三维快闪存储器元件制造技术

本公开提供了一种三维快闪存储器元件，包括：基底、多个第一存储器阵列、多个第一位线、第一共同源极板以及第一阵列穿孔接触窗。多个第一存储器阵列位于所述基底的第一平面区中。多个第一位线，位于所述多个第一存储器阵列与所述基底之间，且与所述多个第一存储器阵列电性连接。第一共同源极板位于所述多个第一存储器阵列上方，且与所述多个第一存储器阵列电性连接。第一阵列穿孔接触窗设置于所述第一平面区外的第一接触区，电性连接所述第一共同源极板。板。板。

【技术实现步骤摘要】
三维快闪存储器元件


[0001]本公开实施例是有关于一种半导体元件，且特别是有关于一种三维快闪存储器元件。

技术介绍

[0002]非易失性存储器元件(如，快闪存储器)由于具有使存入的数据在断电后也不会消失的优点，因此成为个人计算机和其他电子设备所广泛采用的一种存储器元件。
[0003]目前业界较常使用的快闪存储器阵列包括或非门(NOR)快闪存储器与与非门(NAND)快闪存储器。由于NAND快闪存储器的结构是使各存储单元串接在一起，其集成度与面积利用率较NOR快闪存储器佳，已经广泛地应用在多种电子产品中。此外，为了进一步地提升存储器元件的集成度，发展出一种三维NAND快闪存储器。然而，仍存在许多与三维NAND快闪存储器相关的挑战。

技术实现思路

[0004]本公开提供一种存储器元件，可以减少分隔墙的尺寸，以减小分隔墙所占用的芯片面积。
[0005]本公开实施例提出一种存储器元件，包括：基底、多个第一存储器阵列、多个第一位线、第一共同源极板以及第一阵列穿孔接触窗。多个第一存储器阵列位于所述基底的第一平面区中。多个第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三维快闪存储器元件，包括：基底，包括第一平面区；多个第一存储器阵列，位于所述第一平面区中；多个第一位线，位于所述多个第一存储器阵列与所述基底之间，且与所述多个第一存储器阵列电性连接；第一共同源极板，位于所述多个第一存储器阵列上方，且与所述多个第一存储器阵列电性连接；以及第一阵列穿孔接触窗，设置于所述第一平面区外的第一接触区，电性连接所述第一共同源极板。2.根据权利要求1所述的三维快闪存储器元件，还包括：多个第二存储器阵列，位于所述基底的第二平面区中；多个第二位线，位于所述多个第二存储器阵列与所述基底之间，且与所述多个第二存储器阵列电性连接；第二共同源极板，位于所述多个第二存储器阵列上方，且与所述多个第二存储器阵列电性连接；以及第二阵列穿孔接触窗，设置于所述第一平面区与所述第二平面区之间的第二接触区，电性连接所述第二共同源极板。3.根据权利要求2所述的三维快闪存储器元件，还包括：第一绝缘叠层结构，位于所述第一接触区，且被所述第一阵列穿孔接触窗延伸穿过；以及第二绝缘叠层结构，位于所述第二接触区，且被所述第二阵列穿孔接触窗延伸穿过，其中所述第一绝缘叠层结构与所述第二绝缘叠层结构分别包括彼此交替叠层的多个间隔层与多个绝缘层。4.根据权利要求2所述的三维快闪存储器元件，其中所述第二阵列穿孔接触窗与所述第一共同源极板电性隔绝。5.根据权利要求2所述的三维快闪存储器元件，还包括：第一电路结构，位于所述多个第一位线与所述基底之间，且与所述多个第一位线以及所述第一阵列穿孔接触窗电性连接；以及第二电路结构，位于所述多个第二位线与所述基底之间，且与所述多个第二位线以及所述第二阵列穿孔接触窗电性连接。6.根据权利要求2所述的三维快闪存储器元件，还包括：多个第一分隔墙，位于所述多个第一存储器阵列之间；以及多个第二分隔...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁榕泉，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：