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本发明提供一种优化SONOS存储器ONO栅介质阻挡氧化层均匀性的方法，半导体结构包括半导体基底，半导体基底上定义有SONOS区域、选择栅区域；半导体结构上表面设有覆盖选择栅区域的牺牲氧化层；SONOS区域以及牺牲氧化层上设有第一氧化层，第一...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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