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本公开提供一种存储器结构及其制造方法。存储器结构包括电荷捕捉层、第一氮氧化硅隧穿膜以及第二氮氧化硅隧穿膜。第一氮氧化硅隧穿膜在电荷捕捉层与第二氮氧化硅隧穿膜之间。第一氮氧化硅隧穿膜的氮原子的浓度对于氧原子与氮原子的总浓度的第一原子浓度比率为...
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