抗电浆腐蚀薄膜结构与其制造方法技术

一种抗电浆腐蚀薄膜结构，包括一基材、一第一抗腐蚀层、一第二抗腐蚀层与第三抗腐蚀层。第一抗腐蚀层设置于该基材上，并与该基材接触。第二抗腐蚀层设置于该第一抗腐蚀层上。第三抗腐蚀层设置于该第二抗腐蚀层上。其中，该第一抗腐蚀层与该第三抗腐蚀层是经由气相沉积方法形成。其中，该第二抗腐蚀层是经由电浆喷涂形成。本发明专利技术的有益效果是利用致密、松散、致密多层次的抗腐蚀层形成抗腐蚀结构，可用较少的时间与成本形成，并保持与习知完全致密抗腐蚀层相当的抗腐蚀特性。密抗腐蚀层相当的抗腐蚀特性。密抗腐蚀层相当的抗腐蚀特性。

【技术实现步骤摘要】
抗电浆腐蚀薄膜结构与其制造方法


[0001]一种薄膜结构，特别是一种抗电浆腐蚀薄膜结构。

技术介绍

[0002]在半导体产业中，电浆广泛应用于各式半导体制程设备中，然而随着制程能力的进步，对于腔体部件表面处理要求越来越严格，目前设备腔体大部分为铝制腔体，但铝抗电浆侵蚀能力不佳，因此业界大多是对设备与电浆接触的部位进行表面微结构处理，使其具备抗电浆腐蚀的特性。
[0003]而目前常用的表面微结构处理是电浆喷涂，是以氧化钇(Y2O3)或钇铝石榴石(Yttrium aluminum garnet，YAG)等材料进行表面处理，其抗电浆腐蚀性优于铝。但因该喷涂材料表面具有多孔隙特性，不利于半导体制程。电浆化学气相沉积(Plasma
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enhanced chemical vapor deposition，PECVD)、原子层沉积(Atomic layer deposition，ALD)或物理气相沉积(Physical vapor deposition，PVD)虽可产生无孔隙的薄膜，但其沉积速度慢并且成本昂贵，要达到与电浆喷涂相同的厚度，需要更多的时间与成本。
[0004]因此，如何解决上述问题，便是本领具通常知识者值得去思量的。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种抗电浆腐蚀薄膜结构，有益效果是利用致密、松散、致密多层次的抗腐蚀层形成抗腐蚀结构，可用较少的时间与成本形成，并保持与习知完全致密抗腐蚀层相当的抗腐蚀特性。
[0006]一种抗电浆腐蚀薄膜结构，包括一基材、一第一抗腐蚀层、一第二抗腐蚀层与第三抗腐蚀层。第一抗腐蚀层设置于该基材上，并与该基材接触。第二抗腐蚀层设置于该第一抗腐蚀层上。第三抗腐蚀层设置于该第二抗腐蚀层上。其中，该第一抗腐蚀层与该第三抗腐蚀层是经由气相沉积方法形成。其中，该第二抗腐蚀层是经由电浆喷涂形成。
[0007]上述的抗电浆腐蚀薄膜结构，其特征在于，气相沉积方法为电浆化学气相沉积(PECVD)、原子层沉积(ALD)或物理气相沉积(PVD)。
[0008]上述的抗电浆腐蚀薄膜结构，其特征在于，该第一抗腐蚀层与该第三抗腐蚀层的厚度为5～20μm；该第二抗腐蚀层的厚度为100～250μm。
[0009]上述的抗电浆腐蚀薄膜结构，其特征在于，该第二抗腐蚀层与该第一抗腐蚀层的厚度比介于5～50之间；该第二抗腐蚀层与该第三抗腐蚀层的厚度比介于5～50之间。
[0010]上述的抗电浆腐蚀薄膜结构，其特征在于，该第一抗腐蚀层、该第二抗腐蚀层与该第三抗腐蚀层的材料包括氧化钇(Y2O3)、氟氧化钇(YOF)或钇铝石榴石(Yttrium aluminum garnet，YAG)。
[0011]本专利技术还提供一种抗电浆腐蚀薄膜结构制造方法，包括：
[0012]S10：提供一基材；
[0013]S20：在该基材上以气相沉积方法形成第一抗腐蚀层；
[0014]S30：在该第一抗腐蚀层上以电浆喷涂形成一第二抗腐蚀层；及
[0015]S40：在该第二抗腐蚀层上以气相沉积方法形成一第三抗腐蚀层。
[0016]上述的抗电浆腐蚀薄膜结构制造方法，其特征在于，在步骤S20中，气相沉积方法为物理气相沉积，参数控制为腔体温度25℃～200℃、蒸镀速率0.1～1.5nm/s、离子源电浆功率辅助电子束电流100～1500mA、电压100
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1500V、气体流量氩气10～50sccm、氧气10～100sccm、制程压力2.0E
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2～1.0E
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6Torr。
[0017]上述的抗电浆腐蚀薄膜结构制造方法，其特征在于，在步骤S20中，气相沉积方法为原子层沉积，参数控制反应气体流量10～100sccm，腔体温度100～400℃、制程压力1～10Torr。
