本公开提供一种存储器元件及其制造方法。该存储器元件包括：介电基底、导体层、栅极叠层结构、多个环形分隔墙以及多个内分隔墙。导体层位于所述介电基底上。栅极叠层结构位于第一部分的所述导体层上。介电层，位于所述栅极叠层结构以及第二部分的所述导体...

本发明提供半导体结构及其制造方法。半导体结构包含具有侧壁的导电柱、以及设置于导电柱的侧壁的多层隔离结构。多层隔离结构包含第一隔离层与第二隔离层，第一隔离层介于导电柱与第二隔离层之间，第一隔离层包含朝向第二隔离层延伸的多个凸部。第一隔离层...

本公开提供一种存储器元件，包括：存储器阵列以及至少一第一垂直晶体管位于介电基底上。所述至少一第一垂直晶体管设置在所述阶梯区的所述介电基底上方，包括：第一环绕式栅极层、通道柱、栅介电层、第一源极与漏极区以及第二源极与漏极区。所述第一环绕式...

本公开提供用于管理半导体装置的安全写入的系统、装置、方法及电路。在一方面中，该半导体装置包括：一存储器阵列及一逻辑电路，逻辑电路耦接于存储器阵列。逻辑电路用于响应于接收加密信息，在存储器阵列中执行一安全写入操作。加密信息包括将写入的数据...

本公开提供了一种存储器装置及存储器芯片的存储器阵列信息的读取方法，该存储器装置包括：命令译码器，实施安全逻辑以侦测命令序列从而读取具有连续加密数据的存储器阵列的安全区，且输出/输入用于数据的特定上下文。特定上下文的输出/输入可在虚拟周期...

本公开提供了一种三维快闪存储器元件，包括：基底、多个第一存储器阵列、多个第一位线、第一共同源极板以及第一阵列穿孔接触窗。多个第一存储器阵列位于所述基底的第一平面区中。多个第一位线，位于所述多个第一存储器阵列与所述基底之间，且与所述多个第...

本发明提供一种利用具有最小可寻址单元的寻址方式来进行寻址的存储器，其利用基于最小可寻址单元(例如，位元组(byte))的寻址方式，并具有2的幂次方(power)大小(例如，8)，该数据路径用以利用具有N位元(例如，12)的传输存储单元(...

本公开提供了一种存储装置及其操作方法，该存储装置包括多个电阻式存储单元、以及电连接多个电阻式存储单元的控制电路。控制电路提供多个操作模式以操作多个电阻式存储单元。操作模式包括第一编程操作与更新操作。第一编程操作包括对多个电阻式存储单元中...

本发明提供一种三维存储器元件，包括：基底、堆叠结构以及多个势垒结构。堆叠结构配置在基底上。堆叠结构包括交替堆叠的多个介电层与多个栅极层。多个势垒结构分别包围多个栅极层的表面。每一个势垒结构包括：第一势垒层与第二势垒层。第一势垒层连续覆盖...

本发明提供一种存储器结构，包括基板、第一栅极结构、第二栅极结构及第三栅极结构、通道本体、介电膜以及第一侧插塞。第一栅极结构、第二栅极结构及第三栅极结构设置于基板上，沿着第一方向彼此分开且分别沿着第二方向与第三方向延伸。通道本体彼此分开且...

本公开提供一种内容可寻址存储器装置、内容可寻址存储器单元及其数据搜索比对方法。内容可寻址存储器装置包括：多个内容可寻址存储器单元；以及一电性特征侦测电路，耦接至这些内容可寻址存储器单元；其中，在进行数据搜索时，将一搜索数据比对于这些内容...

本公开提供了一种内容可寻址存储器(CAM)装置及其数据搜索和比较方法。内容可寻址存储器装置包括：多个内容可寻址存储器串；以及一感应放大器电路，耦接至这些内容可寻址存储器串；其中，在进行数据搜索时，将一搜索数据与这些内容可寻址存储器串中所...

本公开提供了一种半导体电路及其操作方法，该半导体电路包括多个串行。所述多个串行包括第一串行以及第二串行。第一串行包括串联的一第一装置单元与一第二装置单元。第一串行具有权重信号W1。该第一装置单元具有输入信号A。该第二装置单元具有输入信号...

本发明提供一种存储器装置，用于执行具有第一状态及第二状态的退火运算。存储器装置包括第一存储器阵列、第二存储器阵列、控制电路、感应电路及处理电路。控制电路从第一存储器阵列之中选取第一横向列的存储单元，并从第二存储器阵列之中选取第二横向列的...

本发明提供线上持续学习方法及系统。线上持续学习方法包括：输入一待辨识类别的多个训练数据；应用一离散非随机增强操作于该待辨识类别的这些训练数据上，以产生多个中间类别；从这些中间类别产生多个视景数据；从这些视景数据取出多个特征向量；以及根据...

本公开提供了一种三维AND快闪存储器元件，包括栅极叠层结构、电荷储存结构、第一导体柱与第二导体柱、绝缘柱以及通道柱。所述栅极叠层结构包括彼此交替叠层的多个栅极层与多个绝缘层。第一导体柱与第二导体柱，延伸穿过所述栅极叠层结构，且以绝缘柱分...

本公开提供一种半导体装置及其形成方法。在一个方面中，一种半导体装置包含：存储器单元的第一阵列结构，包含第一导电层；存储器单元的第二阵列结构，包含第二导电层；连接结构，沿着第一方向配置于第一阵列结构与第二阵列结构之间；以及电路，邻近于连接...

本发明提供一种三维存储器结构及其制造方法。三维存储器结构包括一通道层、多个栅电极层以及多个电荷捕捉层。这些电荷捕捉层在该通道层的一通道侧壁表面与这些栅电极层的多个电极侧壁表面之间。这些电荷捕捉层排列在一方向上且彼此不连续。方向上且彼此不...

本公开提供了一种数据序列化器、使用其的锁存数据装置及其控制方法。数据序列化器包括至少一数据缓冲器及一去偏斜缓冲器。数据缓冲器至少接收一输入数据及一控制信号。当控制信号位于一预定电平，则数据缓冲器形成一输出信号及一互补输出信号。互补输出信...

本公开提供一种存储器装置及其操作方法，该存储器装置包括存储器阵列，用于储存多个向量数据。各向量数据具有高有效位(MSB)向量与低有效位(LSB)向量。存储器阵列包括多个存储单元，各存储单元具有第一位及第二位。第一位用于储存各向量数据的M...