本发明公开一种存储器装置，包括存储器阵列，用于存储多个向量数据。各向量数据具有高有效位元(MSB)向量与低有效位元(LSB)向量。存储器阵列包括多个存储单元，各存储单元具有第一位元及第二位元。第一位元用于存储各向量数据的MSB向量，第二...

本发明提供一种三维AND快闪存储器元件，包括：栅极堆叠结构与分隔墙。所述分隔墙沿着第一方向延伸，将所述栅极堆叠结构分成多个子区块。每一子区块包括：多个列。每一列包括：多个通道柱、多个电荷存储结构与多对导体柱。所述多对导体柱设置于所述多个...

本发明提供一种三维AND快闪存储器元件，包括：堆叠结构、通道柱、第一导体柱和第二导体柱以及电荷存储结构。堆叠结构位于介电基底上，其中所述堆叠结构包括彼此交替堆叠的多个栅极层与多个绝缘层。通道柱，延伸穿过所述堆叠结构。第一导体柱和第二导体...

本公开提供一种存储器装置的错误检测方法。其中存储器装置包括多个存储器区块，各存储器区块具有多条字线连接于多个存储单元，错误检测方法包括以下步骤。对于各字线连接的存储单元执行多次编程操作，以将存储单元编程为多个编程电平状态。对于存储单元执...

本发明提供一种三态内容可定址存储器及其操作方法。操作方法包括：通过一TCAM装置的一第一驱动电路施加一选择电压于多条第一信号线其中之一，并施加一通过电压于其余的这些第一信号线，其中该TCAM装置包括一存储器内搜索(IMS)阵列，该存储器...

本公开提供一种电位转换电路，用以将具有输入电压范围V1的第一信号转换为具有输出电压范围V2的电位转换输出，电位转换电路包括：NMOS耗尽型晶体管(depletionmodetransistor)，具有连接至输出范围高电位供应节点(out...

本发明提供一种固态硬盘、数据传输方法及其中介控制器。固态硬盘包括至少两个快闪存储器、一SSD控制器及一SSD控制器。中介控制器连接于快闪存储器及SSD控制器。中介控制器包括至少两个快闪接口、一定制接口及一数据暂存单元。快闪接口连接于快闪...

本发明公开一种采用三态内容寻址存储器的图神经网络的训练方法及应用其的存储器装置。三态内容寻址存储器的图神经网络的训练方法包括以下步骤。从一数据集抽取数据。根据数据集的数据，对图神经网络进行训练。对图神经网络进行训练的步骤包括一特征采集阶...

本发明提供一种具有电脑可读取介质(computer

本公开提供一种存储器装置与其操作方法，存储器装置包括P型阱区、公共源极线、接地选择线、至少一虚置接地选择线、多条字线、至少一虚置串列选择线、串列选择线、至少一位线以及至少一存储器串。字线设置于虚置接地选择线与虚置串列选择线之间，存储器串...

本公开提供一种半导体装置，包括周边区块、基材、以及阵列区块。周边区块包括互补式金属氧化物半导体元件。基材设置在周边区块上，基材包括设置在周边区块上的N型掺杂多晶硅层、设置在N型掺杂多晶硅层上的氧化物层，以及设置在氧化物层上的导体层。阵列...

本公开提供存储器装置与其操作方法。存储器装置的操作方法包括：对一输入数据进行编码，将一编码后输入数据传送至至少一页缓冲器内，以及从该至少一页缓冲器平行读出该编码后输入数据；对一权重数据的一第一部分与一第二部分分别编码为该权重数据的一编码...

本公开涉及一种集成电路包括至少一个第一存储器区块、至少一个第二存储器区块以及焊垫配置区。第一存储器区块以及第二存储器区块分别设置在集成电路的两侧，其中第一存储器区块以及第二存储器区块的每一个包括具有三维架构的存储单元阵列。第一存储器区块...

本发明提供一种静电放电保护装置及其操作方法。静电放电保护装置包括：基板、设置于基板中且具有第一导电类型的第一阱区、设置于第一阱区中且具有第二导电类型的第二阱区、设置于第二阱区中且具有第一导电类型的第一掺杂区、设置于第二阱区中且具有第一导...

本公开提供一种存储器装置及其操作方法。操作方法包括：编程用于代表一有限状态机的多个字符串对的多个第一字符串至一存储器装置的一存储器内搜索阵列；编程这些字符串对的多个第二字符串至该存储器装置的一工作存储器的多个存储器地址；以及编程用于代表...

本发明提供一种三维快闪存储器模块芯片，包括：存储芯片与控制芯片。所述存储芯片包括：多个块，每一块包括多个三维快闪存储器结构；以及多个加热器，设置在所述每一块的所述多个三维快闪存储器结构周围。控制芯片与所述存储芯片接合，用以驱动所述多个加...

本发明公开了一种晶闸管(thyristor)，包括第一晶体管以及第二晶体管。第一晶体管具有第一端以作为阳极端。第二晶体管具有控制端以耦接至第一晶体管的第二端。第二晶体管的第一端耦接至第一晶体管的控制端。第二晶体管的第二端耦接至第二晶体管...

本公开提供了一种存储器元件包括：基底、位于所述基底上的内连线结构、位于所述内连线结构上的导体层、位于所述导体层上停止层、位于所述停止层上的栅极叠层结构。所述栅极叠层结构包括相互交替的多个绝缘层以及多个栅极导体层。所述栅极叠层结构的最底层...

本发明提供的是一种半导体结构。该半导体结构包括一基板和一底部介电层，底部介电层连续地设置在基板上。该半导体结构还包括多个堆叠，设置在底部介电层上。堆叠的每一者包括交替设置的多个栅极结构和多个半导体层。该半导体结构还包括多个源极/漏极结构...

本公开提供一种存储器装置及其运算方法，其中运算方法包括以下步骤。经由存储器阵列的多条第一字线分别接收模型运算的多个输入值。经由多条第二字线分别接收这些输入值的反向逻辑值。经由多条第一位线分别接收这些输入值。经由多条第二位线分别接收这些反...