存储组件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种存储组件，包括：衬底；多个字线，在第一方向延伸，在第二方向排列，位于所述衬底上；虚设结构，与所述多个字线的末端相邻，位于所述衬底上，其中所述虚设结构包括：主体部，在所述第二方向延伸；以及多个延伸部，在所述第一方向延伸，且与所述主体部连接，且介于所述主体部与所述多个字线之间。于所述主体部与所述多个字线之间。于所述主体部与所述多个字线之间。

【技术实现步骤摘要】
存储组件及其制造方法


[0001]本专利技术是涉及一种半导体组件及其制造方法，尤其涉及一种存储组件及其制造方法。

技术介绍

[0002]随着科技的进步，各类电子产品皆朝向轻薄短小的趋势发展，存储组件的关键尺寸亦逐渐缩小，进而使得光刻工艺愈来愈困难。在现有光刻工艺中，缩小关键尺寸的方法包括使用较大数值孔径(numerical aperture，NA)的光学组件、较短的曝光波长(例如EUV)或是除了空气以外的界面介质(例如水浸入)。随着现有光刻工艺的分辨率接近理论极限，制造商已开始转向双重图案化(double
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patterning，DP)方法来克服光学极限，进而提升存储组件的集成度。
[0003]然而，在目前的图案化方法中，由于阵列区的中心与末端的图案密度不同，使得刻蚀工艺会面临负载效应(loading effect)，进而导致阵列区的中心与末端的储存器单元的轮廓不一致，而产生电性上的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术针对一种存储组件，包括：衬底；多个字线，在第一方向延伸，在第二方向排列，位于所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储组件，其特征在于，包括：衬底；多个字线，在第一方向延伸，在第二方向排列，位于所述衬底上；虚设结构，与所述多个字线的末端相邻，位于所述衬底上，其中所述虚设结构包括：主体部，在所述第二方向延伸；以及多个延伸部，在所述第一方向延伸，且与所述主体部连接，且介于所述主体部与所述多个字线之间。2.根据权利要求1所述的存储组件，其中所述虚设结构呈梳状。3.根据权利要求1所述的存储组件，其中所述虚设结构的所述主体部的宽度大于每一延伸部的宽度，且所述每一延伸部的宽度大于每一字线的宽度。4.根据权利要求1所述的存储组件，其中所述虚设结构的所述主体部为实心块状体。5.根据权利要求1所述的存储组件，还包括两个选择栅分别位于所述多个字线两侧，其中所述主体部的长度小于所述两个选择栅之间的距离。6.根据权利要求1所述的存储组件，还包括多个着陆垫，在所述第二方向延伸，分别与另外多个字线连接，其中所述虚设结构位于所述多个着陆垫与所述多个字线之间。7.一种存储组件的制造方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡文杰，杨政达，林宗玮，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：