一种数据感测装置及其数据感测方法。数据感测装置包括电流调整器以及感测放大器。电流调整器对应存储器阵列的存储器串，依据存储器串的多个输入信号的数量以产生偏移电流，并依据偏移电流调整存储器串的读取电流以产生调整后读取电流。感测放大器接收调整...

本发明公开了一种存储器元件，该存储器元件包括一基板、一叠层结构、多个通道结构、多个存储层以及多个浅隔离结构。基板具有一上表面。叠层结构位于基板的上表面上，其中叠层结构包括交替堆叠于上表面上的多个绝缘层及多个导电层。通道结构穿过部分的叠层...

本发明公开了一种存储器装置及其制造方法，存储器装置包含半导体衬底、叠层结构、电荷存储结构、势垒层、隧穿层及半导体层。叠层结构配置在半导体衬底的主表面上，且包含彼此交替叠层的多个导电层及多个绝缘层。电荷存储结构包含多个弯折存储结构或多个分...

本发明公开了接垫结构，接垫结构包括导电层、接垫层、保护层及介电层。导电层位于衬底上。保护层包覆接垫层并具有一开口，以露出部分接垫层。介电层形成于导电层与衬底之间且形成于导电层与接垫层之间。导电层包括多个有效区块，这些有效区块的区块的区块...

本发明公开了一种集成电路和存储器系统，其中，该集成电路包括：电源供应开关，接收原始供应电压，并提供由使能信号所控制的受控供应电压；运算放大器，接收输入电压与受控供应电压，并输出栅极控制电压；输出电路，接收栅极控制电压与受控供应电压，并将...

本发明公开了一种集成电路、存储器装置及管理一位线电压产生电路的方法，其中，该集成电路将稳定的箝位电压提供至连接于存储器装置的存储单元的至少一位线。该集成电路包括：运算放大器，接收第一参考电压、反馈电压与补偿电流，并输送出输出电压；以及输...

本发明提供一种半导体结构包含基板、至少一第一导电结构、至少一第二导电结构、至少一第一存储器结构以及至少一第二存储器结构。基板具有阵列区及虚设区。第一导电结构设置在阵列区上。第二导电结构设置在虚设区上。第一存储器结构设置在第一导电结构上。...

本发明公开了一种与式闪存存储器，该与式闪存存储器包括存储单元阵列、多个页缓冲器以及多个电压偏移电路。存储单元阵列耦接多条位线以及源极线。页缓冲器分别通过多个开关以耦接至位线，并分别提供多个控制信号。其中，控制信号在第一电压与参考电压之间...

本公开提供一种存储器系统以及存储器操作方法。存储器系统包含一闪存存储器芯片以及一控制器。控制器耦接该闪存存储器芯片，其中该控制器经配置以自一文档系统接收一第一版本的一数据，以储存该第一版本的该数据至该闪存存储器芯片的一第一页面；以及响应...

一种存储器数据管理方法，包含以下步骤：读取一存储器区的多个存储单元的多笔数据；判断这些数据的错误位是否超过一错误修正阈值；以及若这些数据的错误位超过该错误修正阈值，执行编程步骤，将这些数据中的第一状态数据提升至超过第一阈值，将这些数据中...

一种三维闪存存储器、控制电路、形成栅极叠层的方法，三维闪存存储器包括一栅极叠层结构，具有彼此电性绝缘的多个栅极层；一圆柱形通道柱，垂直地延伸穿过栅极叠层结构的每个栅极层，圆柱形通道柱的横截面为一圆柱体；一第一导电柱，垂直地延伸穿过栅极叠...

本发明公开了一种存储器、集成电路存储器及制造存储器的方法，该存储器为基于2T垂直铁电存储单元的装置，包括在第一层中的多个选择栅极线和在第二层中的多个字线，其中具有与这些选择栅极线和这些字线可操作设置的多个垂直通道结构。这些垂直通道结构中...

本发明公开了一种存储器装置及其感测方法，存储器装置包括存储单元阵列(memory cell array)、多个感测放大器(sense amplifier)以及用于控制多个感测放大器的存储器控制器。存储单元阵列包括多个位线(bit lin...

本发明公开了一种存储器装置，包括：单元行，设置于字线的多个层级中，单元行包含柱，柱包括第一竖直导电线、第二竖直导电线以及竖直半导体主体，所述竖直半导体主体设置于第一竖直导电线与第二竖直导电线之间且与第一竖直导电线及第二竖直导电线接触。柱...

一种具有环绕式栅极薄膜晶体管的非易失性存储器及制作方法，存储器包括多层结构、长形插塞结构、第一导体插塞与第二导体插塞。多层结构，包括多个栅极层，彼此分隔堆叠于基底上。所述多层结构中具有贯穿所述多层结构的孔洞。所述孔洞的截面具有长形轮廓，...

本发明提供用于执行安全命令的存储器装置及方法。所述存储器装置，包含：安全命令译码器，以及输入/输出接口。所述安全命令译码器实施安全逻辑，所述安全逻辑用以侦测来自请求主机的携载经加密即时数据有效负载的命令、认证作为命令的来源的主机、译码即...

一种存储器元件及其制造方法，存储器元件包括堆叠结构、柱、停止层以及接触插塞。所述堆叠结构，包括多个导体层。所述柱穿过所述堆叠结构。所述柱包括多个串联的存储单元，所述多个串联的存储单元在所述柱位置布局图案中位于所述柱与所述导体层的多个交叉...

本发明公开了一种存储器装置及用于操作存储器装置的方法，可包括存储器及接收命令序列的接口。命令序列中提供了信息认证码(MAC)。存储器装置上的控制电路包括命令译码器以译码经接收的命令序列且执行经识别的存储器操作。信息认证引擎包括用于计算一...

一种存储器元件及其制作方法，存储器元件包括：导电条带堆叠结构，包括多个导电条带及与导电条带交错堆叠的多个绝缘层，还具有至少一通道开口穿过这些导电条带和绝缘层，将部分的导电条带和绝缘层暴露于外。存储层位于通道开口之中并覆盖在导电条带暴露于...

本发明公开了一种存储器装置，该存储器装置包括通道元件、栅电极层、及存储元件。通道元件具有U形状。栅电极层电性耦接通道元件。存储元件包围通道元件的侧通道表面。元件包围通道元件的侧通道表面。元件包围通道元件的侧通道表面。