用于响应于针对只写模式寄存器位的读取命令而提供装置状态的方法以及采用所述方法的存储器装置和系统制造方法及图纸

公开了存储器装置、存储器系统及其操作的方法，其中存储器装置响应于接收到针对模式寄存器的一或多个只写位的模式寄存器读取(MRR)命令而从所述存储器装置的存储器阵列的不同于所述只写模式寄存器的一或多个单元读取关于所述存储器装置的指示所述存储器装置的状态的数据。所述数据可包含装置设定、环境条件、使用统计数据、元数据、特征支持、特征实施方案、装置状态、温度等。可任选地启用或停用状态信息模式。所述存储器装置可包含DDR5DRAM存储器装置。器装置。器装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于响应于针对只写模式寄存器位的读取命令而提供装置状态的方法以及采用所述方法的存储器装置和系统
[0001]相关申请案的交叉引用
[0002]本申请要求2019年8月21日提交的第62/889,954号美国临时申请案的权益，所述美国临时申请案以全文引用的方式并入本文中。


[0003]本公开大体上涉及用于提供从只写模式寄存器位读取的状态的方法以及采用所述方法的存储器装置和系统。

技术介绍

[0004]存储器装置广泛地用于存储与如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器和类似物的各种电子装置相关的信息。通过编程存储器单元的不同状态来存储信息。存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(random access memory；RAM)、只读存储器(read only memory；ROM)、静态RAM(static RAM；SRAM)、动态RAM(dynamic RAM；DRAM)、同步动态RAM(synchronous dynamic RAM；SDRAM)等。存储器装置可以是易失性或非易失性的。改进存储器装置通常可包含增大存储器单元密度、提高读取/写入速度或以其它方式减少操作时延、提高可靠性、增加数据保持、降低功率消耗或降低制造成本等。
附图说明
[0005]图1是示意性地说明根据本专利技术技术的实施例的存储器装置的简化框图。
[0006]图2是示意性地说明根据本专利技术技术的实施例的存储器系统的简化框图。
[0007]图3是说明根据本专利技术技术的实施例的操作存储器装置的方法的流程图。
[0008]图4是说明根据本专利技术技术的实施例的操作存储器装置的方法的流程图。
具体实施方式
[0009]除了专用于系统和/或用户数据的存储的大存储器阵列之外，存储器装置还经常包含单独存储区域，例如用以存储装置状态信息(例如，装置设定、环境条件、使用统计数据、元数据、特征支持、特征实施方案、装置状态、温度等)的模式寄存器。虽然这些模式寄存器中的许多具备只读或读取/写入能力，但设计约束(如下文更详细阐述)有时会限制模式寄存器位中的一些的功能性，使得对其的读取操作是不可靠的、禁用的或以其它方式不可能的。处理只写位的一个方法是对所述位进行配置以使得针对这些位的模式寄存器写入(MRW)命令导致既定的写入操作，但使得针对这些位的模式寄存器读取(MRR)命令导致无数据传回(例如，针对这些位的内容传回零，无论其中存储的实际数据如何)。对针对这些只写位的MRR命令不提供响应(例如，传回零)导致总线带宽浪费，这在许多应用中会导致次优的存储器装置性能。
[0010]因此，本专利技术技术的若干实施例是针对存储器装置、包含存储器装置的系统以及
操作存储器装置的方法，其中存储器装置响应于针对只写模式寄存器位的模式寄存器读取命令而传回不存储于目标只写模式寄存器位中的装置状态信息(例如，装置设定、环境条件、使用统计数据、元数据、特征支持、特征实施方案、装置状态、温度等)。此布置享有若干益处，例如改进的总线利用率以及减少的获得指示存储器装置状态的数据(例如，装置状态信息)的时间。
[0011]图1是示意性地说明根据本专利技术技术的实施例的存储器装置100的框图。存储器装置100可包含存储器单元阵列，例如存储器阵列150。存储器阵列150可包含多个排组(例如图1的实例中的排组0到15)，且每一排组可包含多个字线(WL)、多个位线(BL)，和布置在字线与位线的交叉点处的多个存储器单元。字线WL的选择可由行解码器140执行，并且位线BL的选择可由列解码器145执行。可为对应的位线BL提供感测放大器(SAMP)，并将其连接到至少一个相应的本地I/O线对(LIOT/B)，所述本地I/O线对随后可通过传输门(TG)耦合到至少一个相应的主要I/O线对(MIOT/B)，所述传输门可充当开关。
[0012]存储器装置100可采用包含耦合到命令总线和地址总线的命令和地址端子的多个外部端子，以分别接收命令信号CMD和地址信号ADDR。存储器装置可以另外包含用于接收片选信号CS的片选端子、用于接收时钟信号CK和CKF的时钟端子、用于接收数据时钟信号WCK和WCKF的数据时钟端子、数据端子DQ、RDQS、DBI和DMI、电源端子VDD、VSS、VDDQ和VSSQ，以及裸片上终止端子ODT。
[0013]可从外部向命令端子和地址端子供应地址信号和排组地址信号。可通过命令/地址输入电路105将供应到地址端子的地址信号和排组地址信号传输到地址解码器110。地址解码器110可接收地址信号并将经解码行地址信号(XADD)供应到行解码器140，将经解码列地址信号(YADD)供应到列解码器145。地址解码器110还可接收排组地址信号(BADD)并将排组地址信号供应到行解码器140和列解码器145两者。
