存储器以及其感测放大装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种存储器以及其感测放大装置，感测放大装置包括位线偏压调整器以及感测放大电路。位线偏压调整器接收电源电压以作为操作电压。位线偏压调整器包括第一放大器、第一晶体管以及第一电流源。第一放大器，基于电源电压，根据参考位线电压以及反馈电压以产生调整后参考位线电压。第一晶体管接收调整后参考位线电压，并产生反馈电压。感测放大电路接收电源电压以作为操作电压，用以根据调整后参考位线电压以产生感测结果。考位线电压以产生感测结果。考位线电压以产生感测结果。

【技术实现步骤摘要】
存储器以及其感测放大装置


[0001]本专利技术是有关于一种存储器以及其感测放大装置，且特别是有关于一种可在低电源电压下正常工作的存储器以及其感测放大装置。

技术介绍

[0002]在电子装置的低电源应用中，极低的电源消耗是一个重要的特征，以可有效延长电池的使用时间。在集成电路中，大部分的电源消耗发生在电压泵电路所产生的电压转换动作中。因此，如何有效的减低电压泵电路的使用量，是降低功率消耗的重要关键。
[0003]在传统的存储器的读取动作中，感测放大装置中的位线调整器为了有效进行参考位线电压的调整动作，在低电源电压的工作条件下，会发生电源电压的电压值不够高的状况。因此，传统技术中，常利用电荷泵电路来在读取动作中以提升电源电压的电压值，以使位线调整器可维持正常动作。但这个电荷泵电路所执行的电压转换动作，却造成过度的功率消耗。
[0004]公开内容
[0005]本专利技术提供一种存储器以及其感测放大装置。其中的感测放大装置可在低电源电压下正常工作。
[0006]本专利技术的感测放大装置包括位线偏压调整器以及感测放大电路。位线偏压调整器接收电源电压以作为操作电压。位线偏压调整器包括第一放大器、第一晶体管以及第一电流源。第一放大器接收参考位线电压以及反馈电压，基于电源电压，根据参考位线电压以及反馈电压以产生调整后参考位线电压。第一晶体管具有第一端接收电源电压。第一晶体管的第二端产生反馈电压。第一晶体管的控制端接收调整后参考位线电压。第一电流源耦接在第一晶体的第二端与参考接地端间。感测放大电路接收电源电压以作为操作电压，用以根据调整后参考位线电压以产生感测结果。
[0007]本专利技术的存储器包括存储单元阵列以及如上所述的感测放大装置。感测放大装置耦接存储单元阵列，用以感测该存储单元阵列中的选中存储单元的存储单元电流以产生感测结果
[0008]基于上述，本专利技术的感测放大装置，通过在位线偏压调整器中设置为具有低阈值电压的第一晶体管，以使位线偏压调整器可基于未被升压的电源电压来产生有效的调整后参考位线电压，并使感测放大电路可根据调整后参考位线电压以产生正确的感测结果。如此一来，感测放大装置可基于低电源电压进行操作，达到节省功耗的需求。
附图说明
[0009]图1绘示本专利技术一实施例的感测放大装置的示意图。
[0010]图2绘示本专利技术另一实施例的感测放大装置的示意图。
[0011]图3绘示本专利技术实施例的感测放大装置中的感测放大电路的另一实施方式的示意图。
[0012]图4绘示本专利技术实施例的感测放大电路的局部剖面结构示意图。
[0013]图5绘示本专利技术另一实施例的感测放大装置的示意图。
[0014]图6绘示本专利技术一实施例的存储器的实施方式的示意图。
[0015]附图标记说明
[0016]100、200、500、630：感测放大装置
[0017]110、210、510：位线偏压调整器
[0018]120、220、300、520：感测放大电路
[0019]121、122、221、222、321、322：电流电压转换器
[0020]411、412、413、414：掺杂区
[0021]600：存储器
[0022]610：存储单元阵列
[0023]620：多工器
[0024]CME：共同端
[0025]DE1、DE2：差动端
[0026]G1、G2：栅极结构
[0027]HVPW：阱区
[0028]IREF1、ICELL、IREF2、IBIAS：电流源
[0029]MNR、MNO～MN3、MT0、MT1、MPA、MPB、MNA、MNB、MT0A、MT1A：晶体管
[0030]OP1、OP2、511：放大器
[0031]OX1、OX2：氧化层
[0032]R0、R1：电阻
[0033]SR：感测结果
[0034]VB1、VBH：偏压电压
[0035]VBL：参考位线电压
[0036]VBL
’
：调整后参考位线电压
[0037]VDD：电源电压
[0038]VFB：反馈电压
[0039]VS1：选择电压
[0040]VSS：参考接地端
具体实施方式
[0041]请参照图1，图1绘示本专利技术一实施例的感测放大装置的示意图。感测放大装置100包括位线偏压调整器110以及感测放大电路120。位线偏压调整器110接收电源电压VDD以作为操作电压。位线偏压调整器110包括放大器OP1、晶体管MNR以及电流源IREF1。放大器OP1接收参考位线电压VBL以及反馈电压VFB。放大器OP1接收电源电压VDD以作为操作电压。放大器OP1基于电源电压VDD，根据参考位线电压VBL以及反馈电压VFB以产生调整后参考位线电压VBL
