旺宏电子股份有限公司专利技术

旺宏电子股份有限公司共有3210项专利

  • 本发明公开了一种存储器装置、用于操作其的方法以及自其读取档案的方法,其中该存储器装置包括可操作的耦合至存储器阵列的数据缓存器、可操作的耦合至数据缓存器的缓存以及以可操作的耦合至缓存的输入/输出接口。控制器因应于页面读取命令而执行连续页面...
  • 本发明公开了一种存储器装置、源极线电压调整器及其源极线电压调整方法。源极线电压调整器包括运算放大器、电流汲取器以及电流产生器。运算放大器具有第一输入端以耦接至共同源极线,并具有第二输入端以接收参考电压。运算放大器产生偏压电压。电流汲取器...
  • 本发明公开了一种立体存储器元件,包含多个导电层以及多个绝缘层,其彼此交错叠层以形成一多层叠层结构于一半导体衬底的第一区。多层叠层结构具有一阶梯结构以及一非阶梯结构。多个存储器结构位于非阶梯结构以形成一存储器阵列区域,每一存储器结构穿越这...
  • 本发明公开了一种金属电容。金属电容包含设置于衬底上方的第一金属层与第二金属层。第一金属层包含第一电极片与第二电极片。第二金属层包含第三电极片与第四电极片。第一平面电容形成于第一电极片与第二电极片之间;第二平面电容形成于第三电极片与该第四...
  • 本发明公开了一种存储器装置与集成电路,存储器装置包括位于第一和第二电极之间的相变存储器材料体上的碳沉积物,例如碳缓冲层。碳沉积物可提高相变存储器单元的耐久性五个或更多数量级。实施例包括“蘑菇”型存储器元件,以及包括3D阵列的交叉点元件的...
  • 本发明公开了一种存储器装置及其制造方法。其中,该存储器装置包括通道线、字线、第一开关及第二开关。存储器串列的存储单元定义在通道线与字线的交错处。第一开关电性连接通道线。第二开关电性连接通道线。第一开关电性连接在第二开关与存储单元之间。
  • 本发明公开了一种半导体元件及其制造方法,该半导体元件包括:衬底,具有第一导电型;第一阱区,设置于所述衬底中且具有第二导电型;第二阱区,设置于所述衬底中且具有所述第一导电型;源极区与漏极区,具有所述第二导电型,分别设置于所述第二阱区与所述...
  • 本发明公开了一种立体存储器元件,包含衬底、多个水平导电层、多个垂直存储器结构以及垂直导电板体。多个水平导电层位于衬底上,这些导电层二紧邻者之间形成第一空气间隙。存储器结构穿越这些导电层而连接至衬底。导电板体位于这些存储器结构其中二紧邻者...
  • 一种存储器装置及其制造方法,其中存储器装置包括图案化导体层的叠层,具有包括导电条带的至少多个层,导电条带包括与焊垫连续的条带和与焊垫隔离的其他条带。垂直柱的阵列,延伸穿过图案化导体层的叠层,其中存储单元设置在垂直柱和图案化导体层之间的交...
  • 本发明公开了一种脉冲神经网络电路及其运作方法。脉冲神经网络电路包括一位线输入突触阵列及一神经元电路。位线输入突触阵列包括多个页面缓冲器、多个位线晶体管、多个位线、多个存储单元、一字线、多个源极线及多个源极线晶体管。页面缓冲器用以提供多个...
  • 本发明公开了一种人工智能加速器及其处理方法,该人工智能加速器接收二位的一输入数据组与多层的整体权重形态中被选择的其一。人工智能加速器包括多个处理片以及加总输出电路。每一个处理片接收输入数据组的次输入数据组对整体权重形态的次权重形态的多个...
  • 本发明公开了一种信号收发系统与方法,该信号收发系统包括:一第一信号收发端;以及一第二信号收发端,有线耦接至该第一信号收发端,其中,于该第一信号收发端送出一数字信号至该第二信号收发端,响应于所检测到的一第一信号边缘,该第二信号收发端开始计...
  • 本发明公开了多栅极晶体管及应用其的存储器装置,该多栅极晶体管包括:一掺杂漏极区;一掺杂源极区;一栅极群组,包括一第一栅极与一第二栅极;一通道,该掺杂漏极区与该掺杂源极区位于该通道的两侧;以及一中间层,形成于该通道与该栅极群组之间。其中,...
  • 本发明公开了一种存储器系统及存储器控制器,其利用机器学习(ML)确定存储器系统的读取电压。在一方面,存储器系统包括存储器与存储器控制器,存储器控制器配置为:利用对应于与存储器数据相关的第一组参数的第一读取电压获得存储器数据的第一读取输出...
  • 本发明公开了存储器装置,包括叠层结构、存储元件、通道元件与半导体层。叠层结构包括源极层、绝缘层、与栅电极层。绝缘层在源极层上。栅电极层在绝缘层上。存储元件在栅电极层的电极侧壁表面上。存储单元定义在通道元件与栅电极层之间的存储元件中。半导...
  • 本发明公开了一种非易失性存储器与其操作方法。非易失性存储器包含多个存储器单元串列、多个位开关、存储器操作电路及多个源极开关。这些位开关电性连接于这些存储器单元串列。存储器操作电路电性连接于这些位开关,用以传送写入信号至存储器单元串列。这...
  • 一种存储器系统及其操作方法,具体为一种多层单元的一选择器一控制器三维交叉点存储器系统,包括至少一个多层单元的一选择器一电阻器结构,此结构包括相变存储器单元以及阈值开关选择器的叠层配置。导电位线与双向阈值开关选择器电性连通,而导电字线则与...
  • 本发明公开了一种随机数生成器、随机数生成电路及随机数生成方法,随机数生成电路包含随机数生成器并可执行随机数生成方法,随机数生成器包含具有N个存储元件的移位寄存器以及组合逻辑电路,N个存储元件在静止状态时接收随机种子,并且在多个频率周期内...
  • 一种半导体装置及其操作方法,其中半导体装置包括基板、第一及第二堆叠。基板包括由上表面向下延伸的第一掺杂浓度的掺杂区。第一堆叠设置于上表面上,包括交替堆叠的第一绝缘层及第一导电层、第一通道层、第一存储层以及第一导电连接件。第一导电层配置为...
  • 本发明公开了一种半导体装置及其阵列布局及包括其的封装结构,其中,半导体装置包括一叠层以及多个存储器串行。叠层形成于一衬底上,叠层包括交替叠层的多个导电层及多个绝缘层。存储器串行沿着一第一方向穿过叠层,各个存储器串行包括一通道层、一存储器...