抗电浆腐蚀薄膜结构与其制造方法技术

一种抗电浆腐蚀薄膜结构，包括一基材、一第一抗腐蚀层、一第二抗腐蚀层与第三抗腐蚀层。第一抗腐蚀层设置于该基材上，并与该基材接触。第二抗腐蚀层设置于该第一抗腐蚀层上。第三抗腐蚀层设置于该第二抗腐蚀层上。其中，该第一抗腐蚀层与该第三抗腐蚀层是经由气相沉积方法形成。其中，该第二抗腐蚀层是经由电浆喷涂形成。本发明专利技术的有益效果是利用致密、松散、致密多层次的抗腐蚀层形成抗腐蚀结构，可用较少的时间与成本形成，并保持与习知完全致密抗腐蚀层相当的抗腐蚀特性。密抗腐蚀层相当的抗腐蚀特性。密抗腐蚀层相当的抗腐蚀特性。

【技术实现步骤摘要】
抗电浆腐蚀薄膜结构与其制造方法


[0001]一种薄膜结构，特别是一种抗电浆腐蚀薄膜结构。

技术介绍

[0002]在半导体产业中，电浆广泛应用于各式半导体制程设备中，然而随着制程能力的进步，对于腔体部件表面处理要求越来越严格，目前设备腔体大部分为铝制腔体，但铝抗电浆侵蚀能力不佳，因此业界大多是对设备与电浆接触的部位进行表面微结构处理，使其具备抗电浆腐蚀的特性。
[0003]而目前常用的表面微结构处理是电浆喷涂，是以氧化钇(Y2O3)或钇铝石榴石(Yttrium aluminum garnet，YAG)等材料进行表面处理，其抗电浆腐蚀性优于铝。但因该喷涂材料表面具有多孔隙特性，不利于半导体制程。电浆化学气相沉积(Plasma
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enhanced chemical vapor deposition，PECVD)、原子层沉积(Atomic layer deposition，ALD)或物理气相沉积(Physical vapor deposition，PVD)虽可产生无孔隙的薄膜，但其沉积速度慢并且成本昂贵，要达到与电浆喷涂相同的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抗电浆腐蚀薄膜结构，包括：一基材；一第一抗腐蚀层，设置于该基材上，并与该基材接触；一第二抗腐蚀层，设置于该第一抗腐蚀层上；及一第三抗腐蚀层，设置于该第二抗腐蚀层上；其中，该第一抗腐蚀层与该第三抗腐蚀层是经由气相沉积方法形成；其中，该第二抗腐蚀层是经由电浆喷涂形成。2.如权利要求1所述的抗电浆腐蚀薄膜结构，其特征在于，气相沉积方法为电浆化学气相沉积(PECVD)、原子层沉积(ALD)或物理气相沉积(PVD)。3.如权利要求1所述的抗电浆腐蚀薄膜结构，其特征在于，该第一抗腐蚀层与该第三抗腐蚀层的厚度为5～20μm；该第二抗腐蚀层的厚度为100～250μm。4.如权利要求1所述的抗电浆腐蚀薄膜结构，其特征在于，该第二抗腐蚀层与该第一抗腐蚀层的厚度比介于5～50之间；该第二抗腐蚀层与该第三抗腐蚀层的厚度比介于5～50之间。5.如权利要求1所述的抗电浆腐蚀薄膜结构，其特征在于，该第一抗腐蚀层、该第二抗腐蚀层与该第三抗腐蚀层的材料包括氧化钇(Y2O3)、氟氧化钇(YOF)或钇铝石榴石(Yttrium aluminum garnet，YAG)。6.一种抗电浆腐蚀薄膜结构制造方法，包括：S10：提供一基材；S20：在该基材上以气相沉积方法形成第一抗腐蚀层；...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴宗丰，李文亮，林佳德，蔡宇砚，苏修贤，邱国扬，陈柏翰，
申请(专利权)人：翔名科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：