存储器装置及其操作方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供存储器装置与其操作方法

【技术实现步骤摘要】
存储器装置及其操作方法


[0001]本专利技术有关于一种存储器装置及其操作方法
。

技术介绍

[0002]在存储器装置中，在闲置一段长时间后，对存储器装置的读取
(
以下称为第一次读取
)
，读取电流会偏高，通常会感应到低阈值电压
(Vt)
，容易出现暂时读取错误
(temporal read error)。
然而，暂时读取错误通常不会出现在下一次读取
(
亦即第二次读取
)
，因为在两次连续读取之间的闲置时间通常不会太长
。
[0003]图
1A
显示第一次读取与第二次读取的读取波形图
。
在第一次读取
(100
μ
s)
与第二次读取
(100
μ
s)
之间的闲置时间约为
10
μ
s。
如图
1A
所示，读取电压
Vread
与阈值电压
Vt
皆为
1.5V
，漏极电压
Vd
为
0.6V
，而通过电压
Vpass
则为
8V。
[0004]图
1B
显示第一次读取与第二次读取的读取电流
(ID)
与读取时间图
。
如图
1B
所示，第一次读取的读取电流
ID
高于第二次读取的读取电流
ID。
于时序
T1
处代表感应时序，也就是在感应时序
T1
处取出读取电流，来判断存储器单元的阈值电压值
。
以第一次读取而言，将会对应到较低的阈值电压，容易出现暂时读取错误；以及，以第二次读取而言，将会对应到正常阈值电压，较不会出现暂时读取错误
。
[0005]图
1C(X
轴为“第二次读取时间”)
与图
1D(X
轴为“闲置时间”)
显示在不同闲置时间下的第二次读取电流与读取时间图
。
如图
1C
与图
1D
所示，当闲置时间越长时
(
如
1s)
，则第二次读取电流将越高，亦即越容易出现暂时读取错误；以及，当闲置时间越短时
(
如
10
μ
s)
，则第二次读取电流将越低，亦即越不容易出现暂时读取错误
。
[0006]故而，如何避免存储器装置的暂时读取错误乃是努力方向之一
。

