【技术实现步骤摘要】
半导体装置及用于管理其的安全操作的系统与方法
[0001]本公开关于一种半导体装置,尤其涉及一种可安全操作的半导体装置。
技术介绍
[0002]保护半导体装置来避免无心的覆写、恶意的攻击及复制为必要的措施,半导体装置例如是存储器装置。为了符合安全的需求,半导体装置可能包括某些特定的功能,例如是认证。不过认证可能降低半导体装置的效能,举例为因数据强健性(data robustness)的双重安全写入操作。
技术实现思路
[0003]本公开说明用于管理半导体装置的安全写入的方法、装置、系统及技术。半导体装置举例为非易失性存储器装置,例如是闪存装置。
[0004]根据本公开的一方面提供一种半导体装置,包括:一存储器阵列及逻辑电路,逻辑电路耦接于存储器阵列及用于响应于接收加密信息,在存储器阵列中执行一安全写入操作。加密信息包括将写入的数据、一选择码或存储器阵列中的多个地址的信息的至少一个,选择码用于指定写入数据至存储器阵列中的这些地址的至少一个的一操作形式。
[0005]在一些实施例中,安全写入操作包括一编程操作,及这些地址包括一第一地址及一第二地址。选择码指定下述的其中一个:编程数据至第一地址上,或编程数据至第一地址及第二地址上。
[0006]在一些实施例中,安全写入操作包括一擦除操作,及这些地址包括一第一地址及一第二地址。选择码指定下述的其中一个:从第一地址擦除数据的一特定位数,或从第一地址及第二地址擦除数据的特定位数。特定位数可包括4KB、32KB或64KB。
[0007 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置,其特征在于,包括:一存储器阵列;以及一逻辑电路,耦接于该存储器阵列,及用于响应于接收加密信息,在该存储器阵列中执行一安全写入操作,其中该加密信息包括将写入的数据、一选择码或该存储器阵列中的多个地址的信息的至少一个,该选择码用于在该安全写入操作期间,指定写入该数据至该存储器阵列中的所述多个地址的至少一个的一操作形式。2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中该安全写入操作包括一编程操作,及所述多个地址包括一第一地址及一第二地址,以及其中该选择码指定下述的其中一个:编程该数据至该第一地址上,或编程该数据至该第一地址及该第二地址上。3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中该安全写入操作包括一擦除操作,及所述多个地址包括一第一地址及一第二地址,以及其中该选择码指定下述的其中一个:从该第一地址擦除该数据的一特定位数,或从该第一地址及该第二地址擦除该数据的一特定位数。4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中该存储器阵列包括多个存储器次阵列,及所述多个地址包括一第一地址及一第二地址,以及其中该逻辑电路用于:响应于决定出该第一地址及该第二地址位于一相同的存储器次阵列中,依次地写入该数据至该第一地址及该第二地址,以及响应于决定出该第一地址及该第二地址位于两个不同的存储器次阵列中,同时地或依次地写入该数据至该两个不同的存储器次阵列中的该第一地址及该第二地址。5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中该逻辑电路用于:从一控制器接收认证信息及该加密信息,以及基于该认证信息、该加密信息、以及该控制器及该半导体装置之间共用的一密钥,通过利用一加密算法(cryptographic algorithm)产生一认证码及解密信息。6.根据权利要求5所述的半导体装置,其中该加密算法包括一高级加密标准(Advanced Encryption Standard,AES)算法。7.根据权利要求5所述的半导体装置,其中该加密信息包括与该认证信息相关的至少一个其他选择码的信息,以及其中该认证码至少部分地基于该加密信息中的该至少一个其他选择码产生。8.根据权利要求5所述的半导体装置,其中该认证信息包括一输入认证码,以及其中该逻辑电路用于:比较产生的该认证码及该输入认证码;以及基于该比较的一结果,决定该控制器的一认证是否失败。9.根据权利要求8所述的半导体装置,其中该逻辑电路用于:响应于决定出产生的该认证码与该输入认证码的匹配失败,决定该认证失败及产生一
错误信息;以及响应于决定出产生的该认证码匹配该输入认证码,决定该认证成功且在该解密信息上继续执行该安全写入操作。10.根据权利要求9所述的半导体装置,其中该逻辑电路用于:响应于决定出产生的该认证码匹配该输入认证码,译码用于执行该安全写入操作的该选择码。11.根据权利要求10所述的半导体装置,其中该逻辑电路用于:响应于决定出该选择码指定写入该数据至所述多个地址中的一第一地址及一第二地址,决定该第一地址及该第二地址是否位于该存储器阵列的一相同的存储器次阵列,及基于决定出该第一地址及该第二地址是否位于该相同的存储器次阵列的一结果,执行该安全写入操作。12.根据权利要求9所述的半导体装置,其中该解密信息包括一写入命令、将写入的该数据、所述多个地址及该选择码,以及其中该逻辑电路...
【专利技术属性】
技术研发人员:张钦鸿,陈嘉荣,陈耕晖,洪俊雄,
申请(专利权)人:旺宏电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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