【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种光学结构，特别是指一种耐电浆侵蚀的光学结构。
技术介绍
1、电浆的沉积制程或蚀刻制程会通过光谱分析仪(optical emissionspectrometer,oes)来监测电浆所产生的发射线，以控制气体流量与膜层的沉积。其中，光谱分析仪的电荷耦合组件(charge-coupled device，ccd)皆是通过石英玻璃观测窗进行取样。然而，石英玻璃抵抗电浆侵蚀的能力不佳，其表面易受电浆轰击导致粉尘掉落。
2、因此，如何设计出一个耐侵蚀性的观测窗，便是本领域具有通常知识者值得去思量地。
技术实现思路
1、本技术之目的在于提供一耐电浆侵蚀的光学结构，该耐电浆侵蚀的光学结构对于电浆具有较佳的抗侵蚀性。
2、本技术之耐电浆侵蚀的光学结构包括一透光基材及一耐电浆光学膜层，耐电浆光学膜层是设置于透光基材的一表面上。此外，耐电浆光学膜层包括至少一第一光学薄膜及至少一第二光学薄膜，第二光学薄膜是迭合在第一光学薄膜上。其中，第一光学薄膜的密度不小于4.5。
3、在上所述的耐电浆侵蚀的光学结构中，耐电浆光学膜层的最外层的薄膜为第一光学薄膜。
4、在上所述的耐电浆侵蚀的光学结构中，当该第一光学薄膜或该第二光学薄膜的至少其中之一的数量为多个时，则该第一光学薄膜及该第二光学薄膜相互交错迭合。
5、在上所述的耐电浆侵蚀的光学结构中，耐电浆光学膜层还包括至少一第三光学薄膜，当第三光学薄膜或该第二光学薄膜的至少其中之一的数量为多个时，则该
6、在上所述的耐电浆侵蚀的光学结构中，耐电浆光学膜层朝向一真空腔体的内部。
7、在上所述的耐电浆侵蚀的光学结构中，第一光学薄膜选自三氟化钇(yf3)、氧化铒(er2o3)、氧化钆(gd2o3)、氧化钇(y2o3)、氟氧化钇(yof)、钇铝石榴石(yag,y3al5o12)、yam(y4al2o9)、或eag(er3al5o12)。
8、在上所述的耐电浆侵蚀的光学结构中，第一光学薄膜的折射率不同于该第二光学薄膜的折射率。
9、在上所述的耐电浆侵蚀的光学结构中，第一光学薄膜及第二光学薄膜采物理气象沉积法(physicalvapor deposition，pvd)形成，该物理气象沉积法可选自电子束轰击蒸镀法(e-gun)或电浆离子辅助物理气象沉积法。
10、在上所述的耐电浆侵蚀的光学结构中，第一光学薄膜及该第二光学薄膜采化学气象沉积法(cvd)形成，该化学气象沉积法可选自化学气象沉积法(cvd)、电浆辅助化学气象沉积法(pecvd)或原子层沉积法(ald)。
11、在上所述的耐电浆侵蚀的光学结构还包刮一金属反射层，该金属反射层置于该透光基材与该耐电浆光学膜层之间。
12、在上所述的耐电浆侵蚀的光学结构还包刮一缓冲层，该缓冲层置于该透光基材与该耐电浆光学膜层之间。
13、在上所述的耐电浆侵蚀的光学结构中，该缓冲层的膨胀系数介于该透光基材的膨胀系数与该耐电浆光学膜层的膨胀系数之间。
14、在上所述的耐电浆侵蚀的光学结构还包括一低密度光学膜层，低密度光学膜层设置于该透光基材的另一表面，该低密度光学膜层的密度小于4。
15、本技术具有下述优点：对于电浆具有较佳的抗侵蚀性。
16、本技术为达到上述及其他目的，其所采取之技术手段、组件及其功效，兹采一较佳实施例配合图示说明如下。
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1.一种耐电浆侵蚀的光学结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的耐电浆侵蚀的光学结构，其特征在于，该耐电浆光学膜层的最外层的薄膜为该第一光学薄膜。
3.如权利要求2所述的耐电浆侵蚀的光学结构，其特征在于，当该第一光学薄膜或第二光学薄膜的至少其中之一的数量为多个时，则该第一光学薄膜及该第二光学薄膜相互交错迭合。
4.如权利要求2所述的耐电浆侵蚀的光学结构，其特征在于，该耐电浆光学膜层还包括至少一第三光学薄膜，当该第三光学薄膜或该第二光学薄膜的至少其中之一的数量为多个时，则该第三光学薄膜及该第二光学薄膜相互交错迭合。
5.如权利要求1所述的耐电浆侵蚀的光学结构，其特征在于，该耐电浆光学膜层朝向一真空腔体的内部。
6.如权利要求1所述的耐电浆侵蚀的光学结构，其特征在于，该第一光学薄膜的折射率不同于该第二光学薄膜的折射率。
7.如权利要求1所述的耐电浆侵蚀的光学结构，其特征在于，该第一光学薄膜及该第二光学薄膜采物理气象沉积法形成，该物理气象沉积法可选自电子束轰击蒸镀法或电浆离子辅助物理气象沉积法。
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