耐电浆侵蚀的光学结构制造技术

本发明专利技术之耐电浆侵蚀的光学结构包括一透光基材及一耐电浆光学膜层，耐电浆光学膜层是设置于透光基材的一表面上。此外，耐电浆光学膜层包括至少一第一光学薄膜及至少一第二光学薄膜，第二光学薄膜是迭合在第一光学薄膜上。其中，第一光学薄膜的密度不小于4.5。耐电浆侵蚀的光学结构对于电浆具有较佳的抗侵蚀性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
耐电浆侵蚀的光学结构


[0001]本专利技术涉及一种光学结构，特别是指一种耐电浆侵蚀的光学结构。

技术介绍

[0002]电浆的沉积制程或蚀刻制程会通过光谱分析仪(Optical Emission Spectrometer,OES)来监测电浆所产生的发射线，以控制气体流量与膜层的沉积。其中，光谱分析仪的电荷耦合组件(Charge
‑
Coupled Device，CCD)皆是通过石英玻璃观测窗进行取样。然而，石英玻璃抵抗电浆侵蚀的能力不佳，其表面易受电浆轰击导致粉尘掉落。
[0003]因此，如何设计出一个耐侵蚀性的观测窗，便是本领域具有通常知识者值得去思量地。

技术实现思路

[0004]本专利技术之目的在于提供一耐电浆侵蚀的光学结构，该耐电浆侵蚀的光学结构对于电浆具有较佳的抗侵蚀性。
[0005]本专利技术之耐电浆侵蚀的光学结构包括一透光基材及一耐电浆光学膜层，耐电浆光学膜层是设置于透光基材的一表面上。此外，耐电浆光学膜层包括至少一第一光学薄膜及至少一第二光学薄膜，第二光学薄膜是迭合在第一光学薄膜上。其中，第一光学薄膜的密度不小于4.5。
[0006]在上所述的耐电浆侵蚀的光学结构中，耐电浆光学膜层的最外层的薄膜为第一光学薄膜。
[0007]在上所述的耐电浆侵蚀的光学结构中，当该第一光学薄膜或该第二光学薄膜的至少其中之一的数量为多个时，则该第一光学薄膜及该第二光学薄膜相互交错迭合。
[0008]在上所述的耐电浆侵蚀的光学结构中，耐电浆光学膜层还包括至少一第三光学薄膜，当第三光学薄膜或该第二光学薄膜的至少其中之一的数量为多个时，则该第三光学薄膜及该第二光学薄膜相互交错迭合。
[0009]在上所述的耐电浆侵蚀的光学结构中，耐电浆光学膜层朝向一真空腔体的内部。
[0010]在上所述的耐电浆侵蚀的光学结构中，第一光学薄膜选自三氟化钇(YF3)、氧化铒(Er2O3)、氧化钆(Gd2O3)、氧化钇(Y2O3)、氟氧化钇(YOF)、钇铝石榴石(YAG,Y3Al5O12)、YAM(Y4Al2O9)、或EAG(Er3Al5O12)。
[0011]在上所述的耐电浆侵蚀的光学结构中，第一光学薄膜的折射率不同于该第二光学薄膜的折射率。
[0012]在上所述的耐电浆侵蚀的光学结构中，第一光学薄膜及第二光学薄膜采物理气象沉积法(Physical Vapor Deposition，PVD)形成，该物理气象沉积法可选自电子束轰击蒸镀法(E
‑
gun)或电浆离子辅助物理气象沉积法。
[0013]在上所述的耐电浆侵蚀的光学结构中，第一光学薄膜及该第二光学薄膜采化学气象沉积法(CVD)形成，该化学气象沉积法可选自化学气象沉积法(CVD)、电浆辅助化学气象
沉积法(PECVD)或原子层沉积法(ALD)。
[0014]在上所述的耐电浆侵蚀的光学结构还包刮一金属反射层，该金属反射层置于该透光基材与该耐电浆光学膜层之间。
[0015]在上所述的耐电浆侵蚀的光学结构还包刮一缓冲层，该缓冲层置于该透光基材与该耐电浆光学膜层之间。
[0016]在上所述的耐电浆侵蚀的光学结构中，该缓冲层的膨胀系数介于该透光基材的膨胀系数与该耐电浆光学膜层的膨胀系数之间。
[0017]在上所述的耐电浆侵蚀的光学结构还包括一低密度光学膜层，低密度光学膜层设置于该透光基材的另一表面，该低密度光学膜层的密度小于4。
[0018]本专利技术具有下述优点：对于电浆具有较佳的抗侵蚀性。
[0019]本专利技术为达到上述及其他目的，其所采取之技术手段、组件及其功效，兹采一较佳实施例配合图示说明如下。
附图说明
[0020]图1所绘示为第一实施例之耐电浆侵蚀的光学结构10的示意图。
[0021]图2所绘示为第二实施例之耐电浆侵蚀的光学结构20的示意图。
[0022]图3所绘示为第三实施例之耐电浆侵蚀的光学结构30的示意图。
[0023]图4所绘示为第四实施例之耐电浆侵蚀的光学结构40的示意图。
[0024]图5所绘示为第五实施例之耐电浆侵蚀的光学结构50的示意图。
