塞405  第五接触插塞501  第一电极502  第二电极503  第三电极504  第四电极505  第五电极601  第一钝化层602  第二钝化层具体实施方式以下由特定的具体实施例说明本技术的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点及功效。请参阅附图2。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本技术可实施的范畴。如2图所示，本技术提供一种接触电阻的测试结构，该测试结构用于获得硅和硅化物之间的接触电阻，包括：一主测试结构1和一参考结构2，所述主测试结构1和参考结构2均制作在衬底10中。其中，所述主测试结构1至少包括：有源区20、第一硅化物301、第二硅化物302、第三硅化物303、第一接触插塞401、第二接触插塞402、第三接触插塞403、第一电极501、第二电极502和第三电极503。所述有源区20形成于所述衬底10中；第一硅化物301、第二硅化物302以及第三硅化物303分别制作在所述有源区20中；所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种接触电阻的测试结构，其特征在于，所述接触电阻的测试结构至少包括：制作在衬底中的主测试结构和参考结构；所述主测试结构至少包括：形成于所述衬底中的有源区；制作在所述有源区中的第一硅化物、第二硅化物以及第三硅化物；所述第一硅化物表面自下而上依次制作有第一接触插塞和第一电极；所述第二硅化物表面自下而上依次制作有第二接触插塞和第二电极；所述第三硅化物表面自下而上依次制作有第三接触插塞和第三电极；所述参考结构至少包括：形成于所述衬底中的第四硅化物；分别制作所述第四硅化物两侧的第四接触插塞和第五接触插塞；分别制作在第四接触插塞和第五接触插塞表面的第四电极和第五电极。

【技术特征摘要】
1.一种接触电阻的测试结构，其特征在于，所述接触电阻的测试结构至少包括：制作在衬底
中的主测试结构和参考结构；
所述主测试结构至少包括：形成于所述衬底中的有源区；制作在所述有源区中的第一
硅化物、第二硅化物以及第三硅化物；所述第一硅化物表面自下而上依次制作有第一接触
插塞和第一电极；所述第二硅化物表面自下而上依次制作有第二接触插塞和第二电极；所
述第三硅化物表面自下而上依次制作有第三接触插塞和第三电极；
所述参考结构至少包括：形成于所述衬底中的第四硅化物；分别制作所述第四硅化
物两侧的第四接触插塞和第五接触插塞；分别制作在第四接触插塞和第五接触插塞表面的
第四电极和第五电极。
2.根据权利要求1所述的接触电阻的测试结构，其特征在于：所述第一硅化物、第二硅化物
间的距离为D1，所述第二硅化物、第三硅化物间的距离为D2，第四接触插塞、第五接触
插塞间的第四硅化物的长度为D3，D2＝2D1，D1＝D3。
3.根据权利要求1所述的接触电阻的...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘英明，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11