存储器元件及其制造方法技术

一种存储器元件，包括：基底、叠层结构以及接触窗。基底包括存储器阵列区与阶梯区。叠层结构位于存储器阵列区与阶梯区的所述基底上。所述叠层结构包括彼此交互堆叠的多个导体层与多个绝缘层。每一所述多个导体层包括：主体部，位于所述存储器阵列区并延伸至所述阶梯区；以及末端部，与所述主体部连接，位于所述阶梯区中。所述末端部的厚度大于所述主体部的厚度。接触窗着陆于所述末端部并与所述末端部连接。接。接。

【技术实现步骤摘要】
存储器元件及其制造方法


[0001]本专利技术属于半导体和存储
，涉及一种存储器元件及其制造方法。

技术介绍

[0002]非易失性存储器元件(如，闪存存储器)由于具有使存入的数据在断电后也不会消失的优点，因此成为个人电脑和其他电子设备所广泛采用的一种存储器元件。
[0003]目前业界较常使用的闪存存储器阵列包括或非门(NOR)闪存存储器与与非门(NAND)闪存存储器。由于NAND闪存存储器的结构是使各存储单元串接在一起，其集成度与面积利用率较NOR闪存存储器更优，已经广泛地应用在多种电子产品中。此外，为了进一步地提升存储器元件的集成度，发展出一种三维NAND闪存存储器。然而，仍存在许多与三维NAND闪存存储器相关的挑战。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种存储器元件，包括：基底、叠层结构、介电层以及第一接触窗。基底包括存储器阵列区与阶梯区。叠层结构位于存储器阵列区与阶梯区的所述基底上，其中所述叠层结构包括彼此交互堆叠的多个导体层与多个绝缘层。每一所述多个导体层包括：主体部，位于所述存储器阵列区并延伸至所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器元件，其特征在于，包括：基底，包括存储器阵列区与阶梯区；叠层结构，位于所述存储器阵列区与所述阶梯区的所述基底上，其中所述叠层结构包括彼此交互堆叠的多个导体层与多个绝缘层，且每一所述多个导体层包括：主体部，位于所述存储器阵列区并延伸至所述阶梯区；以及末端部，与所述主体部连接，位于所述阶梯区中，其中所述末端部的厚度大于所述主体部的厚度；介电层，位于所述存储器阵列区与所述阶梯区的所述叠层结构上；以及第一接触窗，贯穿在所述阶梯区的所述介电层以及位于所述末端部上方的对应的绝缘层，且着陆于所述末端部并与所述末端部连接。2.根据权利要求1所述的存储器元件，其特征在于，还包括：支撑柱，设置在所述第一接触窗旁，从位于所述末端部上方的所述对应的绝缘层，贯穿所述末端部，并延伸至所述叠层结构的最底层的绝缘层。3.根据权利要求1所述的存储器元件，其特征在于，还包括：第二接触窗，设置在所述第一接触窗旁，贯穿在所述阶梯区的所述介电层以及位于所述末端部上方的所述对应的绝缘层，且着陆于所述末端部并与所述末端部连接；以及支撑墙，从所述存储器阵列区延伸至所述阶梯区，设置在所述第一接触窗与所述第二接触窗之间且贯穿所述叠层结构。4.根据权利要求1所述的存储器元件，其特征在于，还包括：第二接触窗，设置在所述第一接触窗旁，贯穿在所述阶梯区的所述介电层，着陆于所述末端部并与所述末端部连接；以及支撑柱，设置在所述第一接触窗与所述第二接触窗之间且贯穿位于所述末端部上方的所述对应的绝缘层以及所述末端部至所述叠层结构的最底层的绝缘层。5.一种存储器元件的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括存储器阵列区与阶梯区；在所述存储器阵列区与所述阶梯区的所述基底上形成叠层结构，其中所述叠层结构包括彼此交互堆叠的多个第一材料层与多个第二材料层；图案化所述叠层结构，以在所述阶梯区的...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪敏峰，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：