【技术实现步骤摘要】
存储器装置及其制造方法
[0001]本专利技术是有关于一种存储器装置，且特别是有关于一种三维存储器装置及其制造方法。
技术介绍
[0002]近来，由于对于更优异的存储器装置的需求已逐渐增加，已提供各种三维(3D)存储器装置。然而，大部分的三维存储器装置仍存在一些电性问题。因此，目前仍有需要提供一种改善的三维存储器装置及其制造方法。
[0003]公开内容
[0004]本专利技术有关于一种存储器装置及其制造方法。本专利技术的存储器装置中，存储器结构与沟道层之间的接触面积较小，故可克服现有的一些电性问题。
[0005]根据本专利技术的一实施例，提出一种存储器装置。存储器装置包括叠层及多个存储器串列。叠层设置于基板上，叠层包括交替叠层的多个导电层及多个绝缘层。存储器串列沿着第一方向穿过叠层，其中存储器串列中的一第一存储器串列包括第一导电柱及第二导电柱、沟道层以及存储器结构。第一导电柱及第二导电柱分别沿着第一方向延伸且彼此分开。沟道层设置于第一导电柱与第二导电柱之间。存储器结构环绕第二导电柱，其中存储器结构包括...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，包括：一叠层，设置于一基板上，该叠层包括交替叠层的多个导电层及多个绝缘层；以及多个存储器串列，沿着一第一方向穿过该叠层，其中这些该存储器串列中的一第一存储器串列包括：一第一导电柱及一第二导电柱，分别沿着该第一方向延伸且彼此分开；一沟道层，设置于该第一导电柱与该第二导电柱之间；以及一存储器结构，环绕该第二导电柱，其中该存储器结构包括一电阻式存储器材料。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中该存储器结构设置于该第二导电柱与该沟道层之间。3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中该存储器结构具有一内表面及一外表面，该内表面相对于该外表面，该内表面直接接触于该第二导电柱，该外表面直接接触于该沟道层，使得该第二导电柱与该沟道层之间通过该存储器结构所分开。4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中该基板具有一上表面，该叠层形成于该上表面上，这些导电层与这些绝缘层分别沿着一第二方向延伸，该第二方向与该第一方向交错，在该第二方向中，这些导电层的长度小于与这些绝缘层的长度。5.根据权利要求1所述的存储器装置，还包括多个凹槽，这些凹槽设置于这些导电层与这些绝缘层之间，其中该沟道层设置于这些凹槽中。6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中该沟道层包括多个沟道部分，这些沟道部分对应不同层的这些导电层，且这些沟道部分彼此分开。7.根据权利要求1所述的存储器装置，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：李峯旻，赖二琨，李岱萤，林榆瑄，曾柏皓，李明修，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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