本公开有关于一种垂直存储结构，存储装置实现于垂直存储结构中，包含交替的绝缘材料层与字线材料层的叠层，具有设置为通过叠层的包含交替的导电柱与绝缘柱的柱体组。数据存储结构设置于绝缘柱与字线材料层的交叉点上的字线材料层的内表面上。半导体通道材...

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。其中，该半导体结构包括通道元件。通道元件包括衬底部分以及垂直通道部分。垂直通道部分邻接在衬底部分上。衬底部分与垂直通道部分皆包括单晶硅。包括单晶硅。包括单晶硅。

本公开提供一种包含用于管理存储器系统中的纠错编码的计算机可读介质的方法、装置、系统以及设备。在一个实施例中，一种存储器系统包含：系统控制器，被配置为主机装置通信；以及存储器装置，耦接至系统控制器。存储器装置包含：至少一个存储器；以及存储...

本发明公开了一种半导体结构。其中，该半导体结构包含下硅化物元件、上硅化物元件以及垂直硅通道结构。垂直硅通道结构连接于下硅化物元件与上硅化物元件之间，其中垂直硅通道结构包含类单晶硅。构包含类单晶硅。构包含类单晶硅。

本公开提供一种互补信号产生电路。互补信号产生电路包括一第一反相器串及一第二反相器串。第一反相器串包括两个串联的反相器，以依据一输入信号产生一同相位信号。第二反相器串包括三个串联的反相器，以依据输入信号产生一反相位信号。一补偿电容电路连接...

本公开提供一种集成电路，包含存储器及具有温度传感器的周边电路，温度传感器用于自动地调整操作电压。温度传感器包含用于产生取决于集成电路的操作温度的温度相依电压(TDV)的第一电路，及用于基于或大于程序码而产生多个温度参考电压的第二电路。一...

本发明公开了一种半导体结构。其中，半导体结构包含阶梯结构，阶梯结构包含第一阶梯层与在第一阶梯层上的第二阶梯层。第一阶梯层包含第一导电膜。半导体结构包含设置于第一导电膜上的着陆接垫。着陆接垫具有面朝第二阶梯层的第一接垫侧壁，介于第一接垫侧...

本发明公开了一种存储器装置及其制造方法、操作方法。其中，该存储器装置包括叠层以及存储器串列。存储器串列分别沿着第一方向穿过叠层，包括相邻的第一存储器串列及第二存储器串列。第一存储器串列及第二存储器串列包括导电柱、通道结构以及存储器结构。...

本发明公开了一种存储器装置及其操作方法。存储器装置包括：一存储器阵列，具有多个存储器单元；多个位线，耦接至该存储器阵列；多个字线，耦接至该存储器阵列；以及多个电导可控单元，耦接至该存储器阵列，其中，这些存储器单元的一存储器单元群组与这些...

本发明公开了一种存储器元件及其制作方法，存储器元件包括基板、叠层、通道层以及存储层。基板具有一上表面。叠层设置于基板上，其中叠层包括沿着一第一方向依序堆叠于基板的上表面上的一第一绝缘层、一第一导电层、一第二绝缘层、一第二导电层及一第三绝...

本发明公开了一种闪存及其写入方法。闪存包括多个存储区块以及多个多任务电路。存储区块区分为多个存储库。各多任务电路用以传送多个擦除电压或多个编程电压以使对应的各存储库执行擦除动作或编程动作。依据擦除时编程指令，当存储库的其中之一执行擦除动...

本公开提供一种存储器及其运行方法。根据一电子装置的电源开启，一电子装置的一与非门快闪存储器的第一数据的位置被确定。第一数据被传送至电子装置的一影子随机存取存储器(shadow RAM)，并且，当存取与非门快闪存储器的第一数据的位置时，所...

本发明公开了一种存储器装置的操作方法。该操作方法包括：在一预导通期间，一冗余字线电压上升至一第一冗余字线电压；在一读取期间，该冗余字线电压从该第一冗余字线电压上升至一第二冗余字线电压；以及在该读取期间结束时，降低该冗余字线电压；其中，该...

本发明公开了一种耳机驱动器，用于驱动耳机装置。耳机装置有固定位置的四个端点。耳机驱动器包括第一差分驱动器，有第一正输出端，第一负输出端及第二负输出端，该第一正输出端接到该第一端点。第一开关单元设置在该第一负输出端及该第二负输出端的反馈路...

本发明公开了一种静电放电保护电路结构，其包括：衬底；第一阱区，具有第一导电型，设置在衬底中；第二阱区，具有第二导电型，设置在第一阱区中；第一环区，具有第一导电型，设置在第一阱区，并且与接地端耦接；多个第一导电型掺杂区，设置在第二阱区中，...

本发明公开了一种数据识别装置及识别方法。其中，数据识别装置包括数据扩增器、特征撷取器以及比较器。数据扩增器接收多个目标信息，并针对各目标信息进行扩增动作，以产生多个扩增目标信息。特征撷取器接收被查询信息以及扩增目标信息，用以撷取扩增目标...

本公开有关于一种弯曲通道三维垂直存储器结构及其制造方法，该垂直存储器结构包括一叠层的交替的多个绝缘材料层和多个字线材料层，具有穿过交替的多个层的垂直开口。多个绝缘材料层和多个字线材料层之一具有面向开口的多个凹入内表面。第一导电柱和第二导...

本发明公开了一种存储器装置及其控制方法。其中，该存储器装置包括存储单元阵列、电流侦测器以及控制器。存储单元阵列具有多个存储单元串耦接至共享源极线。电流侦测器在读取动作时侦测共享源极线或存储单元阵列的页缓冲器的电源端上的流通电流。控制器用...

本发明公开了一种存储器晶粒、存储器及感测存储器晶粒内部温度状态的方法。其中，该存储器晶粒具有温度感测功能，具体包括：至少一温度监控接脚，用以输出存储器晶粒内部的温度状态；温度传感器，设置在存储器晶粒内，用以感测存储器晶粒内部的工作温度；...

本发明公开了一种半导体电路及其制造方法。半导体电路包括一静电放电防护电路。静电放电防护电路包括N型区、P型阱、第一P型元件与第一N型元件。P型阱在N型区中。第一P型元件在N型区中。N型区连续连接在P型阱与第一P型元件之间。第一N型元件在...