本发明提供一种电容串结构、存储器装置及电子装置。电容串结构包括多个导电板。导电板设置在存储器装置中。导电板相互堆叠，分别形成存储器装置中的多条字线，其中导电板中相邻的二者间形成电容。的二者间形成电容。的二者间形成电容。

本公开提供了一种实现匹配近似度的模拟内容寻址存储器，该模拟内容寻址存储器包括：一输入电路、至少一模拟CAM存储单元及一输出电路。输入电路用于提供一输入数据。模拟CAM存储单元连接于输入电路，且接收输入数据。模拟CAM存储单元具有一缓和斜...

本公开提供了一种晶体管结构及其制备方法，该晶体管结构包括衬底、栅极结构、多个第一口袋掺杂区、多个第二口袋掺杂区、多个源极/漏极延伸区与多个源极/漏极区。栅极结构位于衬底上。多个第一口袋掺杂区位于栅极结构旁的衬底中。第一口袋掺杂区的掺杂包...

本公开提供一种堆叠式存储器装置及其字线驱动器。字线驱动器包括第一字线信号产生电路、第二字线信号产生电路、第一电压产生器以及第二电压产生器。第一字线信号产生电路根据控制信号以选择第一电压以及第二电压的其中之一来产生第一字线信号。第二字线信...

本公开提供了一种集成电路和存储器装置。在本公开内容的一个方面，集成电路包含闩锁电路及补偿电路。闩锁电路包含相互耦接的闩锁器及感测晶体管。补偿电路耦接于感测晶体管。感测晶体管包含栅极端及连接端，栅极端耦接于感测节点，连接端则耦接于补偿电路...

本公开提供了一种半导体结构，包括：基板、叠层、多个有源结构、多个连接结构和多个隔离层。叠层设置在基板上。叠层具有多个次阵列区。叠层包括交替设置的栅极电极和介电层。有源结构在次阵列区中穿过叠层。存储单元由栅极电极和有源结构的交点所定义。连...

本公开提供了一种存储器元件，包括：介电基底、中层结构、多个通道柱、多个电荷储存结构、多个分隔结构以及辅助结构。所述介电基底包括阵列区与在所述阵列区旁的空旷区。所述中层结构在所述阵列区与所述空旷区中。所述多个通道柱穿过在所述阵列区中的所述...

本发明提供一种存储器元件，该存储器元件包含一存储器结构、一控制器芯片，以及一处理器芯片。存储器结构包含第一存储器芯片，以及多个第二存储器芯片所形成的一叠层，其中第二存储器芯片的每一者的存储器密度高于第一存储器芯片的存储器密度。控制器芯片...

本公开提供了一种存储器元件，包括：存储器载板、多个存储器阵列区域、多个逻辑芯片，以及多个内连接线。存储器阵列区域位于该存储器载板内，其中存储器阵列区域包括至少一NAND架构的存储器。逻辑芯片配置在存储器载板上。内连接线将逻辑芯片彼此电性...

本公开提供了一种存储器装置，包括：基板、第一导电条、第二导电条、第一柱元件以及间隙壁。第一导电条设置在基板上且沿着第一方向延伸。第二导电条设置在第一导电条上且沿着第二方向延伸，其中第一方向与第二方向平行于基板的上表面，且第二方向交叉于第...

本发明公开一种感应放大器与其操作方法。该感应放大器的操作方法包括：于一第一阶段内，对该感应放大器内的一第一感应输入电压与一第二感应输入电压进行初始化，及利用存于该感应放大器内的多个晶体管内的电荷来记录一前一回合的一第一感应输出电压与一第...

本公开提供一种布线图案。布线图案包含第一布线区域、第二布线区域与内连线区。第一布线区域包含多条沿着第一方向延伸的第一导线。多条第一导线沿垂直于该第一方向的第二方向具有第一节距。第二布线区域包含多条沿着第一方向延伸的第二导线。多条第二导线...

本发明公开一种三维存储器结构，包括：存储器阵列，包括第一与第二子阵列，分别具有第一选择线、多条字线与第二选择线；连接结构，包括多个连接区域，其中第一选择线、多条字线与第二选择线的至少其中之一的延伸结构耦接到多个连接区中的相应的连接区域；...

本公开提供一种存储器结构及其制造方法。存储器结构包括一存储元件、一间隙壁结构以及一上元件结构。存储元件包括一下存储层与一上存储层在下存储层上。间隙壁结构在下存储层的一侧壁表面上。上元件结构电性连接在上存储层上。上元件结构的一下表面、下存...

本发明公开一种存储器装置，该存储器装置包括层叠结构、电路结构以及垂直接触件。层叠结构包括沿着第一方向交替堆叠的导电层及第一绝缘层、第一阵列区、第二阵列区及连接区。第一阵列区包括沿着第一方向延伸的第一通道柱。第二阵列区包括沿着第一方向延伸...

本公开提供一种存储器装置，包括第一驱动电路、第二驱动电路、感测电路以及存储器内搜索阵列。存储器内搜索阵列的多个存储单元被配置为多个横向列及多个纵向行。同一纵向行的存储单元各自的控制端经由对应的字线耦接至第一驱动电路。同一纵向行的存储单元...

本发明公开了一种三维AND快闪存储器元件及其制造方法，该三维AND快闪存储器元件包括：栅极堆叠结构、通道堆叠结构、源极柱与漏极柱以及多个电荷存储结构。栅极堆叠结构位于介电基底上，其中所述栅极堆叠结构包括彼此交替堆叠的多个栅极层与多个绝缘...

本公开提供一种存储器装置及其操作方法，该操作方法包括：选择一目标区块；逐列读取目标区块；将读取的数据传送至一纠错电路；以及检查并纠正读取的数据，以产生一纠正数据。以产生一纠正数据。以产生一纠正数据。

本发明提供存储器装置与其操作方法。该存储器装置的操作方法包括：于一读取操作或一写入验证操作结束时，在一字线电压下降阶段，同步施加多个不同逐渐下降信号线参考电压至多个接地选择线与多个串选择线，其中，这些不同逐渐下降信号线参考电压的值有关于...

本公开提供一种半导体结构及其制作方法。该半导体结构包含基板、设置在基板上的共享源极层、垂直地设置在基板上且与共用源极层电性连接的多个存储器单元、设置在基板上且与共用源极层电性连接的共享源极线，以及间隔柱。共享源极线沿着第一方向延伸，且包...