三维快闪存储器装置制造方法及图纸

本申请提供一种三维快闪存储器装置，如三维与门快闪存储器(3D AND Flash memory)装置。所述三维快闪存储器装置包括基板、一导电层、三维快闪存储器阵列以及贯通阵列导电结构。所述基板包括存储单元区以及无源元件区。所述导电层形成于基板上，且所述导电层包括：设置于存储单元区的第一线路以及设置于无源元件区的无源元件的第二线路。所述三维快闪存储器阵列则形成于存储单元区的所述第一线路上。所述贯通阵列导电结构分别形成在设置于无源元件区的所述无源元件的所述第二线路上并连接所述第二线路的至少一端。连接所述第二线路的至少一端。连接所述第二线路的至少一端。

【技术实现步骤摘要】
三维快闪存储器装置


[0001]本专利技术是有关于一种快闪存储器的技术，且特别是有关于一种三维(three dimensional，3D)快闪存储器装置。

技术介绍

[0002]非易失性存储器(例如快闪存储器)由于具有使存入的数据在断电后也不会消失的优点，因此成为个人计算机和其他电子设备所广泛采用的一种存储器。
[0003]随着工艺技术、电路设计以及程序设计算法的发展，存储器装置的尺寸已大幅缩小，以便取得更高的集成度。然而，由于工艺上的限制，传统平面式存储器装置的尺寸已经无法符合尺寸微缩的需求。
[0004]因此，目前研发三维快闪存储器装置来解决上述平面式存储器所遭遇的问题。三维(3D)快闪存储器装置架构包括三维快闪存储器阵列和周边元件。另外，三维快闪存储器装置中还包括一些无源元件，如电容器或电阻器等。这些无源元件一般是在完成三维快闪存储器阵列的制作后，再制作在其上方。
[0005]然而，上述无源元件通常需要额外的光掩膜工艺，导致制造成本增加，且增加缺陷形成的几率，而影响芯片的良率。
[0006]公开内容
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三维快闪存储器装置，包括：基板，包括存储单元区以及无源元件区；一导电层，形成于所述基板上，所述导电层包括：设置于所述存储单元区的第一线路以及设置于所述无源元件区的无源元件的第二线路；三维快闪存储器阵列，形成于所述存储单元区的所述第一线路上；以及多个贯通阵列导电结构，分别形成在设置于所述无源元件区的所述无源元件的所述第二线路上并连接所述第二线路的至少一端。2.根据权利要求1所述的三维快闪存储器装置，其中所述三维快闪存储器阵列为三维与门快闪存储器阵列，且所述第一线路为所述三维与门快闪存储器阵列中的源极柱与漏极柱底部的蚀刻中止层。3.根据权利要求1所述的三维快闪存储器装置，其中所述三维快闪存储器阵列为三维与非门快闪存储器阵列，且所述第一线路为所述三维与非门快闪存储器阵列中的源极线。4.根据权利要求1所述的三维快闪存储器装置，其中所述无源元件包括电容器或电阻器。5.根据权利要求1所述的三维快闪存储器装置，其中所述无源元件的所述第二线路包括蛇型线路或指叉状线路。6.根据权利要求1所述的三维快闪存储器装置，其中所述第二线路的所述至少一端为环状结构，且所述贯通阵列导电结构还穿过所述环状结构的中央开口连至下端元件。7.一种三维快闪存储器装置，包括：基板，包括存储单元区以及无源元件区；一导电层，形成于所述基板上，所述导电层包括：设置于所述无...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁立言，叶腾豪，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：