’
。细节上，放大器OP1可具有正输入端以接收参考位线电压VBL，并具有负输入端以接收反馈电压VFB。晶体管MNR具有第一端接收电源电压VDD；晶体管MNR的第二端产生反馈电压VFB；晶体管MNR的控制端接收调整后参考位线电压VBL
’
，其中，晶体管MNR的阈值电压
(threshold voltage)小于一般晶体管的阈值电压(等于基准值)，例如，晶体管MNR可以为原生晶体管(native transistor)。电流源IREF1则耦接在晶体管MNR的第二端与参考接地端VSS间。
[0042]此外，感测放大电路120同样接收电源电压VDD以作为操作电压，用以根据调整后参考位线电压VBL
’
以产生感测结果SR。在本实施例中，感测放大电路120包括电流电压转换器121、122、放大器OP2、晶体管MN0～MN3以及电流源ICELL、IREF2。电流电压转换器121的一端接收电源电压VDD，电流电压转换器121的另一端耦接至晶体管MN0的第一端。电流电压转换器122的一端接收电源电压VDD，电流电压转换器122的另一端耦接至晶体管MN1的第一端。晶体管MN0、晶体管MN2以及电流源ICELL依序串接在电流电压转换器121以及参考接地端VSS间。其中，晶体管MN0的控制端接收调整后参考位线电压VBL
’
，晶体管MN2作为选择开关，并根据选择电压VS1来被导通。另外，晶体管MN1、晶体管MN3以及电流源IREF2依序串接在电流电压转换器122以及参考接地端VSS间。其中，晶体管MN1的控制端接收调整后参考位线电压VBL
’
，晶体管MN3作为选择开关，并根据选择电压VS1来被导通。在本实施例中，电流源ICELL以及IREF2分别提供存储单元电流以及参考电流。
[0043]电流电压转换器121、122可分别由晶体管MT0以及MT1来建构。晶体管MT0的第一端接收电源电压VDD晶体管MT0的第二端耦接至晶体管MN0的第一端；晶体管MT0的控制端接收偏压电压V本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种感测放大装置，其特征在于，包括：一位线偏压调整器，接收一电源电压以作为操作电压，该位线偏压调整器包括：一第一放大器，接收一参考位线电压以及一反馈电压，基于该电源电压，根据该参考位线电压以及该反馈电压以产生一调整后参考位线电压；一第一晶体管，具有一第一端接收该电源电压，该第一晶体管的一第二端产生该反馈电压，该第一晶体管的一控制端接收该调整后参考位线电压；以及一第一电流源，耦接在该第一晶体管的该第二端与一参考接地端间；以及一感测放大电路，接收该电源电压以作为操作电压，用以根据该调整后参考位线电压以产生一感测结果。2.根据权利要求1所述的感测放大装置，其特征在于，该第一放大器包括：一差动对，接收该参考位线电压以及该反馈电压，分别根据该参考位线电压以及该反馈电压以产生一第一电流以及一第二电流；一主动负载，耦接至该差动对的二差动端，根据该第二电流以产生该调整后参考位线电压；以及一第二电流源，耦接至该差动对的共同端，提供一共同电流，其中该第一电流与该第二电流的和等于该共同电流。3.根据权利要求2所述的感测放大装置，其特征在于，该差动对包括：一第二晶体管，具有一第一端耦接至一第一差动端，该第二晶体管的一第二端耦接至该共同端，该第二晶体管的一控制端接收该参考位线电压；以及一第三晶体管，具有一第一端耦接至一第二差动端，该第三晶体管的一第二端耦接至该共同端，该第三晶体管的一控制端接收该反馈电压。4.根据权利要求3所述的感测放大装置，其特征在于，该主动负载包括：一第四晶体管，具有一第一端接收该电源电压，该第四晶体管的一第二端及一控制端均耦接至该第一差动端；以及一第五晶体管，具有一第一端为接收该电源电压，该第五晶体管的一第二端耦接至该第二差动端，该第五晶体管的一控制端耦接至该第四晶体管的一控制端。5.根据权利要求4所述的感测放大装置，其特征在于，该第二晶体管至该第五晶体管均工作在饱和区。6.根据权利要求1所述的感测放大装置，其特征在于，该感测放大电路包括：一第一电流电压转换器，具有一第一端接收该电源电压；一第二电流电压转换器，具有一第一端接收该电源电压；一第二晶体管，耦接在该第一电流电压转换器的一第二端与该参考接地端间，受控于该调整后参考位线电压；一第三晶体管，耦接在该第二电流电压转换器的一第二端与该参考接地端间，受控于该调整后参考位线电压；一第一选择开关，耦接在该第二晶体管与该参考接地端间，受控于一选择电压；一第二选择开关，耦接在该第三晶体管与该参考接地端间，受控于该选择电压；一第二电流源，耦接在该第一选择开关与该参考接地端间，提供一存储...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜彦宁，杨尚辑，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：