[0025]图6所绘示为第六实施例之耐电浆侵蚀的光学结构60的示意图。
具体实施方式
[0026]请参阅图1，图1所绘示第一实施例之耐电浆侵蚀的光学结构10的示意图。耐电浆侵蚀的光学结构10通常是安置于一真空腔体8的侧壁，电浆是在真空腔体8内运作。
[0027]耐电浆侵蚀的光学结构10包括一透光基材11及一耐电浆光学膜层12。其中，耐电浆光学膜层12的其中一面是朝向真空腔体8的内部，且耐电浆光学膜层12的另一面是设置于透光基材11的一表面上，透光基材11例如为石英，透光基材11相当于一用于监测电浆的观测窗。
[0028]上述中，所谓耐电浆光学膜层12设置于透光基材11上，并不局限于耐电浆光学膜层12是直接沉积于透光基材11上，耐电浆光学膜层12与透光基材11之间还能沉积其他的薄膜。
[0029]请再次参阅图1，耐电浆光学膜层12包括至少一第一光学薄膜121及至少一第二光学薄膜122，且第二光学薄膜122是迭合在第一光学薄膜121上。具体来说，在此实施例中，耐电浆光学膜层12是包括四个第一光学薄膜121及三个第二光学薄膜122，且该第一光学薄膜121及该第二光学薄膜122是相互交错迭合(请参阅图1)。因此，耐电浆光学膜层12位于最里层的薄膜及最外层的薄膜皆为第一光学薄膜121，且最里层的第一光学薄膜121是设置于透光基材11上，而最外层的第一光学薄膜121是朝向真空腔体8直接与电浆进行接触。
[0030]在本实施例中，第一光学薄膜121的主要材料为密度不小于4.5之金属氧化物、氟化物或氮化物，例如为三氟化钇(YF3)、氧化铒(Er2O3)、氧化钆(Gd2O3)、氧化钇(Y2O3)、氟
氧化钇(YOF)、钇铝石榴石(YAG,Y3Al5O12)、YAM(Y4Al2O9)或EAG(Er3Al5O12)。由于第一光学薄膜121是属于扎实的高密度结构，所以第一光学薄膜121较能承受电浆中之离子或中性原子的轰击。因此，耐电浆光学膜层12有助于防止电浆侵蚀透光基材11，也就是防止观测窗被电浆侵蚀。
[0031]此外，在此实施例中，第一光学薄膜121的折射率是不同于第二光学薄膜122的折射率。举例来说，第一光学薄膜121例如为氧化钇(Y2O3)，其折射率为1.9，而第二光学薄膜122例如为二氧化钛(TiO2)，其折射率为2.4。因此，由上至下交错排列形成：小折射率光学薄膜(氧化钇)
→
大折射率光学薄膜(二氧化钛)
→
小折射率光学薄膜(氧化钇)
→
大折射率光学薄膜之结构(二氧化钛)
→
小折射率光学薄膜(氧化钇)
→
大折射率光学薄膜(二氧化钛)
→
小折射率光学薄膜(氧化钇)之光学结构。如此一来，依据光学原理，耐本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种耐电浆侵蚀的光学结构，其特征在于，包括：一透光基材；及一耐电浆光学膜层，设置于该透光基材的一表面上，该耐电浆光学膜层包括：至少一第一光学薄膜；及至少一第二光学薄膜，迭合在该第一光学薄膜上；其中，该第一光学薄膜的密度不小于4.5。2.如权利要求1所述的耐电浆侵蚀的光学结构，其特征在于，该耐电浆光学膜层的最外层的薄膜为该第一光学薄膜。3.如权利要求2所述的耐电浆侵蚀的光学结构，其特征在于，当该第一光学薄膜或第二光学薄膜的至少其中之一的数量为多个时，则该第一光学薄膜及该第二光学薄膜相互交错迭合。4.如权利要求2所述的耐电浆侵蚀的光学结构，其特征在于，该耐电浆光学膜层还包括至少一第三光学薄膜，当该第三光学薄膜或该第二光学薄膜的至少其中之一的数量为多个时，则该第三光学薄膜及该第二光学薄膜相互交错迭合。5.如权利要求1所述的耐电浆侵蚀的光学结构，其特征在于，该耐电浆光学膜层朝向一真空腔体的内部。6.如权利要求1所述的耐电浆侵蚀的光学结构，其特征在于，该第一光学薄膜选自三氟化钇(YF3)、氧化铒(Er2O3)、氧化钆(Gd2O3)、氧化钇(Y2O3)、氟氧化钇(YOF)、钇铝石榴石(YAG,Y3Al5O12)、YAM(Y4Al2O9)、或EAG(Er3Al5O12)。7.如权利要求1所述的耐电浆侵蚀的光学结构，...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴宗丰，廖俊智，林佳德，邱国扬，陈柏翰，曾涵芸，
申请(专利权)人：翔名科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：