【技术实现步骤摘要】
与式闪存存储器
本专利技术属于半导体
，涉及一种与式闪存存储器，且特别是有关于一种具有多维度存储单元阵列的与式闪存存储器。
技术介绍
随着电子科技的进步，电子装置成为人们生活的重要工具。在电子装置中，设置高品质的非易失性的存储元件，是本领域的重要课题。在现有的非易失性存储器中，闪存存储器为近年来常被使用。常见的闪存存储器包括与非式(NAND)、或非式(NOR)以及较新被推出的与式(AND)闪存存储器。与式闪存存储器可应用在多维度的闪存存储单元阵列中，其中，在现有技术中，当要针对与式闪存存储单元进行擦除或是编程动作时，需使被使能的位线上的存储单元中，所属的位线以及源极线相互短路，并依据位线是否被掩蔽的状态，施加所需要的驱动电压。承续上述，在现有技术中，上述的驱动电压由页缓冲器来提供。而在擦除动作或在编程动作中，页缓冲器需要依据位线是否为被掩蔽位线来提供一个具有相对高电压值的驱动电压。然而，现有技术中的页缓冲器仅能提供数位的逻辑电压，造成存储单元被执行编程及擦除动作的效率不佳。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种与式闪存存储器，其特征在于，包括：/n一存储单元阵列，耦接多条位线以及多条源极线；/n多个页缓冲器，分别通过多个开关以耦接至这些位线，分别提供多个控制信号，其中这些控制信号在一第一电压与一参考电压之间转态；/n多个电压偏移电路，分别耦接至这些位线以及这些页缓冲器，分别接收这些控制信号并偏移这些控制信号的电压值以产生多个驱动信号，并分别提供这些驱动信号至这些位线，/n其中这些驱动信号在一第二电压与该参考电压之间转态，该第二电压大于该第一电压。/n
【技术特征摘要】
20190919 US 16/576,6521.一种与式闪存存储器，其特征在于，包括：
一存储单元阵列，耦接多条位线以及多条源极线；
多个页缓冲器，分别通过多个开关以耦接至这些位线，分别提供多个控制信号，其中这些控制信号在一第一电压与一参考电压之间转态；
多个电压偏移电路，分别耦接至这些位线以及这些页缓冲器，分别接收这些控制信号并偏移这些控制信号的电压值以产生多个驱动信号，并分别提供这些驱动信号至这些位线，
其中这些驱动信号在一第二电压与该参考电压之间转态，该第二电压大于该第一电压。
2.根据权利要求1所述的与式闪存存储器，还包括：
多个等化开关，分别耦接在这些位线以及对应的源极线之间，
其中在该编程动作或该擦除动作时，对应该第一位线的一第一等化开关被导通。
3.根据权利要求2所述的与式闪存存储器，其中在一等化动作中，这些等化开关被导通，这些位线以及对应的源极线接收一参考电压。
4.根据权利要求3所述的与式闪存存储器，其中一第一电压偏移电路耦接至一第一位线，在一编程动作时，该第一位线对应的一第一等化开关被导通，当该第一位线为一被掩蔽位线时，该第一电压偏移电路依据对应的一第一控制信号使该第二电压等于一编程掩蔽电压，并提供为该第二电压的一第一驱动信号至该第一位线。
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【专利技术属性】
技术研发人员：叶腾豪，吕函庭，林立颖，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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