[0014]可以从存储器控制器向命令端子和地址端子供应命令信号CMD、地址信号ADDR和片选信号CS。命令信号可表示来自存储器控制器的各种存储器命令(例如，包含存取命令，所述存取命令可包含读取命令和写入命令)。选择信号CS可用于选择存储器装置100以对提供到命令和地址端子的命令和地址作出响应。当将有效CS信号提供到存储器装置100时，可对命令和地址进行解码，且可执行存储器操作。可通过命令/地址输入电路105将命令信号CMD作为内部命令信号ICMD提供到命令解码器115。命令解码器115可包含用于对内部命令信号ICMD进行解码以产生用于执行存储器操作的各种内部信号和命令的电路，举例来说，用于选择字线的行命令信号和用于选择位线的列命令信号。内部命令信号还可包含输出和输入激活命令，如计时命令CMDCK。
[0015]当发布读取命令且及时随读取命令一起供应行地址和列地址时，可从存储器阵列150中的由这些行地址和列地址标示的存储器单元读取读取数据。可由命令解码器115接收读取命令，所述命令解码器115可将内部命令提供到输入/输出电路160，使得可根据RDQS时钟信号经由读取/写入放大器155和输入/输出电路160从数据端子DQ、RDQS、DBI和DMI输出读取数据。可在由可编程于存储器装置100中例如编程于模式寄存器(图1中未示出)中的读取时延信息RL定义的时间处提供读取数据。可在CK时钟信号的时钟循环方面限定读取时延信息RL。例如，读取时延信息RL可以是当提供相关联读取数据时在读取命令被存储器装置100接收之后的CK信号的时钟循环的数目。
[0016]当发布写入命令且及时随所述命令一起供应行地址和列地址时，可根据WCK和WCKF时钟信号将写入数据供应到数据端子DQ、DBI和DMI。写入命令可由命令解码器115接收，所述命令解码器115可向输入/输出电路160提供内部命令，以使得写入数据可由输入/输出电路160中的数据接收器接收，并通过输入/输出电路160和读取/写入放大器155被供应到存储器阵列150。可在通过行地址和列地址指定的存储器单元中写入写入数据。可在由写入时延WL信息限定的时间向数据端子提供写入数据。写入时延W本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法，其包括：在存储器装置处接收从只写模式寄存器读取数据的命令；以及响应于所述命令，从所述存储器装置的存储器阵列的不同于所述只写模式寄存器的一或多个单元读取指示所述存储器装置的状态的数据。2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括确定所述存储器装置的状态信息模式被启用，且其中读取所述数据是至少部分地基于所述确定。3.根据权利要求2所述的方法，其中确定所述存储器装置的所述状态信息模式被启用包含读取存储于所述存储器装置的另一模式寄存器中的设定。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述指示所述存储器装置的所述状态的数据包括装置设定、环境条件、使用统计数据、元数据、特征支持、特征实施方案、装置状态、温度，或其组合。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述命令是模式寄存器读取MRR命令。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器装置是动态随机存取存储器DRAM装置。7.一种方法，其包括：发送从存储器装置的只写模式寄存器读取数据的命令；以及响应于所述命令，接收指示所述存储器装置的状态的数据，其中所述数据存储于所述存储器装置的阵列的不同于所述只写模式寄存器的一或多个单元中。8.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括启用所述存储器装置的状态信息模式，且其中接收所述数据是至少部分地基于所述启用。9.根据权利要求8所述的方法，其中启用所述存储器装置的所述状态信息模式包含将设定写入到所述存储器装置的另一模式寄存器。10.根据权利要求7所述的方法，其中所述指示所述存储器装置的所述状态的数据包括装置设定、环境条件、使用统计数据、元数据、特征支持、特征实施方案、装置状态、温度，或其组合。11.根据权利要求7所述的方法，其中所述命令是模式寄存器读取(MRR)命令。12.根据权利要求7所述的方法，其中所述存储器装置是动态随机存取存储器(DRAM)装置。13.一种存储器装置，其包括：存储器阵列；模式寄存器，其包含至少一个只写模式寄存器位；以及电路系统，其经配置以响应于从所述至少一个只写模式寄存器位读取数据的命令而从所述存储器阵列的不同于所述只写模式寄存器的一或多个单元读取指示所述存储器装置的状态的数据。14.根据权利要求13所述的存储器装置，其中所述电路系统进一步经配置以确定所述存储器装置的状态信息模式被启用，且其中读取所述数据是至少部分地基于所述确定。15.根据权利要求14所述的存储器装置，其中所述电路系统经配置以通过读...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：