[0018]上述的抗电浆腐蚀薄膜结构制造方法，其特征在于，在步骤S30中，电弧电流300～600A、载台转速5～30RPM、载气气体为氩气(Ar)、氮气(N2)，气体流量10～30L/min。
[0019]为让本专利技术的上述目的、特征和优点更能明显易懂，下文将以实施例并配合所附图式，作详细说明如下。需注意的是，所附图式中的各组件仅是示意，并未按照各组件的实际比例进行绘示。
附图说明
[0020]图1所绘示为本专利技术的抗电浆腐蚀薄膜结构。
[0021]图2至图6所绘示为本专利技术抗电浆腐蚀薄膜结构的制作方法。
具体实施方式
[0022]请参阅图1，图1所绘示为本专利技术的抗电浆腐蚀薄膜结构。本专利技术的抗电浆腐蚀薄膜结构100包括一基材101、一第一抗腐蚀层110、一第二抗腐蚀层120与一第三抗腐蚀层130。第一抗腐蚀层110设置在基材101上，并且第一抗腐蚀层110与基材101接触。第二抗腐蚀层120设置在第一抗腐蚀层110上，第三抗腐蚀层130设置在第二抗腐蚀层120上。换句话说，第二抗腐蚀层120是夹在第一抗腐蚀层110与第三抗腐蚀层130之间，形成多层次的抗腐蚀结构。而基材101例如为半导体设备的腔体的内表面层，此内表面层可由铝所制成。
[0023]此外，第一抗腐蚀层110与第三抗腐蚀层130的厚度个别为5～20微米(μm)，且第一抗腐蚀层110与第三抗腐蚀层130可为相同或不同的厚度；第二抗腐蚀层的厚度为100～250微米(μm)。因此，第一抗腐蚀层110、第二抗腐蚀层120与第三抗腐蚀层130的厚度并不相同。更明确的说，第二抗腐蚀层120的厚度比第一抗腐蚀层110与第三抗腐蚀层130的厚度都来得厚。在一实施例中，第二抗腐蚀层120与第一抗腐蚀层110的厚度比介于5～50之间；第二抗腐蚀层120与第三抗腐蚀层130的厚度比介于5～50之间。
[0024]在本实施例中，第一抗腐蚀层110与第三抗腐蚀层130是较为致密的抗腐蚀层，而第二抗腐蚀层120则是相对松散的抗腐蚀层。透过第一抗腐蚀层110、第二抗腐蚀层120与第三抗腐蚀层130形成致密
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松散
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致密的多层次抗腐蚀结构，提供抗腐蚀特性以保护基材101。
[0025]接着，请参阅图2至图6，图2至图6所绘示为本专利技术抗电浆腐蚀薄膜结构的制作方法。首先，进行步骤S10，提供一基材101(如图3所示)。接着，进行步骤S20，在基材101上以气相沉积方法形成第一抗腐蚀层110(如图4所示)。具体来说，第一抗腐蚀层110所使用的气相
沉积方法为电浆化学气相沉积(PECVD)、原子层沉积(ALD)或物理气相沉积(PVD)，能够形成较为致密、不具备多孔性的第一抗腐蚀层110。致密、不具备多孔性的第一抗腐蚀层110有效减少基材101释出气体，并可避免电浆腐蚀基材101而产生粉尘。同时可作为缓冲材料，增加第二抗腐蚀层120在抗电浆腐蚀薄膜结构100的附着性。
[0026]在一实施例中，若使用物理气相沉积(PVD)形成第一抗腐蚀层110，其具体方式是选用Y2O3、YOF与YAG作为底材，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抗电浆腐蚀薄膜结构，包括：一基材；一第一抗腐蚀层，设置于该基材上，并与该基材接触；一第二抗腐蚀层，设置于该第一抗腐蚀层上；及一第三抗腐蚀层，设置于该第二抗腐蚀层上；其中，该第一抗腐蚀层与该第三抗腐蚀层是经由气相沉积方法形成；其中，该第二抗腐蚀层是经由电浆喷涂形成。2.如权利要求1所述的抗电浆腐蚀薄膜结构，其特征在于，气相沉积方法为电浆化学气相沉积(PECVD)、原子层沉积(ALD)或物理气相沉积(PVD)。3.如权利要求1所述的抗电浆腐蚀薄膜结构，其特征在于，该第一抗腐蚀层与该第三抗腐蚀层的厚度为5～20μm；该第二抗腐蚀层的厚度为100～250μm。4.如权利要求1所述的抗电浆腐蚀薄膜结构，其特征在于，该第二抗腐蚀层与该第一抗腐蚀层的厚度比介于5～50之间；该第二抗腐蚀层与该第三抗腐蚀层的厚度比介于5～50之间。5.如权利要求1所述的抗电浆腐蚀薄膜结构，其特征在于，该第一抗腐蚀层、该第二抗腐蚀层与该第三抗腐蚀层的材料包括氧化钇(Y2O3)、氟氧化钇(YOF)或钇铝石榴石(Yttrium aluminum garnet，YAG)。6.一种抗电浆腐蚀薄膜结构制造方法，包括：S10：提供一基材；S20：在该基材上以气相沉积方法形成第一抗腐蚀层；...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴宗丰，李文亮，林佳德，蔡宇砚，苏修贤，邱国扬，陈柏翰，
申请(专利权)人：翔名科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：