一种优化SONOS存储器ONO栅介质阻挡氧化层均匀性的方法技术

本发明专利技术提供一种优化SONOS存储器ONO栅介质阻挡氧化层均匀性的方法，半导体结构包括半导体基底，半导体基底上定义有SONOS区域、选择栅区域；半导体结构上表面设有覆盖选择栅区域的牺牲氧化层；SONOS区域以及牺牲氧化层上设有第一氧化层，第一氧化层上设有ONO层；SONOS区域上形成有光刻胶；去除SONOS区域上的光刻胶，将SONOS区域上的ONO层暴露；之后被暴露的SONOS区域上的ONO层上形成第二氧化层；去除第二氧化层；对半导体结构进行涂光刻胶，曝光和显影后选择栅区域被打开，SONOS区域上保留光刻胶；刻蚀去除选择栅区域上的所述ONO层和第一氧化层；去除选择栅区域上被暴露出的牺牲氧化层；去除半导体结构上剩余的光刻胶；在半导体结构上表面形成一层阻挡氧化层。体结构上表面形成一层阻挡氧化层。体结构上表面形成一层阻挡氧化层。

【技术实现步骤摘要】
一种优化SONOS存储器ONO栅介质阻挡氧化层均匀性的方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种优化SONOS存储器ONO栅介质阻挡氧化层均匀性的方法。

技术介绍

[0002]闪存(Flash memory)是一种新型非挥发性半导体存储器。典型的SONOS存储单元结构是由硅衬底(S)
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隧穿氧化层(O)
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电荷存储层氮化硅(N)
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阻挡氧化层(O)
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多晶硅栅极(S)组成。其利用电子的隧穿(Fowler
‑
Nordheim tunneling,FN tunneling)来进行数据写入和存储，空穴的注入来进行数据的擦除。与浮栅技术中电子存储在浮栅中不同，SONOS是一种基于绝缘介质(Si3N4)中的分立陷阱存储电荷的存储单元，绝缘介质层与衬底和栅电极之间各有一层二氧化硅介质层。随着设计尺寸的不断缩小，对于阻挡氧化层的膜质质量要求也越来越高。现有的ONO光刻返工工艺条件下，由于干刻和湿法刻蚀清洗过程中容易生长出表面粗糙、膜质很差的副产物氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种优化SONOS存储器ONO栅介质阻挡氧化层均匀性的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、半导体结构，所述半导体结构包括：半导体基底，所述半导体基底上定义有SONOS区域、选择栅区域；所述半导体结构上表面设有覆盖所述选择栅区域的牺牲氧化层；所述SONOS区域以及所述牺牲氧化层上设有第一氧化层，所述第一氧化层上设有ONO层；所述SONOS区域上形成有光刻胶；步骤二、去除所述SONOS区域上的光刻胶，将所述SONOS区域上的所述ONO层暴露；之后被暴露的SONOS区域上的所述ONO层上形成第二氧化层；步骤三、去除所述第二氧化层；步骤四、对所述半导体结构进行涂光刻胶，曝光和显影后所述选择栅区域被打开，所述SONOS区域上保留光刻胶；步骤五、刻蚀去除所述选择栅区域上的所述ONO层和所述第一氧化层；步骤六、去除所述选择栅区域上被暴露出的牺牲氧化层；步骤七、去除所述半导体结构上剩余的光刻胶；步骤八、在所述半导体结构上表面形成一层阻挡氧化层。2.根据权利要求1所述的优化SONOS存储器ONO栅介质阻挡氧化层均匀性的方法，其特征在于：步骤一中的所述半导体基底上在所述选择栅区域远离所述SONOS一侧还设有STI区域，所述半导体基底上还定义有外围逻辑电路区。3.根据权利要求1所述的优化SONOS存储器ONO栅介质阻挡氧化层均匀性的方法，其特征在于：步骤一中的所述半导体结构表面还形成有聚合物。4.根据权利要求3所述的优化SONOS存储器ONO栅介质阻挡氧化层均匀性的方法，其特征在于：步骤二中通过干法刻蚀及湿法刻蚀去除所述SONOS区域上的光...

【专利技术属性】
技术研发人员：周家民，齐瑞生，黄冠群，陈昊瑜，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：