本发明公开了一种存储装置的操作方法，应用于具有多条字线及一条或多条功能线的一存储装置。操作方法包括：接收针对一目标存储单元的一读取操作命令；输出具有一第一波形的一信号至对应于目标存储单元的一目标字线，输出具有一第二波形的一信号至功能线，...

本公开提供一种半导体装置，包括一第一垂直叠层、一第一垂直通道线、一第一数据储存结构以及一第一栅极介电结构。第一垂直叠层包括一第一导线以及一第二导线。第一垂直通道线垂直通过第一导线与第二导线，第一垂直通道线为P型通道。第一数据储存结构设置...

本发明公开了一种三向开关阵列结构及基于非易失性存储器的开关阵列基板，其中该三向开关阵列结构包括N条第一接线、M条第二接线、N

本发明公开了一种存储器装置及其制造方法。其中，该存储器装置包括一衬底、一叠层结构以及一存储器串列。叠层结构位于衬底上。叠层结构包括沿着一第一方向交替叠层的多个绝缘层及多个导电层。存储器串列沿着第一方向容置于叠层结构中，存储器串列包括一存...

本发明公开了一种闪存、快闪存储单元及其操作方法。快闪存储单元包括整流元件以及晶体管。整流元件具有输入端耦接至位线。晶体管具有一电荷存储结构。晶体管具有第一端耦接至整流元件的输出端，晶体管具有第二端耦接至源极线，晶体管的控制端耦接至字线。...

本发明提供一种接收器电路具有：第一级电路，具有第一级输入及第一级输出，第一级输出设定第一级共模电压；第二级电路，具有连接至第一级输出的第二级输入及设定第二级共模电压的第二级输出；以及缓冲电路，具有跳脱点电压，缓冲电路连接至第二级输出。第...

本公开提供一种存储器装置及其操作方法。该操作方法包括：在进行一乘积累加运算操作时，通过多个第一信号线输入多个输入至该存储器装置的多个存储器单元；根据这些存储器单元的多个权重，这些存储器单元输出多个单元电流于多个第二信号线；加总各这些第二...

本公开提供一种三维存储器装置与其操作方法。三维存储器装置包括：一存储器阵列，包括多个存储器单元；一控制器，耦接至该存储器阵列；以及一匹配电路，耦接至该存储器阵列。在进行数据搜索与比对时，该控制器选择共享同一目标整体信号线的多个目标存储器...

本发明提供了一种存储装置与其操作方法。该存储装置包括多条字线，该存储装置的操作方法包括：对这些字线执行一预充操作，在一第一回合中，对这些字线的一第一被选字线群组施加一被选字线电压且对这些字线的一第一未选字线群组施加一未选字线电压，在一第...

本发明公开了一种输入输出电路以及静电放电保护电路。静电放电保护电路适用于元件充电模型。静电放电保护电路包括双极性结晶体管。双极性结晶体管具有第一端以耦接至输入缓冲器的输入端以及输出缓冲器的输出端。双极性结晶体管的第二端耦接至第一接地轨线...

本公开提供了一种存储器内运算器及其运算方法。存储器内运算器包括存储单元阵列、输入缓冲器以及感测放大器。存储单元阵列包括存储单元区块。存储单元区块对应至少一字线，存储单元区块用以储存多个权重值，存储单元区块上的多个存储单元储存对应的各权重...

本发明公开了一种乘加运算装置以及其控制方法。其中，乘加运算装置包括特征信息筛选器以及存储器内运算器。特征信息筛选器记录多个特征信息的多个指定位，使所接收的输入信息与指定位进行比较以产生比较结果，并依据比较结果以产生筛选地址。存储器内运算...

本发明公开了一种三维存储器元件及其制造方法。所述三维存储器元件包括栅极叠层结构、通道层、电荷存储结构、电极层以及电容介电层。所述栅极叠层结构设置于衬底上且包括彼此电性绝缘的多个栅极层，其中所述栅极叠层结构中具有至少一个通道孔洞以及至少一...

本发明公开了一种存储器装置的操作方法，其中包括：在一预导通期间，一相邻字线电压上升至一第一相邻字线电压；以及在该预导通期间结束后，该相邻字线电压从该第一相邻字线电压上升至一第二相邻字线电压。该第一相邻字线电压低于该第二相邻字线电压。该相...

本发明公开了一种静电放电保护装置及其操作方法，其中，静电放电保护装置包括半导体衬底、第一阱区、第二阱区、第三阱区、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区以及第四掺杂区。第一阱区、第二阱区及第三阱区位于半导体衬底之中，且第三阱区直接耦接于第一...

本发明公开了一种存储装置及其制造方法，上述存储器装置的制造方法包括：提供叠层结构；在叠层结构上形成介电层；形成狭缝贯穿介电层；以及在狭缝的侧壁形成间隔层。叠层结构包含交错叠层的多个第一绝缘层与多个第二绝缘层，第一绝缘层的材质不同于第二绝...

本发明公开了一种存储器装置的操作方法，存储器装置包括一P型阱区、一公共源极线、一存储器阵列、多个字线、一串列选择线、一接地选择线以及至少一位线，其中这些字线连接存储器阵列中的一存储器串，且这些字线排列于串列选择线与接地选择线之间。存储器...

本发明公开了一种存储器装置，该存储器装置包括一源极元件、一漏极元件、多个通道层、多个控制电极层与一存储层。通道层独立电性连接在源极元件与漏极元件之间。多个存储单元定义在控制电极层与通道层之间的存储层中。在控制电极层与通道层之间的存储层中...

本发明公开了一种存储装置及其操作方法，其中，该存储装置具有多个存储单元区块与多条位线，每一区块包含一组字线与一组NAND串列。多个存储单元区块中的每一区块具有多个子区块，每一子区块包含被选取区块的一组NAND串列的不同的子集和个别子区块...

一种存储器元件及其制造方法，其中，存储器元件包括：基底，包括多个区块，每一区块包括阶梯区、存储阵列区与字线切割区；叠层结构，位于所述存储阵列区中的所述基底上，其中所述叠层结构包括彼此交互堆叠的多个第一绝缘层与多个导体层；第一阶梯结构，位...