半导体电路及其操作方法技术

本公开提供了一种半导体电路及其操作方法，该半导体电路包括多个串行。所述多个串行包括第一串行以及第二串行。第一串行包括串联的一第一装置单元与一第二装置单元。第一串行具有权重信号W1。该第一装置单元具有输入信号A。该第二装置单元具有输入信号B。第二串行包括串联的一第三装置单元与一第四装置单元。第二串行具有权重信号W2。该第三装置单元具有输入信号该第四装置单元具有输入信号半导体电路的输出信号为所述多个串行的输出串行信号的总和。所述多个串行的所述多个输出串行信号包括第一串行的输出串行信号以及第二串行的输出串行信号。第一串行的输出串行信号为“W1

【技术实现步骤摘要】
半导体电路及其操作方法


[0001]本公开关于一种半导体电路及其操作方法。

技术介绍

[0002]量子退火计算机被称为利用量子效应解决离散优化问题的量子计算机。
[0003]设计的物理系统中，离散变量是物理状态，目标函数相对于离散变量的值成为状态的能量。也就是说，能量是状态的函数。因此，当物理系统可以通过任何方法转移到最低能量状态时，可以通过测量状态来获得最优解。使用量子力学效应的量子退火被称为将物理系统转移到最低能量状态的机制。众所周知，与不使用量子力学效应的那些相比，量子退火可以更有效地解决问题。
[0004]在量子退火中，通过控制作用在系统上的外电场，能量和状态之间的对应关系随时间逐渐改变。量子退火旨在改变电位并最终实现能量与状态之间的关系，该关系对应于实际研究最优解的目标函数。当系统的初始状态准备为由初始电位确定的最低能量状态，然后电位变化足够慢时，该状态在每个时刻都跟踪由电位确定的最低能量状态，这被称为结果的量子力学。以这种方式，可以获得使最终要检查的目标函数最小化的状态。

