【技术实现步骤摘要】
存储器元件、半导体元件及其制造方法
[0001]本公开是有关于一种半导体元件及其制造方法，且特别是有关于一种存储器元件及其制造方法
。
技术介绍
[0002]非易失性存储器具有可使得存入的数据在断电后也不会消失的优点，因此广泛采用于个人计算机和其他电子设备中
。
目前业界较常使用的三维存储器包括或非门
(NOR)
存储器以及与非门
(NAND)
存储器
。
此外，另一种三维存储器为与门
(AND)
存储器，其可应用在多维度的存储器阵列中而具有高集成度与高面积利用率，且具有操作速度快的优点
。
因此，三维存储器元件的发展已逐渐成为目前的趋势
。
技术实现思路
[0003]本公开提出一种存储器元件可以将相邻的两个块元区的堆叠结构有效隔绝，减少或避免基底和接地导体层之间的漏电路径而增加关闭电流
I
off
，降低对于存储单元操作的影响
。
[0004]本公开提出一种存储器元件的制造方法可以在形成存储器元件的同时在块元区的外围形成密封环，因此，可以与现有的工艺整合，而不会增加工艺的步骤
。
[0005]本公开的一实施例提出一种存储器元件，包括：介电基底
、
复合堆叠结构
、
多个存储单元
、
分隔结构以及密封环的中间段
。
所述介电基底包括第一区与环绕在所述第一区周围的第二区
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种存储器元件，包括：介电基底，包括第一区与环绕在所述第一区周围的第二区；复合堆叠结构，在所述第一区与所述第二区中的所述介电基底上方；多个存储单元，位于所述复合堆叠结构中；分隔结构，延伸穿过位于所述第一区的所述复合堆叠结构，将所述复合堆叠结构分隔为多个区块；以及密封环的中间段，延伸穿过位于所述第二区的所述复合堆叠结构，其中所述密封环的所述中间段包括：主体部，延伸穿过位于所述第二区的所述复合堆叠结构；以及衬层，位于所述主体部与所述复合堆叠结构之间
。2.
根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述密封环的所述主体部与所述复合堆叠结构由所述密封环的所述衬层电性绝缘
。3.
根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述密封环的所述衬层包括绝缘材料，所述主体部包括导体材料
。4.
根据权利要求1所述的存储器元件，还包括：导体层，位于所述复合堆叠结构与所述介电基底之间，其中所述密封环的所述中间段延伸穿过所述导体层
。5.
根据权利要求4所述的存储器元件，其中所述密封环还包括：下段，位于所述中间段下方且与所述中间段连接，其中所述下段为部分的第一内连线，所述第一内连线位于所述介电基底与基底之间；以及上段，位于所述中间段上方且与所述中间段连接，其中所述上段为部分的第二内连线，所述第二内连线位于所述复合堆叠结构上方
。6.
一种存储器元件的制造方法，包括：提供介电基底，包括第一区与环绕在所述第一区周围的第二区；形成堆叠结构，于所述第一区与所述第二区中的所述介电基底上方，其中所述堆叠结构包括交替堆叠的多个绝缘层与多个中间层；以及形成分隔结构与密封环的中间段，其中所述分隔结构位于所述第一区中的所述堆叠结构中，所述密封环的所述中间段位于所述第二区中的所述堆叠结构中
。7.
根据权利要求6所述的存储器元件的制造方法，其中所述：形成分隔结构与密封环的中间段包括：形成第一沟道与第二沟道，其中所述第一沟道位于所述第一区的所述堆叠结构中，所述第二沟道位于所述第二区的所述堆叠结构中；形成第一衬层与第二衬层，其中所述第一衬层位于所述第一沟道的侧壁，并所述第二衬层位于所述第二沟道的侧壁；以及形成第一主体部与第二主体部，其中所述第一主体部位于所述第一沟道的剩余空间中，所述第二主体部位于所述第二沟道的剩余空间中
。8.
根据权利要求7所述的存储器元件的制造方法，还包括：在形成所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴孟晏，曾碧山，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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