三维快闪存储器模块芯片及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种三维快闪存储器模块芯片，包括：存储芯片与控制芯片。所述存储芯片包括：多个块，每一块包括多个三维快闪存储器结构；以及多个加热器，设置在所述每一块的所述多个三维快闪存储器结构周围。控制芯片与所述存储芯片接合，用以驱动所述多个加热器的至少一个。个。个。

【技术实现步骤摘要】
三维快闪存储器模块芯片及其制造方法


[0001]本专利技术是有关于一种存储器模块及其制造方法，且特别是有关于一种 三维快闪存储器模块及其制造方法。

技术介绍

[0002]非易失性存储器具有可使得存入的数据在断电后也不会消失的优点， 因此广泛采用于个人电脑和其他电子设备中。目前业界较常使用的三维存 储器包括或非门(NOR)存储器以及与非门(NAND)存储器。此外，另 一种三维存储器为与门(AND)存储器，其可应用在多维度的存储器阵列 中而具有高集成度与高面积利用率，且具有操作速度快的优点。因此，三 维存储器元件的发展已逐渐成为目前的趋势。
[0003]公开内容
[0004]本专利技术提供一种三维快闪存储器模块芯片及其制造方法，可以针对快 闪存储器的局部进行修复(healing)处理。
[0005]在本专利技术的一实施例中，一种三维快闪存储器模块芯片，包括：存储 芯片与控制芯片。所述存储芯片包括：多个块，每一块包括多个多个三维 快闪存储器结构；以及多个加热器，设置在所述每一块的所述多个三维快 闪存储器结构周围。控制芯片与所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三维快闪存储器模块芯片，其特征在于，包括：存储芯片，包括：多个块，每一块包括多个三维快闪存储器结构；以及多个加热器，设置在所述每一块的所述多个三维快闪存储器结构周围；控制芯片，与所述存储芯片接合，用以驱动所述多个加热器的至少一个。2.根据权利要求1所述的三维快闪存储器模块芯片，其特征在于，所述多个加热器设置在所述多个三维快闪存储器结构上方，且与所述控制芯片相邻。3.根据权利要求1所述的三维快闪存储器模块芯片，其特征在于，所述多个加热器设置在多个三维快闪存储器结构之间的多个分隔沟道中。4.根据权利要求1所述的三维快闪存储器模块芯片，其特征在于，所述存储芯片还包括：多个第一晶体管，位于第一基底上；所述多个三维快闪存储器结构，位于多个第一晶体管上方；以及第一内连线结构，其中所述多个三维快闪存储器结构埋置于第一内连线结构之中。5.根据权利要求4所述的三维快闪存储器模块芯片，其特征在于，第一内连线结构包括：下部内连线结构，位于所述多个三维快闪存储器结构与所述多个第一晶体管之间，并电性连接所述多个三维快闪存储器结构与所述多个第一晶体管；以及上部内连线结构，位于所述多个三维快闪存储器结构上，并电性连接所述多个三维快闪存储器结构。6.根据权利要求4所述的三维快闪存储器模块芯片，其特征在于，所述控制芯片包括：多个驱动列，其中每一驱动列包括：第二晶体管，位于第二基底上，所述第二晶体管的源极区电性连接全域电源；第一接垫，与所述第二晶体管的漏极区电性连接，且与所述多个加热器的其中之一的第一端电性连接；以及第二接垫，所述第二接垫接地，且与所述多个加热器的该其中之一的第二端电性连接。7.根据权利要求6所述的三维快闪存储器模块芯片，其特征在于，所述控制芯片还包括：列解码器，与所述多个驱动列的多个第二晶体管的多个栅极层电性耦接；以及行解码器，与所述多个第二晶体管的多个源极区以及所述全域电源电性耦接。8.根据权利要求6所述的三维快闪存储器模块芯片，其特征在于，所述控制芯片包括排列成阵列的多个块，其中同一行的多个块的多个第二晶体管的多个源极区彼此电性连接。9.根据权利要求6所述的三维快闪存储器模块芯片，其特征在于，所述控制芯片与所述存储芯片经由接合结构接合。10.根据权利要求1所述的三维快闪存储器模块芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶腾豪，吕函庭，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：