三维AND快闪存储器元件及其制造方法技术

本公开提供一种三维AND快闪存储器元件，包括：叠层结构，位于介电基底上，其中所述叠层结构包括彼此交替叠层的多个栅极层与多个绝缘层；多个分隔物，将所述叠层结构分隔成多个子区块，所述多个分隔物包括：多个叠层墙，包括彼此交替叠层的多个分隔层与所述多个绝缘层，其中所述多个分隔层埋在所述多个栅极层中；多个分隔狭缝，与所述多个叠层墙彼此交替，其中每一分隔狭缝延伸穿过所述叠层结构；多个通道柱，延伸穿过每一子区块的所述叠层结构；多个源极柱与多个漏极柱，位于所述多个通道柱内；以及多个电荷储存结构，位于所述多个栅极层与所述通道柱之间。所述通道柱之间。所述通道柱之间。

【技术实现步骤摘要】
三维AND快闪存储器元件及其制造方法


[0001]本公开是有关于一种半导体元件及其制造方法，且特别是有关于一种三维AND快闪存储器元件及其制造方法。

技术介绍

[0002]非易失性存储器具有可使得存入的数据在断电后也不会消失的优点，因此广泛采用于个人计算机和其他电子设备中。目前业界较常使用的三维存储器包括或非门(NOR)存储器以及与非门(NAND)存储器。此外，另一种三维存储器为与门(AND)存储器，其可应用在多维度的存储器阵列中而具有高集成度与高面积利用率，且具有操作速度快的优点。因此，三维存储器元件的发展已逐渐成为目前的趋势。
[0003]公开内容
[0004]本公开提出一种三维AND快闪存储器元件及其制造方法可以减少叠层结构倾斜或倒塌。
[0005]本公开的一实施例提出一种三维AND快闪存储器元件，包括：叠层结构，位于介电基底上，其中所述叠层结构包括彼此交替叠层的多个栅极层与多个绝缘层；多个分隔物，将所述叠层结构分隔成多个子区块，所述多个分隔物包括：多个叠层墙，包括彼此交替叠层的多个分隔层与所述多个绝缘层，其中所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三维AND快闪存储器元件，包括：叠层结构，位于介电基底上，其中所述叠层结构包括彼此交替叠层的多个栅极层与多个绝缘层；多个分隔物，将所述叠层结构分隔成多个子区块，所述多个分隔物包括：多个叠层墙，包括彼此交替叠层的多个分隔层与所述多个绝缘层，其中所述多个分隔层埋在所述多个栅极层中；多个分隔狭缝，与所述多个叠层墙彼此交替，其中每一分隔狭缝延伸穿过所述叠层结构的所述多个栅极层与所述多个绝缘层；多个通道柱，延伸穿过每一子区块的所述叠层结构；多个源极柱与多个漏极柱，位于所述多个通道柱内，且与所述多个通道柱电性连接；以及多个电荷储存结构，位于所述多个栅极层与所述通道柱之间。2.根据权利要求1所述的三维AND快闪存储器元件，其中每一所述分隔层具有弯曲的轮廓。3.根据权利要求1所述的三维AND快闪存储器元件，其中每一所述分隔层的长度小于或等于所述每一分隔狭缝的长度；每一所述分隔层的宽度小于或等于所述每一分隔狭缝的宽度。4.根据权利要求1所述的三维AND快闪存储器元件，其中所述多个分隔层的材料与所述分隔狭缝的材料不同。5.根据权利要求1所述的三维AND快闪存储器元件，其中每一所述分隔层的两侧与所述多个栅极层相邻。6.根据权利要求1所述的三维AND快闪存储器元件，其中所述多个分隔层的每一侧壁与所述电荷储存结构接触。7.一种三维AND快闪存储器元件的制造方法，包括：形成叠层结构于介电基...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡志玮，叶腾豪，吕函庭，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：