【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的制备方法
[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体器件的制备方法。
技术介绍
[0002]一般地，半导体器件包括位于衬底上的栅极结构、位于所述栅极结构两侧的衬底内的源漏区以及与源漏区电性连接的插塞。为了减少欧姆电阻，插塞与源漏区之间还会形成金属硅化物层。形成所述金属硅化物层的步骤通常包括：先在所述源漏区上形成金属层；再对所述衬底及所述金属层进行退火工艺，使所述金属层与所述衬底内的硅反应，以在所述衬底内及所述衬底的表面形成金属硅化物层；最后除去剩余的金属层。
[0003]在现有半导体工艺例如SONOS工艺中，所述金属层一般由钴(Co)、镍(Ni)等单一金属构成，当对金属层及衬底进行退火工艺时，金属层内的金属离子会向衬底内扩散并与硅反应，进而导致部分源漏区转换为金属硅化物层。但是由于半导体器件的尺寸不断缩小，源漏区横向及纵向上的尺寸也随之等比例缩小，金属硅化物的形成会进一步影响源漏区的纵向尺寸，导致源漏区的纵向尺寸较小，进而影响所述半导体器件的电学性质，甚至导致器件失效。
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底的正面具有栅极结构，所述衬底内具有位于所述栅极结构两侧的源漏区；在所述衬底上形成金属叠层，所述金属叠层包括依次覆盖所述源漏区的金属钴层、金属钛层及氮化钛层；以及，对所述金属叠层及所述衬底进行退火工艺，以形成金属硅化物层。2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，形成所述栅极结构及所述源漏区的步骤包括：在所述衬底的正面形成所述栅极结构，所述栅极结构覆盖部分所述衬底；在所述衬底上形成侧墙，所述侧墙覆盖所述栅极结构的侧壁；以及，进行离子注入工艺以在所述衬底内形成所述源漏区。3.如权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述侧墙为依次覆盖所述栅极结构的第一氧化层及氮化层，形成所述氮化层时在所述衬底的背面形成同步形成覆盖所述衬底的所述氮化层，以构成背部绝缘层。4.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，形成所述源漏区之后，形成所述金属叠层之前，还包括：对所述衬底进行清洗工艺，所述清洗工...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹俊，吴兵，陆涵蔚，王炜，刘庆华，马润涵，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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