存储器元件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种存储器元件，包括：基底；金属内连线结构，位于所述基底上；第一堆叠结构，位于所述金属内连线结构上，包括相互交替的多个第一导体层以及多个第一绝缘层以及嵌在所述多个第一导体层以及所述多个第一绝缘层中的绝缘结构；第二堆叠结构，位于所述第一堆叠结构上，包括相互交替的多个第二绝缘层以及多个间隔层；第一导体柱，嵌在所述绝缘结构中，以与所述金属内连线结构电性连接；以及第一接触窗，穿过所述第二堆叠结构的所述多个第二绝缘层以及所述多个间隔层，以与所述第一导体柱电性连接。性连接。性连接。

【技术实现步骤摘要】
存储器元件及其制造方法


[0001]本专利技术实施例是有关于一种半导体元件及其制造方法，且特别是有关于一种存储器元件及其制造方法。

技术介绍

[0002]非易失性存储器元件(如，快闪存储器)由于具有使存入的数据在断电后也不会消失的优点，因此成为个人电脑和其他电子设备所广泛采用的一种存储器元件。
[0003]目前业界较常使用的快闪存储器阵列包括或非门(NOR)快闪存储器与与非门(NAND)快闪存储器。由于NAND快闪存储器的结构是使各存储单元串接在一起，其集成度与面积利用率比NOR快闪存储器好，已经广泛地应用在多种电子产品中。此外，为了进一步地提升存储器元件的集成度，发展出一种三维NAND快闪存储器。然而，仍存在许多与三维NAND快闪存储器相关的挑战。举例来说，不同区域的接触窗的深度差异，可能造成工艺窗(process window)太小等问题。
[0004]公开内容
[0005]本专利技术提供一种存储器元件，可以减少不同区域的接触窗的深度差异，以增加工艺窗。
[0006]本专利技术实施例提出一种存储器元件，包括：本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器元件，其特征在于，包括：基底；金属内连线结构，位于所述基底上；第一堆叠结构，位于所述金属内连线结构上，包括相互交替的多个第一导体层以及多个第一绝缘层；以及绝缘结构，嵌在所述多个第一导体层以及所述多个第一绝缘层中；第二堆叠结构，位于所述第一堆叠结构上，包括相互交替的多个第二绝缘层以及多个间隔层；第一导体柱，嵌在所述绝缘结构中，以与所述金属内连线结构电性连接；以及第一接触窗，穿过所述第二堆叠结构的所述多个第二绝缘层以及所述多个间隔层，以与所述第一导体柱电性连接。2.根据权利要求1所述的存储器元件，其特征在于，所述第一接触窗着陆在所述第一导体柱上。3.根据权利要求1所述的存储器元件，其特征在于，还包括连接垫，位于所述第一接触窗与所述第一导体柱之间。4.根据权利要求1所述的存储器元件，其特征在于，所述第一堆叠结构更包括虚设结构，嵌在所述绝缘结构中，且所述第一导体柱被所述虚设结构环绕。5.根据权利要求4所述的存储器元件，其特征在于，所述虚设结构包括相互交替的所述多个第一导体层以及所述多个第一绝缘层。6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨金成，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：