本发明公开了一种用于存储装置的编程方法，存储装置包含多个存储单元、位线与多条字线。当存储装置处于在一编程操作中，存储单元包含选择存储单元与多个未选择存储单元。编程方法包含进行多个预充电步骤、进行多个编程步骤、以及在预充电步骤和编程步骤后...

本发明公开了一种闪存的控制方法、闪存晶粒以及闪存。其中，闪存具有连接多个闪存晶粒的外部数据总线。闪存的控制方法包括：在设定阶段，于命令输入的操作模式下，由主控器送出设定命令，将各闪存晶粒的数据总线的各端口分别映射到各闪存晶粒的状态指标；...

本发明公开了一种存储器装置以及其读取方法。存储器的读取方法包括：读取存储单元阵列，用以获得页数据；区分页数据为多个块数据；依序针对各块数据执行第一错误纠正动作以分别产生多个纠正后块数据；针对页数据执行第二错误纠正动作以产生纠正后页数据；...

本发明公开了一种存储器装置，包括一叠层结构及至少一个第一元件结构。叠层结构在一存储器阵列区与一阶梯状接触区中，并包括排列在一纵方向上的多个第一导电层与一第二导电层。存储器阵列区与阶梯状接触区排列在一第一横方向上。至少一个第一元件结构沿纵...

本发明公开了一种三维存储器元件及其制造方法，三维存储器元件包括多个块元，且各块元包括多个区块，而各区块包括栅极堆叠结构、导体层、多个第一环状通道柱、多个源极/漏极柱以及多个电荷储存结构。栅极堆叠结构设置于基底上且包括彼此电性绝缘的多个栅...

本发明公开了一种闪存系统及其闪存装置。闪存装置包括与非门闪存以及控制电路。与非门闪存包括高速缓存、页面缓冲器以及与非门闪存阵列。与非门闪存阵列包括多个页面，其中各页面包括多个子页面，各子页面具有子页面长度。页面缓冲器由多个子页面缓冲区组...

本发明公开了一种存储元件及其制造方法，其中，该存储元件包括：衬底、叠层结构、多个接垫以及保护层。衬底具有阵列区与阶梯区。叠层结构配置在衬底上。叠层结构包括交替叠层的多个介电层与多个导体层。接垫配置在阶梯区的衬底上。接垫分别连接导体层，以...

本发明公开了一种三维存储器元件及三维存储器元件的制造方法。此方法包含提供前驱结构，此前驱结构包含衬底、多层叠层、多个垂直通道柱及阻隔结构。第一狭缝及第二狭缝沿着第一方向形成于多层叠层及衬底中，其中第一狭缝及第二狭缝之间具有间距，且第二狭...

本发明公开了一种半导体装置，其中包括一叠层以及多个存储器串列。叠层形成于一衬底上，叠层包括交替叠层的多个导电层及多个绝缘层。存储器串列沿着一第一方向穿过叠层，各个存储器串列包括第一导电柱及第二导电柱、一通道层以及一存储器结构。第一导电柱...

一种存储器元件，包括：基底、叠层结构以及接触窗。基底包括存储器阵列区与阶梯区。叠层结构位于存储器阵列区与阶梯区的所述基底上。所述叠层结构包括彼此交互堆叠的多个导体层与多个绝缘层。每一所述多个导体层包括：主体部，位于所述存储器阵列区并延伸...

本公开提供一种非易失存储器及操作方法，具有多个区块的存储器与具有用于执行读取设置操作的逻辑的控制电路耦接，读取设置操作包括将读取设置偏压同时施加至多个区块中的被选择区块的多个存储单元。涵盖多个区块中的多个区块的逻辑可将读取设置操作施加至...

本发明公开了一种存储元件及其制造方法，该存储元件包括：衬底、叠层结构、多晶硅层、垂直通道结构以及电荷存储结构。叠层结构配置在衬底上。叠层结构包括交替叠层的多个介电层与多个导体层。多晶硅层配置在衬底与叠层结构之间。垂直通道结构贯穿叠层结构...

本发明公开了一种存储器装置，包括：存储器单元阵列；物理不可复制函数电路，设置于存储器装置中，物理不可复制函数电路用以生成物理不可复制函数码；数据路径，将第一电路连接至第二电路，数据路径设置于存储器装置中耦接至存储器单元阵列；以及逻辑电路...

本发明公开了一种存储器装置及其数据保持方法、存储器控制器，其中该存储器控制器，用以存取存储器装置中的存储存储器阵列的位于存储器区块中的存储器分页。存储器控制器读取存储于所存取存储器分页中的存储器数据。存储器控制器判定相关于存储器数据的错...

本发明公开了一种存储器装置及其制造方法，其中存储器装置包括衬底、第一及第二介电结构、通道结构、源极结构及漏极结构。第一及第二介电结构设置于衬底上，且第一介电结构及第二介电结构沿第一方向彼此间隔开来。通道结构连接第一介电结构与第二介电结构...

本发明公开了一种闪存，包括：栅极叠层结构、通道柱、第一导体柱以及第二导体柱以与栅介电层。栅极叠层结构包括彼此电性绝缘的多层栅极层。每一层栅极层包括：第一栅极部、第二栅极部与铁电部。所述第二栅极部的厚度小于所述第一栅极部的厚度。铁电部设置...

本发明公开了一种存储器元件，包括：衬底、位于所述衬底上的叠层结构、接触窗以及支撑柱。所述叠层结构包括彼此交互叠层的多个导体层与多个绝缘层。接触窗与所述叠层结构的所述多个导体层之一连接。支撑柱贯穿所述叠层结构，设置在所述接触窗的周围。所述...

本发明公开了一种电路板与其制造方法，其中，该制造电路板的方法包含形成导体层于衬底的表面上，图案化导体层以定义多个电镀区块以及多个电镀线，其中电镀区块包含至少两种尺寸，电镀区块中的第一组由电镀线中的第一电镀线连接，电镀区块中的第二组由电镀...

一种三态内容可寻址存储器及其存储单元被提出。三态内容可寻址存储单元包括第一晶体管以及第二晶体管。第一晶体管具有栅极端接收选择信号，第一晶体管的第一端耦接至匹配线，第一晶体管的第二端耦接至源极线。第二晶体管具有栅极端接收反向选择信号，第二...

本发明公开了一种存储器装置的操作方法包括：准备编程一目标字线；判断一相邻字线的至少一存储器单元是否要被编程至一第一目标状态；以及根据该相邻字线的该至少一存储器单元是否要被编程至该第一目标状态，决定先编程该相邻字线或先编程该目标字线。该相...