接收器电路以及数据接收器制造技术

技术编号:34382561 阅读:25 留言:0更新日期:2022-08-03 21:00
本发明专利技术提供一种接收器电路具有:第一级电路,具有第一级输入及第一级输出,第一级输出设定第一级共模电压;第二级电路,具有连接至第一级输出的第二级输入及设定第二级共模电压的第二级输出;以及缓冲电路,具有跳脱点电压,缓冲电路连接至第二级输出。第一级电路可包含电路元件,电路元件经组态以建立第一级共模电压,使得第二级共模电压匹配于跳脱点电压。第二级电路可包含自给偏压放大器。压。第二级电路可包含自给偏压放大器。压。第二级电路可包含自给偏压放大器。

【技术实现步骤摘要】
接收器电路以及数据接收器


[0001]本专利技术是关于用于集成电路中的高速低失真接收器,例如在使用于自外部源接收数据的输入缓冲器中。

技术介绍

[0002]集成电路通常经组态以接收高速数据信号,例如每秒超过十亿位元的双倍数据速率DDR信号。举例而言,高速接收器可连接至集成电路上的输入/输出接脚,其耦接至传输线以用于芯片之间数据的传送。
[0003]当数据速率越来越高,输入信号的脉冲宽度越来越小。脉冲宽度为一些数据信号的极重要特性,所述数据信号例如其中感测上升边缘及下降边缘两者的DDR信号。图1示出基本接收器电路。在图1的实例中,接收器11基本上经组态为比较器。接收器11接收具有例如400ps的脉冲宽度的输入脉冲,且比较输入脉冲与参考电压Vref。理想地,接收器11的输出将也具有400ps的脉冲宽度。然而,由于接收器中的失真,输出信号的脉冲宽度可能不同,例如在此实例中为300ps。另外,如由低输入电压VIL及高输入电压VIH所表示的脉冲幅值随着数据速率增大而变小,使得接收器的操作更加复杂。
[0004]需要提供适用于集成电路的在高速下可操作且具有低失真的接收器电路。
[0005]公开内容
[0006]本公开提供一种接收器电路,包含:第一级电路,具有第一级输入及第一级输出,第一级输出设定第一级共模电压;第二级电路,具有连接至第一级输出的第二级输入及设定第二级共模电压的第二级输出;以及缓冲电路,具有跳脱点电压,所述缓冲电路连接至第二级输出。第一级电路可包含电路元件,电路元件经组态以建立第一级共模电压,使得第二级共模电压匹配于跳脱点电压。
[0007]电路可在第一级输入处接收单端信号,且提供第一级输出作为差分信号对。
[0008]第一级电路可配置于第一功率域中,且第二级电路可配置于不同于第一功率域的第二功率域中。
[0009]第二级电路可包括自给偏压放大器。
[0010]描述一种接收器电路,包含第一差分晶体管对、参考电流电路、第二差分晶体管对以及缓冲电路。在此实例中,第一差分晶体管对具有经由第一匹配电阻器及第二匹配电阻器连接至第一漏极侧供应电压的漏极以及连接至电流源晶体管的源极。第一差分对中的第一晶体管具有连接至参考电压的栅极,且第一差分对中的第二晶体管具有连接至第一级输入的栅极。第一差分晶体管对的漏极提供差分信号对作为第一级输出。
[0011]在此实例中,参考电流电路包括串联于漏极侧供应电压与源极侧供应电压之间的参考电阻器。参考电流电路的第一晶体管具有连接至参考电压的栅极;且参考电流电路的第二晶体管具有栅极,所述栅极连接至参考电阻器与参考电流电路的第一晶体管之间的节点且连接至电流源晶体管的栅极,所述电流源晶体管连接至第一差分晶体管对。
[0012]在此实例中,第二差分晶体管对具有经由第一电流镜晶体管及第二电流镜晶体管
连接至第二漏极侧供应电压的漏极、连接至差分信号对中的各别者的栅极以及连接至第二电流源晶体管的源极。
[0013]在此实例中,缓冲电路连接至第二差分晶体管对中的第一者的漏极。
[0014]第二电流源晶体管可具有连接至第二差分晶体管对中的第二者的漏极的栅极。
[0015]电压调节器可用于产生第二漏极侧供应电压。
[0016]描述一种数据接收器,其包含第一放大器电路(第一级),所述第一放大器电路经组态以接收参考电压及第一级输入信号且基于参考电压及第一级输入信号输出控制电压。在此实例中,自给偏压放大器电路经组态以自第一放大器电路接收控制电压且提供自给偏压电压及输出信号,其中自给偏压电压连接至自给偏压放大器电路的电流镜。
[0017]在审阅接下来的图式、详细描述以及权利要求书之后可见本专利技术的其他情况及优势。
附图说明
[0018]图1绘示传统接收器中失真的示意图。
[0019]图2为传统接收器电路的实例的电路图。
[0020]图3绘示出与图2的电路相似的电路相对于工艺、电压以及温度PVT变化的脉冲宽度失真的工艺边界角图表。
[0021]图4为比较与图2的接收器电路相似的接收器电路的共模电压与反相器触发点的相对于PVT变化的工艺边界角图表。
[0022]图5A及图5B结合提供根据本专利技术技术的双级接收器的电路图。
[0023]图6A至图6C示出与图5A及图5B的电路的第二级的自给偏压放大器相似的自给偏压放大器的共模电压的模型。
[0024]图7A至图7D示出可用于如本文中所描述的接收器中的替代电阻器技术。
[0025]图8A及图8B结合提供使用差分对的p通道MOS晶体管的根据本专利技术技术的双级接收器的电路图。
[0026]图9为类似图5A结合图5B的接收器电路的共模电压与反相器触发点相对于PVT变化的工艺边界角图表。
