【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关一种硅片上金属硅化物的检测方法，尤其是有关。
技术介绍
在深亚微米集成电路加工中，通常都采用硅化钛来减小硅电阻，完成晶体管之间的互连，所以硅化钛的成长质量对集成电路的成品率有很重要的影响。对已经制成好的集成电路芯片进行解析时，对硅化钛的形成进行快速有效的检验对于集成电路制成解析是非常重要的。在集成电路解析中，一般都是通过作断面电子扫描显微镜的方法来确认硅化钛的成长厚度和连续性。但是由于是检查剖面，所以不可能有效地确认大面积上的硅化钛成长的均匀性，而且制作电子扫描显微镜的断面样品还需要比较精细的加工。因此，应该设计一种检测硅片上金属硅化物成长质量的方法，能够方便快捷地检测出硅片表面硅化物的成长质量。
技术实现思路
为改变已有技术中的缺陷，本专利技术的目的是提供一种快速的分析检验方法来对制成结束后的硅片进行解析，分析金属硅化物的成长质量。。为了实现本专利技术的专利技术目的，本专利技术的，其特征在于首先使用强酸腐蚀的方法将硅片表面的金属配线和二氧化硅去除，接着使用电子扫描显微镜对硅片表面观察来确定硅化钛的成长质量。由于采用上述技术方案，本专利技术的是采用通过表面观测的方式来确认金属硅化物的成长质量，通过电子扫描显微镜对硅片表面的观测来确定金属硅化物的成长质量，对样品加工和准备都不需要很高的要求，而且结果也很直观。具体实施例方式下面结合附图和实施例对本技术作进一步描述。首先将制成好的集成电路硅片要观察的区域做成样品，因为要用作表面观察，所以可以做相对断面观察样品要大的样品，减小的样品的制作难度。然后用高浓度的HF氢氟酸(浓度大于90％)将样品浸泡15...
【技术保护点】
一种硅片上金属硅化物成长质量的检测方法，其特征在于：首先使用强酸腐蚀的方法将硅片表面的金属配线和二氧化硅去除，接着使用电子扫描显微镜对硅片表面观察来确定硅化钛的成长质量。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王飞，孙宏，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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