半导体装置与其制作方法制造方法及图纸

本公开提供一种半导体装置，包括周边区块、基材、以及阵列区块。周边区块包括互补式金属氧化物半导体元件。基材设置在周边区块上，基材包括设置在周边区块上的N型掺杂多晶硅层、设置在N型掺杂多晶硅层上的氧化物层，以及设置在氧化物层上的导体层。阵列区块设置在基材上，阵列区块包括设置在导体层上并交替叠层的栅极结构与绝缘层，其中栅极结构中的最底层的一个与导体层一起作为半导体装置的接地选择线。导体层的厚度与各栅极结构的厚度的比值约为3至4。阵列区块还包括垂直通道结构，穿过栅极结构与绝缘层，且延伸进入N型掺杂多晶硅层。层。层。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置与其制作方法


[0001]本公开是关于一种半导体装置与其制作方法。

技术介绍

[0002]近年来，半导体装置的结构不断改变，且半导体装置的储存容量不断增加。存储器装置被应用于许多产品(例如数码相机、手机及计算机等)的储存元件中。随着这些应用的增加，存储器装置的需求集中在小尺寸与大储存容量上。为了满足此条件，需要具有高元件密度与小尺寸的存储器装置及其制造方法。
[0003]因此，期望开发出具有更多数量的多个叠层平面的三维(three
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dimensional，3D)存储器装置，以达到更大的储存容量、改善质量并同时保持存储器装置的小尺寸。
[0004]公开内容
[0005]根据本公开的一些实施例，一种半导体装置，包括周边区块、基材、以及阵列区块。周边区块包括互补式金属氧化物半导体元件。基材设置在周边区块上，基材包括设置在周边区块上的N型掺杂多晶硅层、设置在N型掺杂多晶硅层上的氧化物层，以及设置在氧化物层上的导体层。阵列区块设置在基材上，阵列区块包括设置在导体层上并交替叠层的栅极结构与绝缘层，其中栅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：一周边区块，包括多个互补式金属氧化物半导体元件；一基材，设置在该周边区块上，该基材包括：一N型掺杂多晶硅层，设置在该周边区块上；一氧化物层，设置在该N型掺杂多晶硅层上；以及一导体层，设置在该氧化物层上；以及一阵列区块，设置在该基材上，该阵列区块包括：交替叠层的多个栅极结构与多个绝缘层，设置在该导体层上，其中这些栅极结构中的最底层的一个与该导体层一起作为该半导体装置的接地选择线，其中该导体层的厚度与各该栅极结构的厚度的比值为3至4；以及一垂直通道结构，穿过这些栅极结构与这些绝缘层，且延伸进入该N型掺杂多晶硅层。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该垂直通道结构的一通道层的一部分接触该N型掺杂多晶硅层。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中该垂直通道结构的一储存层包括围绕该通道层的顶端的一上部区段与围绕该通道层的底端的一下部区段，且该垂直通道结构的该通道层的该部分介于该上部区段与该下部区段之间。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中该氧化物层包括邻接该储存层的该上部区段的一第一部分以及连接该第一部分的一第二部分，其中该第一部分的厚度小于该第二部分的厚度。5.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：一共享源极线，穿过该阵列区块，且延伸进入该基材，其中该导体层与该共享源极线之间的距离小于这些栅极结构与该共享源极线之间的距离。6.一种制作半导体装置的方法，包括：提供一结构，该结构包括：一周边区块，包括多个互补式金属氧化物半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖廷丰，翁茂元，刘光文，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：