本公开提供了一种三维存储器结构及其形成方法

本发明提供一种存储器装置，例如三维与门快闪存储器

本公开提供了一种半导体结构及其制备方法

本发明提供一种集成电路结构及其形成方法，该集成电路结构包括基材

本公开提供一种存储器装置及其计算方法，该存储器装置包括：存储器阵列

本发明提供一种三态内容可寻址存储器，设置于堆叠式存储器装置中，包括第一存储单元串以及第二存储单元串

本发明提供存储器装置与其操作方法

本发明提供一种存储器元件，可以应用于三维

本公开提供了一种半导体元件

本公开提供了一种电路结构

本发明提供了一种存储器装置及其数据的近似搜索方法。存储器装置包括多个选择开关对、多个存储单元串对、感测放大器以及页缓冲器。选择开关对分别接收多个搜索数据对。存储单元串对分别通过选择开关对耦接至共同位线，各存储单元串对根据选中存储单元对的...

本公开提供一种集成电路结构。集成电路结构包括衬底、内连接堆叠结构、第一存储器阵列以及源极线。内连接堆叠结构位于衬底上方。第一存储器阵列位于内连接堆叠结构上方，且包含在一垂直方向上堆叠的多个存储器元件，每一存储器元件包含导电层。第一存储器...

本公开提供了一种存储器装置及其数据写入方法和数据读取方法。该存储器装置包含：存储器阵列、缓存阵列和电路。存储器阵列包含第一阵列、在第一阵列本端的第一冗余阵列、第二阵列以及在第二阵列本端的第二冗余阵列。缓存阵列包含第一缓存、在第一缓存本端...

本公开提供一种存储器装置。存储器装置包含堆叠结构、配置于堆叠结构中的下隔离结构与配置于堆叠结构中的两个存储单元串列。堆叠结构包含多个导电层。下隔离结构具有位在堆叠结构的下部的上表面。下隔离结构使多个导电层中的至少一导电层分开为第一导电条...

本发明提供内容可寻址存储器(CAM)装置、内容可寻址存储器单元及其数据搜索比对方法。内容可寻址存储器装置包括：多个内容可寻址存储器串；以及一电性特征侦测电路，耦接至这些内容可寻址存储器串；其中，在进行数据搜索时，将一搜索数据比对于这些内...

本发明提供了一种存储器元件及其制造方法。所述存储器元件可以应用于三维AND快闪存储器元件。存储器元件包括栅极堆叠结构、通道柱、多个导体柱以及电荷储存结构。所述栅极堆叠结构位于介电基底上方。所述栅极堆叠结构包括彼此交替堆叠的多个栅极层与多...

本发明提供了一种三维AND快闪存储器元件，包括栅极堆叠结构、通道柱、源极柱与漏极柱、电荷储存结构、第一晶体管与第二晶体管。所述栅极堆叠结构位于介电基底上，其中所述栅极堆叠结构包括彼此交替堆叠的多个栅极层与多个绝缘层。所述通道柱延伸穿过所...

本公开提供了一种装置和存储器装置，尤其是一种三维存储器装置中的电容器。在一个方面，一种装置包含：第一端；第二端，与第一端导电绝缘；以及电容结构，包含依序堆叠在一起的多个层。至少一个层包含：在层中彼此导电绝缘的一或多个第一导电部分及一或多...

本公开提供了一种相变材料和存储器装置。相变材料包括多个元素，具有从9至14at％的锗、从15至22at％的锑、从44至55at％的碲、从5.5至9at％的硅及从14.5至20at％的碳的一组成。一种存储器装置包括相变材料。包括相变材料的...

本公开提供了集成电路，包括具有用于并行存取存储器阵列数据的数据线的多个存储器阵列、输入输出接口、位于存储器阵列与输入输出接口之间的多个数据路径电路、多个运算电路以及数据分析电路。数据路径电路包括连接存储器阵列的各数据线的多个缓冲单元，每...