本公开提供了一种具有阶梯式接触配置的三维电路结构及存储器电路结构，用于改善复杂3D电路的制造良率。电路结构包括导体的第一堆叠、导体的第二堆叠和连接电路。导体的第一堆叠和第二堆叠均具有操作区和接触区。第一堆叠的导体在接触区中具有阶梯式布置...

本发明提供一种半导体装置，包含周边区块、基材、以及阵列区块。周边区块包含互补式金属氧化物半导体元件。基材设置在周边区块上，基材包含设置在周边区块上的N型掺杂多晶硅层、设置在N型掺杂多晶硅层上的氧化物层，以及设置在氧化物层上的P型掺杂多晶...

本发明提供一种集成电路、数据暂存器装置及触发器电路。在一个方面中，集成电路包含：第一子电路，具有第一输入节点与第一输出节点之间的第一内部节点；第二子电路，具有第二输入节点与第二输出节点之间的第二内部节点；以及第三子电路，耦接于第一内部节...

本发明提供一种存储装置、控制器以及存储装置的操作方法，该存储装置包含存储器阵列及存储器控制器。存储器控制器产生用于存储器阵列的读取及写入命令。用于存储装置的错误校正码引擎可操作以使用多个不同码字大小、不同码率或不同错误校正码(Error...

本公开提供一种整合式存储器单元，存储器装置的制造方法及其操作方法。整合式存储器单元包括：一第一存储器单元；以及一嵌入式第二存储器单元，串联至该第一存储器单元，其中，该嵌入式第二存储器单元形成于该第一存储器单元的一第一侧与一第二侧的任一侧...

本发明提供一种参考电压电路，包含：第一电路，包含串联连接于电源节点与第一节点之间的第一PN结装置及第一电阻器，以及连接于第一节点与中间节点之间的第二电阻器，以及连接于中间节点与参考电压输出节点之间的第三电阻器；以及第二电路，包含连接于电...

本发明提供了一种半导体装置以及接合衬垫配置。半导体装置具有：第一层，包含导电材料；接合线，耦接至第一层的上部表面；以及第二层，包含在第一层下方的导电材料。一或多个互连线将第二层耦接至第一层。在一实例中，第二层具有多个非连续区段，多个非连...

本公开提供一种快闪存储器及其擦除方法，快闪存储器至少包括存储器阵列与存储器控制电路。存储器控制电路对存储器阵列所包括的多个字线、共同源极线与全域位线施加偏压，以对快闪存储器中的多个存储单元进行擦除。擦除方法包括：依据与各多个字线相应的擦...

本公开提供一种半导体结构。该半导体结构包括一基板、一穿孔、一衬层、一势垒层和一导体。穿孔贯穿基板，衬层形成在穿孔的侧壁上，势垒层形成在衬层上。势垒层包括一导电性2D材料。导体填充穿孔的剩余空间。导体填充穿孔的剩余空间。导体填充穿孔的剩余...

本公开提供一种半导体存储器元件、集成电路芯片以及制造垂直存储器结构的方法。存储器元件包括基底。多个字线层在基底上。垂直NOR行阵列在多个字线层的第一区域中。每一垂直NOR行包含第一导电柱及第二导电柱。每一垂直NOR行包括以NOR组态配置...

本发明提供一种存储器控制器，存储器控制器接收将信息编程至由存储器控制器控制的存储器存储阵列的命令。存储器控制器判定存储信息的目标存储器状态及对应于目标存储器状态的目标阈值电压电平。存储器控制器至少基于目标存储器状态判定用于预编程循环的一...

本公开提供一种芯片，包含基板以及设置在基板上的多个功能单元。各功能单元具有各自成组的多个连接垫。功能单元之间相互连接，且没有切割道通过芯片。本公开还提供一种具有此芯片的半导体结构。片的半导体结构。片的半导体结构。

本公开提供一种3D快闪存储器，包括栅极叠层结构、环型通道柱、第一源极/漏极柱、第二源极/漏极柱及电荷储存结构。栅极叠层结构设置于电介质基板上，包括相互电性隔离的多个栅极层。环型通道柱设置在该电介质基板上并穿过该栅极叠层结构。第一源极/漏...

本公开提供一种存储器结构及其制造方法。存储器结构包括电荷捕捉层、第一氮氧化硅隧穿膜以及第二氮氧化硅隧穿膜。第一氮氧化硅隧穿膜在电荷捕捉层与第二氮氧化硅隧穿膜之间。第一氮氧化硅隧穿膜的氮原子的浓度对于氧原子与氮原子的总浓度的第一原子浓度比...

本发明提供一种三维快闪存储器包括：基底、堆叠结构、停止层、两个狭缝沟道、多个垂直通道结构以及多个狭缝开孔。堆叠结构配置在基底上。堆叠结构包括交替堆叠的多个介电层与多个导体层。停止层配置在基底与堆叠结构之间。两个狭缝沟道贯穿堆叠结构以暴露...

本公开提供一种三维存储器元件的形成方法，包括：在缓冲层上形成放电层与堆叠结构；在堆叠结构中形成多个垂直通道结构；在堆叠结构中形成开口，其中开口包括沿着X方向延伸的两个第一沟道与沿着Y方向延伸的两个第二沟道，且两个第一沟道与两个第二沟道彼...

本公开提供一种三维AND快闪存储器元件，包括：叠层结构，位于介电基底上，其中所述叠层结构包括彼此交替叠层的多个栅极层与多个绝缘层；多个分隔物，将所述叠层结构分隔成多个子区块，所述多个分隔物包括：多个叠层墙，包括彼此交替叠层的多个分隔层与...

本发明提供一种三维存储器装置，如三维与门快闪存储器(3D ANDFlash memory)装置。三维存储器装置包括多条字线、多个第一开关、多个第二开关以及N个导线层，N为大于1的正整数。字线区分为多个字线群组。第一开关接收共同字线电压。...

本公开提供一种三维AND快闪存储器元件，包括：栅极叠层结构，位于介电基底上，其中所述栅极叠层结构包括彼此交替叠层的多个栅极层与多个绝缘层；多个通道柱，穿过所述栅极叠层结构；多个第一导体柱与多个第二导体柱，位于所述多个通道柱内，且与所述多...

本公开提供一种三维存储器装置，如三维与门快闪存储器装置。三维存储器装置包括多个存储单元阵列、多个位线开关以及多个源极线开关。存储单元阵列具有多个存储单元行分别耦接至多条源极线以及多条位线。位线开关、源极线开关分别由多个第一晶体管、第二晶...