本发明公开了一种存储器元件及其制造方法。存储器元件包括一衬底。第一介电层设置在该衬底上方。多层导电层与多层介电层，交替且水平地设置在该衬底上。通道柱结构设置在该衬底上且在该多层导电层与该多层介电层中。该通道柱结构的侧壁与该多层导电层接触...

本发明公开了一种存储器元件及其制备方法，存储器元件包括一衬底、一叠层结构、多个通道结构、一存储层以及多个隔离结构。衬底具有一上表面。叠层结构位于衬底的上表面上，其中叠层结构包括依序叠层于衬底上的一第一绝缘层、一第一导电层、一第二绝缘层、...

本发明公开了一种切换装置及存储器装置，该切换装置具有一第一电极；一第二电极；以及一切换层，位于第一电极以及第二电极之间，切换层包括碳C、砷As、硒Se及锗Ge的组成物，此组成物是热稳定至超过400℃的温度。此切换装置是使用于3D交叉点存...

一种类神经网络的运算方法，包括：切割输入信息为多个子输入信息，扩展核心信息以产生扩展后核心信息，并使扩展后核心信息与各频域子输入信息的尺寸相同；针对子输入信息以及扩展后核心信息执行快速傅里叶变换，以分别产生多个频域子输入信息以及扩展后频...

本发明公开了一种存储装置及其制造方法。存储装置包含漏极柱状结构、源极柱状结构、电荷捕捉结构、垂直通道结构和栅极结构。漏极柱状结构形成于第一开口中。源极柱状结构形成于第二开口中。垂直通道结构与电荷捕捉结构形成于孔洞中，孔洞部分重叠于第一开...

本发明公开了一种多层结构，包括一衬底以及多个次叠层。次叠层分别沿着第一方向延伸，并沿着第二方向排列于衬底的一上表面上。各个次叠层包括沿着一第三方向交替叠层于上表面上的多个绝缘层以及多个图案化牺牲层、沿着第三方向与绝缘层交替叠层于上表面上...

本发明公开了一种立体存储器元件，包含多个导电层以及多个绝缘层，其彼此交错叠层以形成一多层叠层结构。多层叠层结构具有一阶梯区域以及一非阶梯区域，阶梯区域包含多个阶，每一阶包含这些导电层以及这些绝缘层其中紧邻的一对。多个存储器结构位于非阶梯...

本发明公开了一种存储器内运算器，包括多个存储单元阵列以及多个感测放大器。存储单元阵列分别接收多个输入信号。输入信号区分为多个群组。群组分别具有至少一部分输入信号。各群组中的部分输入信号具有相同的数值。群组中的部分输入信号的数量依序为公比...

本发明公开了一种基于低密度奇偶校验码的编码器、译码器、编码方法及译码方法。编码方法包括：通过一编码器接收一待编码信息；通过编码器依据一第一编码规则及待编码信息产生一第一部分码字，其中第一编码规则为用以产生低密度奇偶校验码的一编码规则；通...

本发明公开了一种具有分隔有源区的半导体装置及其制造方法。半导体装置包括衬底、多个隔离岛、源极区以及漏极区。所述衬底包括第一有源区、第二有源区以及多个分隔有源区。所述多个分隔有源区与第一有源区和第二有源区连接，并且与所述多个分离隔离岛交替...

本发明公开了一种存储器装置，包括通道元件、存储元件及电极元件。通道元件包括第一通道部、第二通道部及中间通道部。中间通道部在第一通道部与第二通道部之间。第一通道部具有相对的第一侧壁通道表面与第二侧壁通道表面。中间通道部具有相对的第三侧壁通...

本发明公开了一种集成电路，包括存储器阵列、多条字线、多条位线以及页面缓冲器。存储器阵列包括多个存储器单元，分别经配置以被写入权重。多条字线分别连接多个存储器单元中的一列存储器单元。多条位线分别连接多个存储器单元的彼此串联连接的一栏存储器...

本发明公开了步进编程脉冲操作中决定快速通过写入操作的方法与系统。快速通过写入操作是在步进编程脉冲操作中同时施加一位线电压。此方法包括：依照变化在第一范围内的多个位线电压以及变化在第二范围内相对验证电压的多个电压差值，估计在该位线电压与该...

本发明公开了一种存储器装置，存储器装置包括通道元件、存储元件、电极元件。通道元件具有开环形状。存储单元定义在通道元件与电极元件之间的存储元件中。件之间的存储元件中。件之间的存储元件中。

本发明公开了一种存储器装置及其存储器内计算方法，其中，存储器内计算方法执行于一存储器装置。该存储器内计算方法包括：依据一移动参数，将一核心展开成多个子核心与多个互补子核心；根据这些子核心与这些互补子核心，将多个权重值写入至该存储器装置的...

本发明公开了一种三维及式快闪存储器及其制造方法，该制造方法包括以下步骤。形成包括交替叠层的第一绝缘层与第一牺牲层的叠层结构。形成贯穿叠层结构且包括第二绝缘层与环绕其的第二牺牲层的第一柱结构。形成贯穿叠层结构且包括通道层与环绕其的绝缘柱的...

本发明公开了一种半导体装置及存储器单元，半导体装置包含第一电极、第二电极、以及设置于第一电极与第二电极之间的铟掺杂硫基选择层(In

本发明公开了一种静电放电保护装置，包含第一掺杂区、硅控整流器、以及旁路单元。第一掺杂区耦接于第一节点，且用于作为硅控整流器与旁路单元的共同阳极。若第一节点的电流小于触发电流值，电流经由旁路单元放电，而若电流大于触发电流值，电流经由旁路单...

本发明公开了一种存储器装置以及其读取页面媒体流的方法，该存储器装置为包含具有第一层级缓冲器锁存器及第二层级缓冲器锁存器的页缓冲器的存储器装置，诸如页面模式NAND闪存，存储器装置使用以下来进行操作：第一流水线级(pipeline sta...

本发明提供了一种数据感测装置及其数据感测方法。数据感测装置包括补偿信号产生器、权重运算器以及算术运算器。补偿信号产生器接收基准输入信号以及多个参考权重值，依据基准输入信号以及参考权重值以产生补偿信号。权重运算器具有多个存储单元，权重运算...