旺宏电子股份有限公司专利技术

旺宏电子股份有限公司共有3210项专利

  • 本公开提供一种半导体元件,包括:基底;源极区与漏极区位于所述基底中;栅极结构,位于所述源极区与所述漏极区之间的所述基底中;绝缘层,位于栅极结构与所述漏极区之间;多个场板,位于所述绝缘层上,其中最接近所述栅极结构的所述场板与所述源极区电性...
  • 本公开提供一种内容可寻址存储器(CAM)单元,CAM存储器装置及其操作方法。CAM单元包括:多个并联快闪存储器单元,该内容可寻址存储器单元的一储存数据决定于这些并联快闪存储器单元的多个阈值电压的组合。单元的多个阈值电压的组合。单元的多个...
  • 本公开提供了一种三维半导体装置和存储装置。该半导体装置包含:半导体基板、垂直地堆叠于半导体基板上的多个导电层、以及多个晶体管。多个导电层包含依序堆叠在一起的第一导电层、第二导电层与第三导电层。多个晶体管包含在第一导电层中的第一晶体管与第...
  • 本发明提供一种存储器元件,包括:基底;金属内连线结构,位于所述基底上;第一堆叠结构,位于所述金属内连线结构上,包括相互交替的多个第一导体层以及多个第一绝缘层以及嵌在所述多个第一导体层以及所述多个第一绝缘层中的绝缘结构;第二堆叠结构,位于...
  • 本公开提供了一种三维存储器装置及其三元内容可寻址存储单元。三元内容可寻址存储单元包括第一存储单元、第二存储单元、第一搜索开关以及第二搜索开关。第一存储单元设置在第一与式快闪存储单元行中。第二存储单元设置在第二与式快闪存储单元行中。第一搜...
  • 本发明提供一种以系统级封装配置实现的可重组式推理平台,该可重组式推理平台中的系统包含处理器芯片、存储推理引擎的一组可执行模型的第一存储器芯片、以及存储被选取可执行模型的权重的第二存储器芯片。处理器芯片具有运行处理器核心、加速器核心与暴露...
  • 本公开提供一种三维AND快闪存储器(3D AND Flash)元件,包括:栅极堆叠结构,设置于介电基底上,且包括多层栅极层与多层绝缘层彼此交互堆叠;通道柱贯穿所述栅极堆叠结构;第一导体柱以及第二导体柱设置于所述通道柱内并贯穿所述栅极堆叠...
  • 本公开提供一种用于一模拟内容可寻址存储器的存储单元和模拟内容可寻址存储器装置。模拟内容可寻址存储器的存储单元包括一N型晶体管、一P型晶体管、及一电流控制电路。N型晶体管的栅极用于接收一第一输入信号。P型晶体管的栅极用于接收一第二输入信号...
  • 本申请提供一种三维快闪存储器装置,如三维与门快闪存储器(3D AND Flash memory)装置。所述三维快闪存储器装置包括基板、一导电层、三维快闪存储器阵列以及贯通阵列导电结构。所述基板包括存储单元区以及无源元件区。所述导电层形成...
  • 本公开提供了一种存储器装置及集成电路,包含计算机可读介质,用于管理存储器装置中的页面缓冲电路。本公开内容的一方面为存储器装置,包括存储器阵列、耦接于存储器单元的各线的存储器单元线以及具有耦合至存储器单元线的页面缓冲器的页面缓冲电路。每个...
  • 本公开提供一种存储器装置及其制造方法。该存储装置,包括叠层及多个存储器串列。叠层设置于基板上,叠层包括交替叠层的多个导电层及多个绝缘层。存储器串列沿着第一方向穿过叠层,其中存储器串列中的一第一存储器串列包括第一导电柱及第二导电柱、沟道层...
  • 本公开提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括通道柱、形成于通道柱上的介电层、形成于介电层中且电性连接于通道柱的通孔元件、以及形成于介电层与通孔元件之间的间隔元件。元件。元件。
  • 本发明提供一种维持数据一致性的存储系统及其操作方法。操作方法包括:一第一存储器的一第一快取从一处理器接收一第一数据;将该第一数据由该第一存储器的该第一快取读出,并将该第一数据以一重做日志写入至该第一存储器的一日志缓冲区,其中,该第一数据...
  • 本发明提供一种存储器以及其感测放大装置,感测放大装置包括位线偏压调整器以及感测放大电路。位线偏压调整器接收电源电压以作为操作电压。位线偏压调整器包括第一放大器、第一晶体管以及第一电流源。第一放大器,基于电源电压,根据参考位线电压以及反馈...
  • 本公开提供一种多阶内容可寻址存储器、多阶编码方法与多阶搜索方法。多阶编码方法包括以下步骤。获得一多位二进制数据的一最高十进制数值。设定一数字字符串数据的一长度为多位二进制数据的最高十进制数值。转换多位二进制数据为数字字符串数据。若多位二...
  • 本公开提供一种存储器及用于基于存储器的类神经网络的训练方法。训练方法包括:取得一存储器的对应于一或多个影响因子的一或多个转换函数;根据一理想状况及该一或多个影响因子决定一训练计划;根据该训练计划及该一或多个转换函数,对该类神经网络进行训...
  • 本发明提供一种内容定址存储器(CAM)单元、CAM存储器装置及其操作方法以及数据搜索比对的方法。CAM单元包括:一第一快闪存储器单元,该第一快闪存储器单元的一第一端用以接收一第一搜索电压;一第二快闪存储器单元,该第二快闪存储器单元的一第...
  • 本公开提供了一种非易失性存储器及其编程方法。非易失性存储器的编程方法包括以下步骤。执行一粗略编程程序,以将所有位于一擦除状态的多个存储单元编程至2
  • 本公开提供一种用于数据搜索的存储器装置及数据搜索方法。该数据搜索方法包括以下步骤。接收一搜索字,并将其分割为多个区段。将这些区段编码为多个编码区段以分别对应至一存储器阵列的多个存储器区块。将这些编码区段引导至这些存储器区块以分别进行数据...
  • 本公开提供一种存储器装置,存储器装置包含3D数据存储器及3D参考存储器。参考存储器用于产生用于感测数据存储器中的数据的参考信号。转换电路将来自参考存储器中的存储器单元的群组的信号转换成参考信号。参考信号施加至感测放大器以感测储存于数据存...