本发明公开了一种安全存储器装置、安全存储器系统及管理篡改侦测的方法。存储器其中，安全存储器装置包含：存储单元阵列；一或多个篡改侦测器，各自经组态以侦测安全存储器装置上的至少一部分的各别类型的篡改事件；以及篡改侦测状态缓存器，存储各自指示...

本发明公开了一种闪存及通过电压的控制方法。闪存包括多个存储单元串以及通过电压产生器。各存储单元串具有多个存储单元。通过电压产生器用以提供通过电压至选中存储单元串的多个未选中存储单元的多条字线。其中，在读取操作时，通过电压产生器使通过电压...

一种存储元件及其制造方法，其中存储元件包括：第一位线与第二位线，第一位线位于介电层上，第二位线位于所述第一位线上方；第一字线与第二字线，位于所述第一位线与所述第二位线之间；源极线，位于所述第一字线与所述第二字线之间；通道柱，贯穿所述第一...

一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括一第一阶梯状结构、一第二阶梯状结构、一导电柱与一接触柱。第一阶梯状结构包括多个导电阶梯层。导电柱穿过第二阶梯状结构。导电柱具有相对的一上导电柱端部与一下导电柱端部。接触柱电性连接在多个导电阶梯层...

本发明公开了一种存储器内运算方法及装置，适于由处理器对存储器执行MAC运算。在所述方法中，通过截断权重的二进制数据的至少一部分分数位及计算剩余位的补码，将二进制数据的格式自浮点格式变换成量化格式，且将经过变换的二进制数据编程至存储器的单...

本发明公开了一种存储元件，包括：衬底、叠层结构、第一组垂直通道结构、第二组垂直通道结构以及第一狭缝。叠层结构配置在衬底上。第一组垂直通道结构与第二组垂直通道结构沿着Y方向排列，且贯穿叠层结构以与衬底接触。第一狭缝配置在第一组垂直通道结构...

本发明公开了一种立体存储器装置及其制造方法，立体内存存储器装置包括衬底、形成于衬底上的多个叠层结构、多个共同源极线接触窗与多个NOR闪存。衬底具有与一方向平行且交替排列的多条共同源极线与多个存储器单元区。叠层结构位于存储器单元区上并包括...

本发明公开了一种存储器元件，其包括衬底、叠层结构、隔离结构、栅间介电层、控制栅极、第一绝缘结构、第一栅介电层以及第一栅极。叠层结构设置于衬底上。隔离结构设置于衬底中与叠层结构的两侧。栅间介电层覆盖叠层结构与隔离结构。控制栅极覆盖栅间介电...

本发明公开了一种存储装置及其编程方法。存储装置包括一存储器阵列、多条字线及一电压产生器。这些字线在进行编程时，这些字线的其中之一为选择状态，其余字线为选择状态。部分的未选择状态的字线归类为一第一群组及一第二群组。第一群组及第二群组分别位...

本发明公开了一种半导体元件及静电放电防护方法，半导体元件包括第一源/漏极区、第二源/漏极区、基极区、第一静电放电区及第二静电放电区。第一源/漏极区用以接收第一电源电压。第二源/漏极区用以接收第二电源电压。第一源/漏极区及第二源/漏极区形...

一种存储器装置以及安全开机的存储器管理方法被提出。存储器管理方法包括：在存储单元阵列中区分出第一区块以及第二区块；使开机码在储存在第一区块，并备份开机码以在第二区块储存备份开机码；在开机程序中，设定失败

本发明公开了一种存储元件及其制造方法，该存储元件包括：第一位线位于介电层上与第二位线位于所述第一位线上方；第一字线与第二字线，位于所述第一位线与所述第二位线之间；源极线，位于所述第一字线与所述第二字线之间；通道柱，贯穿所述第一字线、所述...

本发明公开了一种半导体装置，包括具有第一导电型的衬底、形成于衬底中并具有第二导电型的高压阱、形成于高压阱一侧的衬底中的源极阱、形成于高压阱中的漏极阱、形成于源极阱与漏极阱之间的高压阱上方的隔离层、形成于衬底上方并自源极阱的边缘部分上方连...

本发明公开了一种存储器装置及存储器装置操作方法，用于包含多个区块的存储器阵列的现场可配置的坏块修复，利用区块修复信息存储器来识别阵列中一或多个坏块的数据。区块修复信息存储器包含至少可写一次的非易失性存储器。装置上的区块修复电路可配置为重...

本发明公开了一种张弛振荡器，包含用以产生施加至充电电路的参考电流的可调节参考电路产生器。充电电路被配置根据参考电流及可操作地耦接至电容式节点的可调节电容器的电容而对电容式节点进行充电。比较器具有可操作地耦接至参考电压节点及电容式节点的输...

本发明公开了一种存储器装置、集成电路、数据处理装置及其制造方法，该存储器装置具有特定氧化硅(SiO

一种多层次三维存储器的擦除方法，该多层次三维存储器包括多个层次与多个区块，各这些层次包括多个字线。该擦除方法包括：在擦除这些区块的一被选区块时，在一目前回合中，从这些层次选择至少一层次以被一第一擦除电压所擦除；判断该至少一层次是否通过擦...

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括一栓塞元件及一通孔元件。栓塞元件包括一钨栓塞。栓塞元件具有一横方向上的一栓塞尺寸。通孔元件电性连接在栓塞元件上。通孔元件相对于栓塞元件在一纵方向上延伸的一中心线呈非对称配置。通孔元...

本发明公开了一种半导体元件及其制造方法，该半导体元件包括：衬底，具有第一导电型；阱区，具有第二导电型，设置于所述衬底中；源极区与漏极区，具有所述第二导电型，分别位于所述衬底与所述阱区中，其中所述源极区与所述漏极区之间包括多个直线区域以及...

本发明公开了一种支持多地址读取操作的存储器装置，所述存储器装置改良双向串联端口上的吞吐量。存储器装置包括存储器阵列以及具有输入模式及输出模式的输入与输出端口。输入与输出端口具有在输入模式及输出模式两者中交替使用的至少一个信号线。控制器包...