技术实现思路

[0005]本公开关于一种半导体电路及其操作方法。
[0006]根据本公开的一方面提出一种半导体电路，该半导体电路包括多个串行。所述多个串行包括第一串行以及第二串行。第一串行包括串联的一第一装置单元与一第二装置单元。第一串行具有权重信号W1。该第一装置单元具有输入信号A。该第二装置单元具有输入信号B。第二串行包括串联的一第三装置单元与一第四装置单元。第二串行具有权重信号W2。该第三装置单元具有输入信号该第四装置单元具有输入信号半导体电路的输出信号为所述多个串行的输出串行信号的总和。所述多个串行的所述多个输出串行信号包括第一串行的输出串行信号以及第二串行的输出串行信号。第一串行的输出串行信号为“W1
×
(A AND B)”或“A AND(W1
×
B)”。第二串行的输出串行信号为或或
[0007]根据本公开的另一方面提出一种半导体电路的操作方法，其包括以下步骤：使用第一串行运算输入至第一串行的权重信号W1、输入至第一串行的一第一装置单元的输入信号A与输入至第一串行的一第二装置单元的输入信号B，得到一输出串行信号“W1
×
(A AND B)”或“A AND(W1
×
B)”。使用第二串行运算输入至该第二串行的权重信号W2、输入至第二串行的一第三装置单元的输入信号与输入至第二串行的一第四装置单元的输入信号得到另一输出串行信号或总加第一串行的该输出串行信号和第二串行的该另一输出串行信号。
[0008]为了对本公开的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合所附附图详细说明如下。
附图说明
[0009]图1绘示了一实施例的半导体电路；
[0010]图2绘示了另一实施例的半导体电路；
[0011]图3绘示了又一实施例的半导体电路；
[0012]图4绘示了一实施例的半导体电路；
[0013]图5绘示了一实施例的半导体电路；
[0014]图6绘示了一实施例的半导体电路；
[0015]图7绘示了一实施例的半导体电路；
[0016]图8绘示了一实施例的半导体电路；
[0017]图9绘示了一实施例的半导体电路；
[0018]图10绘示了一实施例的半导体电路；
[0019]图11绘示了一实施例的半导体电路；
[0020]图12绘示了一实施例的半导体电路；
[0021]图13绘示了一实施例的半导体电路；
[0022]图14绘示了一实施例的半导体电路；
[0023]图15绘示了一实施例的半导体电路；
[0024]图16显示了一实施例的半导体电路的电性；
[0025]图17绘示了一实施例的半导体电路的串行组的垂直剖面图；
[0026]图18绘示了一实施例的半导体电路的串行组的水平剖面图；
[0027]图19至图30绘示一实施例的半导体电路的串行组的制造方法；
[0028]附图标记说明：
[0029]102：叠层结构；
[0030]104：绝缘层；
[0031]106，106A，106B，106C：栅极层；
[0032]108：通道层；
[0033]110：绝缘元件；
[0034]112：介电膜；
[0035]114：介电膜；
[0036]116：电极元件；
[0037]118：介电膜；
[0038]220：绝缘层；
[0039]222，222A，222B：叠层结构；
[0040]224：沟道；
[0041]225：绝缘元件；
[0042]226：开孔；
[0043]228：狭缝；
[0044]230：介电膜；
[0045]232：介电膜；
[0046]234：狭缝；
[0047]BL，BL1，BL2，BLm：位线；
[0048]D11：第一装置单元；
[0049]D12：第一装置单元；
[0050]D21：第三装置单元；
[0051]D22：第四装置单元；
[0052]D13，D23，D31，D32，D33，D41，D42，D43：装置单元；
[0053]K1：第一权重单元；
[0054]K2：第二权重单元；
[0055]K3：第三权重单元；
[0056]K4：第四权重单元；
[0057]P1：第一节点；
[0058]P2：第二节点；
[0059]S1：第一串行；
[0060]S2：第二串行；
[0061]S3：第三串行；
[0062]S4：第四串行；
[0063]SL，SL1，SL2，SLn：源极线；
[0064]W1，W2，W3，W4：权重信号；
[0065]A，B，C，X，Y，Z，P，Q，R：输入信号；
[0066]GL1，GL2，GLn，GL1
′
，GL2
′
，GLn
′
，栅极线；
[0067]EF：剖面线；
[0068]GH：剖面线。
具体实施方式
[0069]以下以一些实施例做说明。须注意的是，本公开并非显示出所有可能的实施例，未于本公开提出的其他实施方面也可能可以应用。再者，附图上的尺寸比例并非按照实际产品等比例绘制。因此，说明书和图示内容仅作叙述实施例之用，而非作为限缩本公开保护范围之用。另外，实施例中的叙述，例如细部结构、工艺步骤和材料应用等等，仅为举例说明之用，并非对本公开欲保护的范围做限定。实施例的步骤和结构各自细节可在不脱离本公开的精神和范围内根据实际应用工艺的需要而加以变化与修饰。以下是以相同/类似的符号表示相同/类似的元件做说明。
[0070]图1绘示一实施例的半导体电路本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体电路，包括多个串行，所述多个串行包括：一第一串行，包括串联的一第一装置单元与一第二装置单元，其中该第一串行具有一权重信号W1，该第一装置单元具有输入信号A，该第二装置单元具有输入信号B；以及一第二串行，包括串联的一第三装置单元与一第四装置单元，其中该第二串行具有一权重信号W2，该第三装置单元具有输入信号该第四装置单元具有输入信号其中，该半导体电路的输出信号为所述多个串行的输出串行信号的总和，所述多个串行的所述多个输出串行信号包括：该第一串行的一输出串行信号，其为“W1
×
(A AND B)”或“A AND(W1
×
B)”；以及该第二串行的一输出串行信号，其为或或2.根据权利要求1所述的半导体电路，其中该第一串行与该第二串行之间具有一第一节点，该第一节点的一输出信号为节点，该第一节点的一输出信号为或为3.根据权利要求1所述的半导体电路，其中该第一串行与该第二串行之间具有一第一节点，当该权重信号W1为“1”，且该权重信号W2为“1”时，该第一节点的一输出信号为“A XNOR B”；当该权重信号W1为“1”，且该权重信号W2为“0”时，该第一节点的该输出信号为“AAND B”。4.根据权利要求1所述的半导体电路，包括一串行组，其中该串行组包括该第一串行与该第二串行，该第一串行与该第二串行电性并联，其中该半导体电路还包括一位线与一源极线，该第一串行与该第二串行电性电性并联在该位线与该源极线之间，所述多个串行为NAND串行。5.根据权利要求1所述的半导体电路，其中，该第一串行还包括一第一权重单元，该第一权重单元具有该权重信号W1，该第二串行还包括一第二权重单元，该第二权重单元具有该权重信号W2。6.根据权利要求1所述的半导体电路，其中，该第一装置单元或该第二装置单元具有该权重信号W1，该第三装置单元或该第四装置单元具有该权重信号W2。7.根据权利要求1所述的半导体电路，其中该半导体电路应用数学模型(M)执行量子退火计算，数学模型(M)其中该第一串行与该第二串行之间具有一第一节点，该第一节点的一输出信号为“σ
i
ANDσ
i”，或者为“σ
i
XNORσ
j”，其中该输入信号A、该输入信号B、该输入信号与该输入信号分别为施加在该第一装置单元、该第二装置单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：王匀远，陈威臣，李岱萤，李明修，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：