存储器元件及其制造方法技术

本公开提供了一种存储器元件，包括：第一叠层结构，包括第一绝缘层以及位于所述第一绝缘层上的第一导电层；第二叠层结构，位于所述第一叠层结构上，所述第二叠层结构包括相互交替的多个第二导电层与多个第二绝缘层；通道柱，穿过所述第二叠层结构，并且延伸至所述第一叠层结构；储存层，位于所述通道柱与所述第一叠层结构之间以及所述通道柱与所述第二叠层结构之间；以及导电柱，位于所述第一导电层中，且与所述第一导电层和所述基底电性连接。且与所述第一导电层和所述基底电性连接。且与所述第一导电层和所述基底电性连接。

【技术实现步骤摘要】
存储器元件及其制造方法


[0001]本公开是有关于一种半导体元件及其制造方法，且特别是有关于一种三维存储器元件及其制造方法。

技术介绍

[0002]非易失性存储器元件(如，快闪存储器)由于具有使存入的数据在断电后也不会消失的优点，因此成为个人计算机和其他电子设备所广泛采用的一种存储器元件。
[0003]目前业界较常使用的快闪存储器阵列包括或非门(NOR)快闪存储器与与非门(NAND)快闪存储器。由于NAND快闪存储器的结构是使各存储器单元串接在一起，其集成度与面积利用率较NOR快闪存储器佳，已经广泛地应用在多种电子产品中。此外，为了进一步地提升存储器元件的集成度，发展出一种三维NAND快闪存储器。然而，仍存在许多与三维NAND快闪存储器相关的挑战。
[0004]公开内容
[0005]依据本根据实施例，提出一种存储器元件，包括：第一叠层结构，包括第一绝缘层以及位于所述第一绝缘层上的第一导电层；第二叠层结构，位于所述第一叠层结构上，所述第二叠层结构包括相互交替的多个第二导电层与多个第二绝缘层；通道柱，穿过所述第二叠层结构，并本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器元件，包括：第一叠层结构，包括第一绝缘层以及位于所述第一绝缘层上的第一导电层；第二叠层结构，位于所述第一叠层结构上，所述第二叠层结构包括相互交替的多个第二导电层与多个第二绝缘层；通道柱，穿过所述第二叠层结构，并且延伸至所述第一叠层结构；储存层，位于所述通道柱与所述第一叠层结构之间以及所述通道柱与所述第二叠层结构之间；以及导电柱，设置于所述第一导电层中，且与所述第一导电层和所述基底电性连接。2.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述导电柱与所述多个第二导电层电性绝缘，并且穿过所述第一绝缘层且接地。3.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述导电柱的顶面低于所述通道柱的顶面且所述导电柱的长度小于所述通道柱的长度。4.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述通道柱包括第一段与第二段，且所述第一段的中心线与所述第二段的中心线具有一非零距离。5.一种存储器元件，包括：叠层结构，位于基底上方，所述叠层结构包括相互交替的多个导电层与多个绝缘层；顶绝缘层，位于所述叠层结构上；通道柱，位于所述顶绝缘层与所述叠层结构之中；储存层，位于所述通道柱与所述多个导电层之间；介电层，位于所述顶绝缘层上；以及接触窗，穿过所述介电层与所述顶绝缘层，且电性连接所述通道柱，其中所述介电层的厚度与所述顶绝缘层的厚度的比例大于2。6.根据权利要求5所述的存储器元件，其中所述介电层中无蚀刻停止层。7.一种存储器元件的制造方法，包括：在基底上形成第一叠层结构，所述第一叠层结构包括相互交替的多个第一导电层与多个第一绝缘层；所述第一叠层结构中形成导电柱，以将所述多个第一导电层的其中之一接地；在所述第一叠层结构上形成第二叠层...

【专利技术属性】
技术研发人员：李鸿志，张智钦，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：