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本发明提供了一种半导体器件的制备方法，提供衬底，所述衬底的正面上具有栅极结构，所述衬底内具有位于所述栅极结构两侧的源漏区；在所述衬底上形成金属叠层，所述金属叠层包括依次覆盖所述源漏区的金属钴层、金属钛层及氮化钛层；以及，对所述金属叠层及所述...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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