集成电路、存储器装置及管理一位线电压产生电路的方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种集成电路、存储器装置及管理一位线电压产生电路的方法，其中，该集成电路将稳定的箝位电压提供至连接于存储器装置的存储单元的至少一位线。该集成电路包括：运算放大器，接收第一参考电压、反馈电压与补偿电流，并输送出输出电压；以及输出晶体管，提供作为反馈电压的端点电压以及输出电压，其中输出电压作为相关于箝位电压的目标电压。运算放大器配置为不平衡的，其端点电压小于第一参考电压。补偿电流补偿运算放大器，使箝位电压实质恒定且独立于PVT(工艺‑电压‑温度)效应。

【技术实现步骤摘要】
集成电路、存储器装置及管理一位线电压产生电路的方法
本专利技术是有关于一种集成电路、存储器装置及管理一位线电压产生电路的方法，且特别是有关于用于管理存储器装置的位线电压产生电路的计算机可读取介质的系统、方法、电路与装置。
技术介绍
集成电路存储器装置正变得更小与更快。存储器装置的尺寸与速度的限制是由用于提供稳定位线箝位电压(bitlineclampingvoltage)来感测存储器装置的数据的电路所引起的。位线电压产生电路通常用于将存储器的存储单元(memorycell)的位线维持在稳定的箝位电压。在某些情况下，在带隙参考系统(bandgapreferencesystem)与位线电压产生电路之间采用带隙缓冲器(bandgapbuffer)，以将来自于带隙参考系统的带隙参考电压转换为较低电压，进而产生位线箝位电压。然而，带隙缓冲器会占用大量的存储区域，并且需要很长的设置时间。因此，本专利技术期望开发一种位线电压产生电路，其可提供具有更快设置时间与更小存储区域的稳定箝位电压。
技术实现思路
本专利技术描述了用于管理存储器装置(例本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路，其中，包括：/n一运算放大器，包括：/n一第一输入端，用以接收一第一参考电压；/n一第二输入端，用以接收一反馈电压；/n一第三输入端，用以接收一补偿电流；以及/n一输出端，用以输送出一输出电压；以及/n一输出晶体管，包括：/n一第一端，耦接至该运算放大器的该输出端，并提供作为一目标电压的该输出电压；以及/n一第二端，耦接至该运算放大器的该第二输入端，并将作为该反馈电压的一端点电压提供至该运算放大器；/n其中，该运算放大器配置为不平衡的，使得该端点电压小于该第一参考电压，并且该补偿电流补偿该运算放大器，使得该端点电压实质恒定。/n

【技术特征摘要】
20191001 US 62/908,605;20200407 US 16/842,2251.一种集成电路，其中，包括：
一运算放大器，包括：
一第一输入端，用以接收一第一参考电压；
一第二输入端，用以接收一反馈电压；
一第三输入端，用以接收一补偿电流；以及
一输出端，用以输送出一输出电压；以及
一输出晶体管，包括：
一第一端，耦接至该运算放大器的该输出端，并提供作为一目标电压的该输出电压；以及
一第二端，耦接至该运算放大器的该第二输入端，并将作为该反馈电压的一端点电压提供至该运算放大器；
其中，该运算放大器配置为不平衡的，使得该端点电压小于该第一参考电压，并且该补偿电流补偿该运算放大器，使得该端点电压实质恒定。


2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，该第一参考电压是恒定的，并且该第一参考电压独立于工艺-电压-温度效应；以及
其中该补偿电流降低该运算放大器上的该PVT效应，使该端点电压实质独立于该PVT效应。


3.根据权利要求2所述的集成电路，其中，该运算放大器受到温度效应与工艺效应的反向影响；
其中该补偿电流受到该温度效应与该工艺效应的该反向影响；以及
其中该运算放大器的该第一输入端的该第一参考电压与该第二输入端的该反馈电压之间的一电压差实质独立于该PVT效应。


4.根据权利要求1所述的集成电路，其中，该输出晶体管耦接至一箝位晶体管，该箝位晶体管在对应于该输出晶体管的该第一端的该箝位晶体管的第一端接收该目标电压，并且该箝位晶体管在对应于该输出晶体管的该第二端的该箝位晶体管的第二端输出一箝位电压。


5.根据权利要求4所述的集成电路，其中，该目标电压等于该输出晶体管的该端点电压与阈值电压的总和，并且该目标电压等于该箝位晶体管的该箝位电压与阈值电压的总和；
其中该输出晶体管与该箝位晶体管实质上具有相同特性，使得该箝位晶体管的该阈值电压实质相同于该输出晶体管的该阈值电压，该箝位电压实质相同于该端点电压，并且该箝位电压实质恒定且独立于PVT效应。


6.根据权利要求1所述的集成电路，其中，该运算放大器包括：
一第一半桥，耦接至该运算放大器的该第一输入端；以及
一第二半桥，耦接至该运算放大器的该第二输入端；
其中该第一半桥与该第二半桥互不相同。


7.根据权利要求6所述的集成电路，其中，该运算放大器使得该第一半桥承载一第一电流，并且该第二半桥承载相异于该第一电流的一第二电流。


8.根据权利要求6所述的集成电路，其中，该第一半桥与该第二半桥具有不同数量的晶体管。


9.根据权利要求6所述的集成电路，其中，该第一半桥的晶体管与该第二半桥的晶体管具有不同宽度、不同长度或宽度与长度之间的不同比率的至少其中之一。


10.根据权利要求1所述的集成电路，其中，该第一参考电压由一参考电压系统所提供，并且该补偿电流由该参考电压系统中的一补偿电流电路所提供。


11.一种存储器装置，其中，包括：
一存储单元阵列，包括多个存储单元；
多条存储单元线路，连接至该存储单元阵列的各该存储单元的线路；以及
一位线电压产生电路，用以将一箝位电压提供到至少一存储单元线路，该位线电压产生电路包括：
一运算放大器，用以接收一第一参考电压、一反馈电压与一补偿电流，并且该运算放大器输送出一输出电压；
一输出晶体管，耦接至该运算放大器，并且该输出晶体管将作为该反馈电压的一端点电压提供至该运算放大器，且该输出晶体管提供该输出电压以作为一目标电压，该箝位电压相关于该目标电压；
其中该运算放大器配置为不平衡的，使得该端点电压小于该第一参考电压，并且该补偿电流补偿该运算放大器，使得该箝位电压实质恒定...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨尚辑，柯思宇，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71