接垫结构制造技术

本发明专利技术公开了接垫结构，接垫结构包括导电层、接垫层、保护层及介电层。导电层位于衬底上。保护层包覆接垫层并具有一开口，以露出部分接垫层。介电层形成于导电层与衬底之间且形成于导电层与接垫层之间。导电层包括多个有效区块，这些有效区块的区块的区块面积与这些有效区块的总区块面积的一比例介于40％～50％之间。区块具有镂空部，镂空部具有一镂空面积，镂空面积与区块面积的比值介于0.1～0.5之间。

【技术实现步骤摘要】
接垫结构
本专利技术是有关于一种接垫结构，且特别是有关于一种具有导电层的接垫结构。
技术介绍
已知CUP(CircuitUnderPad)结构的工艺中，打线过程中工具施加在CUP结构的力量及电路测试过程中工具施加在CUP结构的力量容易导致CUP结构的二导电层之间的介电层发生裂痕或同一导电层的金属间介电层发生裂痕。因此，如何提出一种新的CUP结构以改善前述问题是本
工作人员努力的方向之一。
技术实现思路
本专利技术是有关于一种接垫结构，可以改善前述已知问题。本专利技术一实施例提出一种接垫结构。接垫结构包括多层导电层、一接垫层、一保护层及一介电层。导电层为一电路的一部分。保护层包覆接垫层并具有一开口，以露出部分接垫层。介电层形成于导电层与接垫层之间且完全隔开在开口的区域内的导电层与接垫层。导电层包括多个有效区块，这些有效区块的一第一区块的一区块面积与这些有效区块的一总区块面积的一比例介于40％～50％之间。第一区块具有至少一镂空部，镂空部具有一镂空面积，镂空面积与区块面积的比值介于0.1～0.5之间。本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种接垫结构，形成于一衬底上，且包括：/n一导电层，为一电路的一部分；/n一接垫层；/n一保护层，包覆所述接垫层并具有一开口，以露出部分所述接垫层；/n一介电层，形成于所述导电层与所述接垫层之间且完全隔离在所述开口的区域内的所述导电层与所述接垫层；/n其中，所述导电层包括多个有效区块，这些有效区块的一第一区块的一区块面积与这些有效区块的一总区块面积的一比例介于40％～50％之间，所述第一区块具有一镂空部，所述镂空部具有一镂空面积，所述镂空面积与所述区块面积的比值介于0.1～0.5之间。/n

【技术特征摘要】
20191004 US 16/592,9401.一种接垫结构，形成于一衬底上，且包括：
一导电层，为一电路的一部分；
一接垫层；
一保护层，包覆所述接垫层并具有一开口，以露出部分所述接垫层；
一介电层，形成于所述导电层与所述接垫层之间且完全隔离在所述开口的区域内的所述导电层与所述接垫层；
其中，所述导电层包括多个有效区块，这些有效区块的一第一区块的一区块面积与这些有效区块的一总区块面积的一比例介于40％～50％之间，所述第一区块具有一镂空部，所述镂空部具有一镂空面积，所述镂空面积与所述区块面积的比值介于0.1～0.5之间。


2.一种接垫结构，形成于一衬底上，且包括：
一导电层，为一电路的一部分；
一接垫层；
一保护层，包覆所述接垫层并具有一开口，以露出部分所述接垫层；
一介电层，形成于所述导电层与所述接垫层之间且完全隔开在所述开口的区域内的所述导电层与所述接垫层；
其中，所述导电层包括一第一区块及一第二区块，所述第一区块及所述第二区块分别具有一第一宽度及一第二宽度，所述第一区块与所述第二区块之间具有一第一间隔，所述第一宽度、所述第二宽度及所述第一间隔是沿相同方向的尺寸，所述第一宽度及所述第二宽度皆大于一门限宽度，而所述第一间隔大于一门限间隔。


3.根据权利要求1或2所述的接垫结构，其特征在于，所述第一区块是所述导电层投影至所述开口的部分。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：石志清，陈鸿祺，郭立光，吕文彬，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71