一种存储器阵列与存储器结构，存储器阵列包括：多个驱动元件，设置成多行与多列的阵列；多个存储单元，设置成多行与多列的阵列，并分别与多个驱动元件相对应，其中各存储单元的一端耦接到相应的驱动元件的第一端；以及多条字线与多条位线，彼此交叉设置，...

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括一衬底、一叠层、一导电柱、一存储层以及一金属硅化物层。叠层设置于衬底上，其中叠层包括沿着一第一方向交替叠层的多个绝缘层及多个导电层。导电柱沿着第一方向穿过叠层。存储层环绕导电柱。金...

本发明公开了一种存储器结构。存储器结构包含第一通道本体、第一源极区、第一漏极区、第一栅极结构与第二栅极结构。第一源极区具有第一导电类型且连接至第一通道本体的第一端。第一漏极区具有第二导电类型且连接至第一通道本体的第二端，第二端和第一端分...

本发明提供一种存储器装置。存储器装置包含堆叠结构、管状元件、导电柱与多个存储器单元。管状元件包含虚设通道层，且管状元件贯穿该堆叠结构。导电柱被管状元件围绕，且导电柱延伸超过虚设通道层的底表面。多个存储器单元在堆叠结构中并电性连接至导电柱...

本发明公开了一种存储器装置及其制造方法。其中，该存储器装置包括一叠层体结构及一阶梯状结构。叠层体结构包括一第一子叠层体结构及一第二子叠层体结构。阶梯状结构电性连接至叠层体结构。阶梯状结构包括一第一子阶梯状结构及一第二子阶梯状结构。第一子...

本发明提供一种存储器内运算方法及装置，适于由处理器对存储器执行乘加运算。所述方法包括下列步骤：对待写入存储器的输入线及存储单元的输入数据及权重数据分别进行预处理，以区分为主要部分及次要部分；将被区分为主要部分及次要部分的输入数据及权重数...

本公开提供一种判断存储器系统读取电压的方法、装置以及系统。在本公开的一方面，一存储器装置包含一存储单元阵列、一累加电路以及一控制器。每一存储单元耦接多个字线中的一对应字线，以及多个位线中的一对应位线。累加电路配置为：当储存在一页面的数据...

本公开提供了一种存储器装置与其操作方法。存储器装置包括：一存储器阵列，包括多个存储器单元，可用于储存多个权重值在该存储器阵列的这些存储器单元内；一乘法电路，对多个输入数据与这些权重值进行乘法，以得到多个乘法结果，其中在进行乘法时，这些存...

本发明提供存储器装置及其操作方法。存储器装置包括：一存储器阵列，包括多个存储器单元，可用于储存多个权重值于该存储器阵列的这些存储器单元内；一乘法电路，耦接至该存储器阵列，该乘法电路对多个输入数据与这些权重值进行乘法，以得到多个乘法结果；...

本公开提供了一种具有上电复位电路的集成电路，包含反相电路、叠接电路、阻抗元件及内部电路。反相电路电性连接于第一供电节点及第二供电节点之间。叠接电路包含n个晶体管，其中n为1至N的正整数，且电性连接于第一供电节点及反相电路的输入节点之间。...

本发明公开了一种柱状存储单元及其制造方法、集成电路存储器装置，该柱状存储单元具有一叠层，该叠层包括一支持顶部导电层、一活性材料层(例如一存储材料或转换材料)及一底部导电层。活性材料层相较于支持顶部导电层更窄。一支持侧边绝缘层系被形成，连...

本发明公开了一种三维NAND人工智能加速器的辨识方法与控制电路。其中，该三维NAND人工智能加速器包括多个存储单元、多条位线、多条字线及多个串列选择线群组。各个串列选择线群组包括至少一串列选择线。多个图样信号输入至这些位线，以执行一乘积...

本公开提供一种三元内容可寻址存储器包括多条第一搜索线、多条第二搜索线、多个存储单元串以及一或多个电流感测单元。存储单元串包括多个存储单元，各该存储单元耦接至该多条第一搜索线的其中之一及该多条第二搜索线的其中之一。电流感测单元，耦接至该多...

本发明公开了一种存储器内运算装置，其中，包括存储器阵列、p

本发明提供一种存储器装置，包括周边晶圆、存储器阵列芯片堆叠以及多个第一导电接触。周边晶圆具有功能表面。存储器阵列芯片堆叠设置于周边晶圆上且具有功能表面。周边晶圆的功能表面面对存储器阵列芯片堆叠的功能表面，且存储器阵列芯片堆叠的第一侧为阶...

本发明公开了一种存储器材料及应用其的存储器装置。存储器材料为碳原子掺杂的硫族化物。硫族化物包含砷原子、硒原子、锗原子及硅原子。子。子。

本发明提供多种三维闪存元件。一种三维闪存元件包括栅极堆叠结构、多个分开的弧状通道柱、多个源极/漏极柱以及电荷储存结构。栅极堆叠结构设置于基底上且包括彼此电性绝缘的多个栅极层。多个分开的弧状通道柱设置于所述基底上且位在所述栅极堆叠结构中。...

本发明公开了一种存储器装置的操作方法包括：进行擦除操作；对一存储器单元进行验证读取操作，以得到一单元电流，该存储器单元包括一第一晶体管与一第二晶体管；检查该单元电流是否小于一第一单元电流门限值；如果该单元电流未小于该第一单元电流门限值，...

一种存储器装置包括集成电路或多芯片模组上的存储器，该存储器包含多个存储器区块、控制器以及可由控制器存取的在非易失性存储器中的刷新映射表。控制器耦接至存储器以执行具有地址的命令，以存取多个存储器区块中的定址存储器区块。刷新映射表具有一个或...

本发明揭露一种三维结构三态内容可寻址存储器，其包括一第一晶体管层、一第二晶体管层、一第三晶体管层及一第四晶体管层。第一晶体管层设置于一第一平面，沿平行于第一平面的一第一方向延伸。第二晶体管层设置于第一平面，平行于第一晶体管层，沿第一方向...