存储器装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种存储器装置及其制造方法，存储器装置包含半导体衬底、叠层结构、电荷存储结构、势垒层、隧穿层及半导体层。叠层结构配置在半导体衬底的主表面上，且包含彼此交替叠层的多个导电层及多个绝缘层。电荷存储结构包含多个弯折存储结构或多个分离的存储区段，弯折存储结构或分离的存储区段与导电层的侧壁相对，其中各弯折存储结构或各分离的存储区段，在平行主表面的一方向上实际上对准对应的导电层。势垒层至少有一局部夹置在导电层与弯折存储结构之间或者导电层与分离的存储区段之间。隧穿层配置在弯折存储结构上或分离的存储区段上。导体层配置在隧穿层上。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置及其制造方法
本专利技术关于一种半导体结构及其制造方法。更具体地，本专利技术涉及一种具有受限的电荷存储结构的存储器装置及制造存储器装置的方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)产业经历了快速发展。集成电路制造技术的进步已经产生了数个世代的集成电路，而且每一世代都比上一世代制造出产品更小更复杂的电路。目前已经开发出几种先进的技术来实现较更小的特征尺寸，这些技术用于制造诸如闪存之类的存储装置。然而，存储装置中的存储单元的结构及其工艺并非在所有方面都令人完全满意。例如，存储层中的电荷有可能移动到相邻的存储单元。因此，本专利技术的其中一个优势是提供上述相关问题的解决方案。
技术实现思路
本专利技术的一形式是提供一种存储器装置。此存储器装置包含一半导体衬底、一叠层结构、一电荷存储结构、一势垒层、一隧穿层、以及一半导体层。半导体衬底具有一主表面。叠层结构配置在半导体衬底的主表面上，且包含彼此交替叠层的多个导电层及多个绝缘层。电荷存储结构包含多个弯折存储结构或多个分离的存储区段，弯折存储结构或分离的存储区段与导电层的侧壁相对，其本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器装置，包含：/n一半导体衬底，具有一主表面；/n一叠层结构，配置在该半导体衬底的该主表面上，且包含彼此交替叠层的多个导电层及多个绝缘层；/n一电荷存储结构，包含多个弯折存储结构或多个分离的存储区段，这些弯折存储结构或这些分离的存储区段与这些导电层的多个侧壁相对，其中各该弯折存储结构或各该分离的存储区段，在平行该主表面的一方向上实际上对准这些导电层的对应一者；/n一势垒层，至少局部地夹置在这些导电层与这些弯折存储结构之间或者这些导电层与这些分离的存储区段之间；/n一隧穿层，配置在这些弯折存储结构上或这些分离的存储区段上；以及/n一半导体层，配置在该隧穿层上。/n

【技术特征摘要】
20191003 US 16/591,6671.一种存储器装置，包含：
一半导体衬底，具有一主表面；
一叠层结构，配置在该半导体衬底的该主表面上，且包含彼此交替叠层的多个导电层及多个绝缘层；
一电荷存储结构，包含多个弯折存储结构或多个分离的存储区段，这些弯折存储结构或这些分离的存储区段与这些导电层的多个侧壁相对，其中各该弯折存储结构或各该分离的存储区段，在平行该主表面的一方向上实际上对准这些导电层的对应一者；
一势垒层，至少局部地夹置在这些导电层与这些弯折存储结构之间或者这些导电层与这些分离的存储区段之间；
一隧穿层，配置在这些弯折存储结构上或这些分离的存储区段上；以及
一半导体层，配置在该隧穿层上。


2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中该电荷存储结构包含这些弯折存储结构，且这些导电层的这些侧壁相对于这些绝缘层的多个侧壁凹陷以定义出多个凹部，这些弯折存储结构容置在这些凹部中。


3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中该电荷存储结构包含这些弯折存储结构，且这些绝缘层的多个侧壁相对于这些导电层的这些侧壁凹陷，以定义出多个凹部；
其中该电荷存储结构还包含多个连接部，各该连接部连接这些弯折存储结构中的相邻两者，且这些连接部容置在这些凹部中。


4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中该电荷存储结构包含这些分离的存储区段，且这些导电层的这些侧壁相对于这些绝缘层的多个侧壁凹陷，以定义出多个凹部，这些分离的存储区段容置在这些凹部中。


5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中该电荷存储结构包含这些分离的存储区段，且这些导电层的这些侧壁相对于这些绝缘层的多个侧壁凹陷，以定义出多个凹部，这些凹部容置这些分离的存储区段，其中部分的隧穿层及部分的半导体层位于这些凹部中。


6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中该电荷...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨怡箴，张耀文，吴冠纬，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71