【技术实现步骤摘要】
存储器结构及其制造方法
[0001]本专利技术是有关于一种存储器结构及其制造方法。
技术介绍
[0002]非易失性存储器装置在设计上有一个很大的特性是，当存储器装置失去或移除电源后仍能保存数据状态的完整性。目前业界已经提出许多不同型态的非易失性存储器装置。其中一个技术发展议题是使存储器装置具有更佳的存储单元数据保存性(data retention)。
[0003]公开内容
[0004]本公开有关于一种存储器结构及其制造方法。
[0005]根据本公开的一方面，提出一种存储器结构，其包括电荷捕捉层、第一氮氧化硅隧穿膜以及第二氮氧化硅隧穿膜。第一氮氧化硅隧穿膜在电荷捕捉层与第二氮氧化硅隧穿膜之间。第一氮氧化硅隧穿膜的氮原子的浓度对于氧原子与氮原子的总浓度的第一原子浓度比率为10％至50％。第二氮氧化硅隧穿膜的氮原子的浓度对于氧原子与氮原子的总浓度的第二原子浓度比率为1％至15％。第二氮氧化硅隧穿膜的氮原子的浓度小于第一氮氧化硅隧穿膜的氮原子的浓度。
[0006]根据本公开的另一方面，提出一种存储器结...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储器结构，包括：一电荷捕捉层；一第一氮氧化硅隧穿膜；以及一第二氮氧化硅隧穿膜，其中该第一氮氧化硅隧穿膜在该电荷捕捉层与该第二氮氧化硅隧穿膜之间，该第一氮氧化硅隧穿膜的氮原子的浓度对于氧原子与氮原子的总浓度的第一原子浓度比率为10％至50％，该第二氮氧化硅隧穿膜的氮原子的浓度对于氧原子与氮原子的总浓度的第二原子浓度比率为1％至15％，该第二氮氧化硅隧穿膜的该氮原子的浓度小于该第一氮氧化硅隧穿膜的该氮原子的浓度。2.根据权利要求1所述的存储器结构，其中该第二氮氧化硅隧穿膜的该氮原子的浓度沿远离该电荷捕捉层的方向逐渐变小。3.根据权利要求1所述的存储器结构，还包括一通道层，其中该第二氮氧化硅隧穿膜在该第一氮氧化硅隧穿膜与该通道层之间。4.根据权利要求1所述的存储器结构，其中该第一氮氧化硅隧穿膜对于该第二氮氧化硅隧...
【专利技术属性】
技术研发人员：张亘亘，卢棨彬，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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