[0027]图10为比较类似图5A结合图5B的电路的脉冲宽度失真与类似图2的电路的脉冲宽度失真相对于PVT变化的工艺边界角图表。
[0028]图11为可用于本文中所描述的接收器的一些实施例中的替代第二级电路的电路图。
[0029]图12为比较类似图5A结合图5B的电路、类似图5A结合图11的电路,以及类似图2的电路的脉冲宽度失真相对于PVT变化的工艺边界角图表。
[0030]附图标记说明
[0031]11:接收器
[0032]201:VSS节点
[0033]205:LDO电压调节器
[0034]207、209、530、630、631、800、801、830、901、902、930、931、OUT、OUTA、OUTB:节点
[0035]210、211、610、611、911、912:反相器
[0036]221、222、502、503、623、624:n通道MOS晶体管
[0037]223、224、621、622、822、823:p通道MOS晶体管
[0038]225:电流源晶体管
[0039]500、607:漏极侧供应节点
[0040]501、601:源极侧供应节点
[0041]504、625:n通道MOS电流源晶体管
[0042]510、511:n通道晶体管
[0043]512、513、531:电阻器
[0044]605、910:电压调节器
[0045]621/622:等效p通道晶体管
[0046]623/624/625:等效n通道晶体管
[0047]824、924:p通道MOS电流源晶体管
[0048]831、832、922、923:p通道晶体管
[0049]926、927:n通道MOS电流镜晶体管
[0050]BIAS:偏压电压
[0051]IN:输入节点
[0052]R1、R2:电阻
[0053]REF:参考电压
[0054]VCCQ:漏极侧供应电压
[0055]VCOM:共模电压
[0056]V本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种接收器电路,其特征在于,包括:第一级电路,具有第一级输入及第一级输出,所述第一级输出设定第一级共模电压;第二级电路,具有连接至所述第一级输出的第二级输入及设定第二级共模电压的第二级输出;以及缓冲电路,具有跳脱点电压,所述缓冲电路连接至所述第二级输出;其中所述第一级电路包含电路元件,所述电路元件经组态以设定所述第一级共模电压,使得所述第二级共模电压匹配于所述跳脱点电压。2.根据权利要求1所述的接收器电路,其特征在于,所述第一级输入接收单端信号,且所述第一级输出为差分信号对。3.根据权利要求1所述的接收器电路,其特征在于,所述第一级电路配置于第一功率域中,且所述第二级电路配置于不同于所述第一功率域的第二功率域中。4.根据权利要求1所述的接收器电路,其特征在于,所述第二级电路包括自给偏压放大器。5.根据权利要求1所述的接收器电路,其特征在于,所述缓冲电路包括具有所述跳脱点电压的反相器,其连接至所述第二级输出。6.根据权利要求1所述的接收器电路,其特征在于,所述第一级电路包含:差分晶体管对,具有经由第一匹配电阻器及第二匹配电阻器连接至漏极侧供应电压节点的漏极以及连接至电流源晶体管的源极,所述差分晶体管对中的第一晶体管具有连接至参考电压的栅极,且所述差分晶体管对中的第二晶体管具有连接至所述第一级输入的栅极;以及参考电流电路,包括串联于所述漏极侧供应电压节点与源极侧供应电压节点之间的参考电阻器,所述参考电流电路的第一晶体管具有连接至所述参考电压的栅极,所述参考电流电路的第二晶体管具有栅极,所述栅极连接至所述参考电阻器与所述参考电流电路的所述第一晶体管之间的节点且连接至所述电流源晶体管的栅极,其中:经组态以设定所述第一级共模电压的所述电路元件包含所述参考电阻器以及所述第一匹配电阻器及所述第二匹配电阻器。7.根据权利要求6所述的接收器电路,其特征在于,所述第二级电路包括自给偏压放大器。8.根据权利要求6所述的接收器电路,其特征在于,所述第一级输出为差分信号对,且所述第二级电路包括:第二差分晶体管对,具有漏极、栅极及源极,所述漏极经由第一电流镜晶体管及第二电流镜晶体管连接至第二漏极侧供应电压节点,所述栅极分别连接至所述第一级输出的所述差分信号对中的每一者,且所述源极连接至第二电流源晶体管。9.根据权利要求8所述的接收器电路,其特征在于,所述第二电流源晶体管具有栅极,所述栅极连接至所述第二差分晶体管对中的所述晶体管中的一者的所述漏极。10.根据权利要求8所述的接收器电路,其特征在于,包含用以设定所述第二漏极侧供应电压节点与第二源极侧供应电压节点之间的电压差的电压调节器。11.根据权利要求1所述的接收器电路,其特征在于,所述第一级输出为差分信号对,且所述第二级电路包括:
差分晶体管对,具有漏极、栅极及源极,所述漏极经由第一电流镜晶体管及第二电流镜晶体管连接至漏极侧供应电...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨尚辑池振圣
申请(专利权)人:旺宏电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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