锡掺杂的氧化铟薄膜及微细图形制备工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种锡掺杂的氧化铟薄膜及微细图形制备工艺，将硝酸铟和四氯化锡加入乙酰丙酮溶剂中，然后加入去离子水，制得溶液Ａ；苯酰丙酮为螯合剂加入乙二醇甲醚溶剂中，制得溶液Ｂ，将溶液Ａ、Ｂ混合，搅拌、沉化，得到感光性锡掺杂的氧化铟溶胶。将高压汞灯或紫外激光通过具有微细图形的掩膜，照射锡掺杂的氧化铟凝胶薄膜，在大气环境下紫外光照射，去掉掩模，然后在无水乙醇中放置，未被紫外光照射的部分被溶解，经照射的部分完整保留下来，在进行加热，除去有机物，得到了锡掺杂的氧化铟薄膜微细图形。本发明专利技术不需特殊的真空和反应室，可以制作大面积的微细图形，无需光致抗蚀剂和腐蚀性介质，可以获得高质量ＩＴＯ薄膜的微细图形。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电子和微电子领域，特别涉及透明导电薄膜的制备及微细图形制备方法。
技术介绍
锡掺杂的氧化铟薄膜通常被称为ITO(Indum-tin-oxide)薄膜，是一种透明、导电的半导体薄膜，广泛应用于液晶、等离子等平板显示器和太阳能电池的透明电极。目前，常规制备ITO薄膜的方法有化学气相沉积法、磁控溅射法、热喷涂法、溶胶-凝胶法等。然而，在微电子领域应用的ITO薄膜通常都要求制成特定的微细图形。目前ITO薄膜微细图形制备是在制膜后采用离子刻蚀、或传统的光刻工艺。这二者的共同特点，都是将制膜和微细图形制备分开进行，即先制备好具有特定光电性能的ITO薄膜，再进行微细图形制备。前者离子刻蚀法需要在真空或离子反应室内进行，受设备所限难以制备大面积薄膜的微细图形，而且设备昂贵，效率低下，在量产中极少应用。而目前工业中应用的传统的光刻技术，是制备好薄膜后，在薄膜上涂一层光致抗蚀剂，通过掩模曝光、显影，再进行化学腐蚀，最后除去残留的光致抗蚀剂得到ITO薄膜的微细图形。这种方法工艺烦琐，在刻蚀过程中需要使用腐蚀性化学药品，对环境有污染。另一方面，由于ITO薄膜含有铟，锡两种元素，当微细图形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种锡掺杂的氧化铟薄膜，首先，制得感光性锡掺杂的氧化铟溶胶，然后，用常规的浸渍提拉法或旋涂法在玻璃或硅基板上制备出具有紫外感光性的锡掺杂的氧化铟凝胶薄膜；其特征在于，所说的感光性锡掺杂的氧化铟溶胶的制备方法如下：以硝酸铟ｌｎ（ＮＯ↓ ［３］）↓［３］.４．５Ｈ↓［２］Ｏ和四氯化锡Ｓｎｃｌ↓［４］.５Ｈ↓［２］Ｏ为原料、苯酰丙酮ＢｚＡｃＨ为螯合剂；首先以乙酰丙酮ＡｃＡｃ为溶剂，将硝酸铟ｌｎ（ＮＯ↓［３］）↓［３］.４．５Ｈ↓［２］Ｏ和四氯化锡Ｓｎｃｌ↓［４］.５Ｈ ↓［２］Ｏ加入乙酰丙酮ＡｃＡｃ溶剂中，然后加入去离子水，使各组分摩尔比为硝酸铟ｌｎ（ＮＯ↓［３］）↓［３...

【技术特征摘要】
1.一种锡掺杂的氧化铟薄膜，首先，制得感光性锡掺杂的氧化铟溶胶，然后，用常规的浸渍提拉法或旋涂法在玻璃或硅基板上制备出具有紫外感光性的锡掺杂的氧化铟凝胶薄膜；其特征在于，所说的感光性锡掺杂的氧化铟溶胶的制备方法如下以硝酸铟ln(NO3)3·4.5H2O和四氯化锡Sncl4·5H2O为原料、苯酰丙酮BzAcH为螯合剂；首先以乙酰丙酮AcAc为溶剂，将硝酸铟ln(NO3)3·4.5H2O和四氯化锡Sncl4·5H2O加入乙酰丙酮AcAc溶剂中，然后加入去离子水，使各组分摩尔比为硝酸铟ln(NO3)3·4.5H2O∶四氯化锡Sncl4·5H2O∶乙酰丙酮AcAc∶水H2O＝1∶0.05～0.12∶6～8∶0.1～0.15，在18-50℃下用磁力搅拌器搅拌0.5-2小时，制得溶液A；再以乙二醇甲醚MOE为溶剂，苯酰丙酮BzAcH为螯合剂加入乙二醇甲醚MOE溶剂中，其各组分摩尔比为苯酰...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵高扬，李颖，张卫华，韩晶，陈源清，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：87[中国|西安]