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旺宏电子股份有限公司专利技术
旺宏电子股份有限公司共有3210项专利
存储器制造技术
本公开提供一种存储器装置,存储器装置包含3D数据存储器及3D参考存储器。参考存储器用于产生用于感测数据存储器中的数据的参考信号。转换电路将来自参考存储器中的存储器单元的群组的信号转换成参考信号。参考信号施加至感测放大器以感测储存于数据存...
存储器装置及维持其数据镜像完整性的方法制造方法及图纸
本发明提供一种维持数据镜像的完整性的方法,其提供了保持所存储的数据镜像的完整性的能力,该方法通过计算数据镜像的散列值(“摘要”),并通过比较针对数据镜像所计算的散列值与保存于存储器的非易失性区域的散列值。存储器硬件错误所导致的数据镜像中...
存储器元件及快闪存储器元件制造技术
本公开提供一种存储器元件包括:阶梯结构,包括彼此交替堆叠的多个栅极层与多个绝缘层,且所述阶梯结构包括彼此交替配置的多个第一区块与多个第二区块;多个第一插塞,设置在所述多个第一区块中,其中在同一第一区块中的多个第一插塞彼此交错;多个第二插...
存储器元件及其制造方法技术
本公开提供了一种存储器元件,包括:第一叠层结构,包括第一绝缘层以及位于所述第一绝缘层上的第一导电层;第二叠层结构,位于所述第一叠层结构上,所述第二叠层结构包括相互交替的多个第二导电层与多个第二绝缘层;通道柱,穿过所述第二叠层结构,并且延...
存储器装置及其略过不良区块的操作方法制造方法及图纸
本发明提供一种存储器装置及其略过不良区块的操作方法,在包含NAND闪存的存储器装置中的连续读取或在依序读取操作中自动略过不良区块。通过在一次一个地寻址区块期间分析区块完整性,或通过经存储的不良区块信息略过不良区块集合中的连续不良区块集合...
模拟内容可寻址存储器及其操作方法技术
本公开提供了一种模拟内容可寻址存储器(模拟CAM)及其操作方法。模拟内容可寻址存储器包括一匹配线、一模拟CAM存储单元及一感测电路。各个模拟CAM存储单元包括具有一N型沟道的一第一浮动栅极装置及具有一P型沟道的一第二浮动栅极装置。第一浮...
存储器装置及其操作方法制造方法及图纸
本公开提供了一种存储器装置与其操作方法。存储器装置包括:一存储器阵列;一译码电路,耦接至该存储器阵列,该译码电路包括多个第一晶体管、多个第二晶体管,与多个反相器,所述多个第一晶体管与所述多个第二晶体管为成对;以及一控制器,耦接至该译码电...
存储器装置及其操作方法制造方法及图纸
本发明公开了一种存储器装置及其操作方法。存储器装置包括:一存储器阵列,包括多个存储器单元;一第一区域信号线译码器,耦接至该存储器阵列;一第二区域信号线译码器,耦接至该存储器阵列;以及一控制器,耦接且控制该存储器阵列、该第一区域信号线译码...
内容可寻址存储器及其操作方法技术
本发明公开了本发明一种内容可寻址存储器与其操作方法。内容可寻址存储器包括:多条第一信号线;多条第二信号线;以及多个CAM存储单元,耦接于这些第一信号线与这些第二信号线;其中,于进行匹配时,多个输入信号沿着这些第一信号线输入至这些CAM存...
用于生成识别码的储存装置及识别码生成方法制造方法及图纸
本公开提供一种用于生成识别码的储存装置及识别码生成方法,其中,储存装置包括第一储存电路、第二储存电路以及读取电路。第一储存电路储存多个第一数据,第一数据具有多个位。第二储存电路储存多个第二数据,第二数据具有多个位。读取电路从该第二储存电...
半导体装置及其形成方法制造方法及图纸
本公开提供一种半导体装置及其形成方法,该半导体装置包含三维存储器阵列与配置以将三维存储器阵列分为多个部分的多条共同源极线。多个部分中的每一部分是介于两条相邻的共同源极线之间且包含多个导电层和多个垂直通道,多个绝缘层使多个导电层彼此分离,...
信息传输系统及其运作方法技术方案
本发明公开了一种信息传输系统及其运作方法。信息传输系统包括一主机、一第一装置及一第二装置。主机用以一设定一传输信号的一电压基准,并基于电压基准拉低或拉升传输信号,以形成数个尖波于传输信号上。第一装置连接于主机,以接收传输信号。若传输信号...
存储器装置以及形成存储器装置的方法制造方法及图纸
本公开提供一种存储器装置以及形成存储器装置的方法。在一个方面中,半导体装置包含半导体基板、配置于半导体基板上的一或多个放电电路、导电耦接至一或多个放电电路的一或多个共同源极线(CSL)层以及具有配置于一或多个CSL层上的多个垂直通道中的...
存储器、读取设置突发操作的执行方法及存储器操作方法技术
一种存储器,包括一存储单元阵列以及多个控制电路。该存储单元阵列包含多个区块。多个控制电路包含逻辑,以执行下列操作:解码一读取设置突发命令,以识别一读取设置区块集合中的一第一读取设置区块的一地址和作为读取设置操作的候选的读取设置区块的一数...
存储器单元及其操作方法、存储器阵列技术
本发明公开了一种存储器单元、存储器阵列及存储器单元的操作方法。其中,该存储器单元包括:至少一P型驱动元件,具有第一端、第二端与控制端,其中所述第一端耦接至电源,所述控制端耦接至字线;以及存储单元,具有第一端与第二端,其中所述存储单元的所...
存储器装置及其操作方法制造方法及图纸
本发明提供一种存储器装置与其操作方法。存储器装置包括:多个页缓冲器,暂存一输入数据;多个存储平面,耦接至这些页缓冲器,多个权重存储于这些存储平面,根据所接收的这些存储平面的多个地址,这些存储平面对这些权重与这些页缓冲器的该输入数据平行进...
非易失性存储器装置及操作非易失性存储器的方法制造方法及图纸
本发明提供一种具有多个区块的存储器及其操作方法。所述存储器与具有用于执行无电流读取设置操作的逻辑的控制电路耦接,读取设置操作包括在阻止电流时将读取设置偏压同时施加至多个区块中的被选定区块的多个存储单元。用于通过多个区块中的区块的逻辑可将...
电感结构及其制造方法技术
本发明公开了一种电感结构及其制造方法。其中,该电感结构包括多个导电层与多个导电元件。导电层重叠在垂直方向上。导电元件各耦接在导电层其中二个导电层之间。在导电层其中二个导电层之间。在导电层其中二个导电层之间。
对存储器装置执行操作的方法制造方法及图纸
本发明公开了一种对存储器装置执行操作的方法。对存储器装置执行操作的方法包括以下步骤。对存储器装置的一条已选择字线执行一擦除程序(erasing operation),以使欲编程的多个第一存储单元及欲擦除的多个第二存储单元的阈值电压低于一...
使用多阶存储单元的存储装置及数据存取方法制造方法及图纸
本公开提供一种存储装置及数据存取方法,其中存储装置包括存储器电路及控制电路。存储器电路包括多个多阶存储单元,各多阶存储单元用以于至少一第一页面、一第二页面、及一第三页面中存储至少一第一位、一第二位、及一第三位。控制电路用于根据相关于第一...
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