技术实现思路

[0007]根据本专利技术一实例，提出一种存储器装置的操作方法，该存储器装置包括多条接地选择线
、
多条串选择线
、
多条字线
、
多条冗余字线，这些冗余字线的一第一部分靠近这些串选择线，这些冗余字线的一第二部分靠近这些接地选择线，这些字线介于这些冗余字线的该第一部分与这些冗余字线的该第二部分之间，该存储器装置的操作方法包括：于编程操作时，编程这些串选择线与这些接地选择线上的多个开关的多个阈值电压以具有一第一参考阈值电压；以及编程这些冗余字线上的多个冗余存储器单元的多个阈值电压以沿着一第一方向或一第二方向为逐渐增加且这些冗余存储器单元的这些阈值电压高于该第一参考阈值电压，其中，该第一方向为从这些串选择线往这些字线，而该第二方向从这些接地选择线往这些字线
。
[0008]根据本专利技术又一实例，提出一种存储器装置，包括：多条位线；多条接地选择线，多个第一开关位于这些位线与这些接地选择线的交叉处；多条串选择线，多个第二开关位于这些位线与这些串选择线的交叉处；多条字线，多个存储器单元位于这些位线与这些字线的交叉处；以及多条冗余字线，多个冗余存储器单元位于这些位线与这些冗余字线的交叉
处；其中，这些冗余字线的一第一部分靠近这些串选择线，这些冗余字线的一第二部分靠近这些接地选择线，这些字线介于这些冗余字线的该第一部分与这些冗余字线的该第二部分之间，这些串选择线与这些接地选择线上的这些第一开关与这些第二开关的多个阈值电压被编程具有一第一参考阈值电压，这些冗余字线的这些冗余存储器单元的多个阈值电压被编程为沿着一第一方向或一第二方向为逐渐增加，且这些冗余存储器单元的这些阈值电压高于该第一参考阈值电压，其中，该第一方向为从这些串选择线往这些字线，而该第二方向从这些接地选择线往这些字线
。
[0009]为了对本专利技术的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合所附图式详细说明如下：
附图说明
[0010]图
1A
显示第一次读取与第二次读取的读取波形图
。
[0011]图
1B
显示第一次读取与第二次读取的读取电流
(ID)
与读取时间图
。
[0012]图
1C
与图
1D
示在不同闲置时间下的第二次读取电流与读取时间图
。
[0013]图2显示根据本专利技术一实施例的存储器装置的等效电路示意图
。
[0014]图3显示本专利技术一实施例与传统技术的通道电压与信号线位置图
。
[0015]图
4A
显示在本专利技术一实施例的第一次读取与第二次读取的读取波形图
。
[0016]图
4B
显示在第一字线处的闲置时间
(
第一次读取与第二次读取之间
)
对第二次读取电流图
。
[0017]图
4C
显示在第二字线处的闲置时间
(
第一次读取与第二次读取之间
)
对第二次读取电流图
。
[0018]图5显示根据本专利技术又一实施例的存储器装置操作方法的流程图
。
[0019]附图标记说明
[0020]T1
：感应时序
[0021]200
：存储器装置
B0
～
BQ
：存储器区块
[0022]CSL
：共同源极线
[0023]WL0
～
WLN
：字线
BL0
～
BLP
：位线
[0024]SW
：开关
SSL0
～
SSL2
：串选择线
[0025]DWLT0
‑
DWLT2、DWLB0
‑
DWLB2
：冗余字线
[0026]GSL0
～
GSL2
：接地选择线
[0027]SS
：存储器串
MC
：存储器单元
[0028]DMC本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种存储器装置的操作方法，该存储器装置包括多条接地选择线
、
多条串选择线
、
多条字线
、
多条冗余字线，这些冗余字线的一第一部分靠近这些串选择线，这些冗余字线的一第二部分靠近这些接地选择线，这些字线介于这些冗余字线的该第一部分与这些冗余字线的该第二部分之间，其特征在于，该存储器装置的操作方法包括：于编程操作时，编程这些串选择线与这些接地选择线上的多个开关的多个阈值电压以具有一第一参考阈值电压；以及编程这些冗余字线上的多个冗余存储器单元的多个阈值电压以沿着一第一方向或一第二方向为逐渐增加且这些冗余存储器单元的这些阈值电压高于该第一参考阈值电压，其中，该第一方向为从这些串选择线往这些字线，而该第二方向从这些接地选择线往这些字线
。2.
根据权利要求1所述的存储器装置的操作方法，其特征在于，于该第一方向上，这些冗余字线的该第一部分上的这些冗余存储器单元的这些阈值电压被编程为沿着该第一方向为逐渐增加且高于该第一参考阈值电压
。3.
根据权利要求2所述的存储器装置的操作方法，其特征在于，这些冗余字线的该第一部分至少包括一第一冗余字线
、
一第二冗余字线与一第三冗余字线，该第一冗余字线相邻于这些串选择线；该第一冗余字线上的这些冗余存储器单元的这些阈值电压被编程为一第二参考阈值电压，该第二参考阈值电压高于该第一参考阈值电压；该第二冗余字线上的这些冗余存储器单元的这些阈值电压被编程为一第三参考阈值电压，该第三参考阈值电压高于该第二参考阈值电压；以及该第三冗余字线上的这些冗余存储器单元的这些阈值电压被编程为一第四参考阈值电压，该第四参考阈值电压高于该第三参考阈值电压
。4.
根据权利要求3所述的存储器装置的操作方法，其特征在于，于该第二方向上，这些冗余字线的该第二部分上的这些冗余存储器单元的这些阈值电压被编程为沿着该第二方向为逐渐增加且高于该第一参考阈值电压
。5.
根据权利要求4所述的存储器装置的操作方法，其特征在于，这些冗余字线的该第二部分至少包括一第四冗余字线
、
一第五冗余字线与一第六冗余字线，该第四冗余字线相邻于这些接地选择线；该第四冗余字线上的这些冗余存储器单元的这些阈值电压被编程为该第二参考阈值电压；该第五冗余字线上的这些冗余存储器单元的这些阈值电压被编程为该第三参考阈值电压；以及该第六冗余字线上的这些冗余存储器单元的这些阈值电压被编程为该第四参考阈值电压
。6.
一种存储器装置，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：林道远，杨怡箴，张耀文，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：