【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种硅基超级电容的制备方法，其步骤包括：1)选择单晶硅片作为芯片基片；2)在基片上采用MEMS工艺光刻并定义电容制作区域；3)在电容制作区域刻蚀出黑硅；4)利用ALD单原子层淀积技术在黑硅上生长电容介质层以及电极层；5)淀积并图形化金属引出电极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张立，张大成，何军，黄贤，赵丹淇，林琛，王玮，杨芳，田大宇，刘鹏，李婷，罗葵，
申请(专利权)人：北京大学，北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地，
类型：发明
国别省市：
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