【技术实现步骤摘要】
步进编程脉冲操作中决定快速通过写入操作的方法与系统
本专利技术是有关于一种存储器操作技术，且特别是有关于在步进编程脉冲(IncrementStepPulseProgramming，ISPP)操作中决定快速通过写入(QuickPassWrite，QPW)操作的方法与系统。
技术介绍
因应各种电子产品的广泛应用，快闪存储器在市场上是稳定地持续成长。为了提升存储容量，存储单元的结构也已发展成可存储多个位的存储单元，其例如是多阶存储单元(multi-level-cell,MLC)，其利用存储晶体管的阈值电压的不同阶次(level)来对应所储的数据，如此达到多位的存储。快闪存储器更例如是NAND型的快闪存储器，但是不限于此。由于存储器的多个晶体管的阈值电压不会完全一致，因此这些晶体管的每一个阶次的阈值电压实际上是一个封包的分布。当存储单元是多阶存储单元(MLC)的结构时，其会有多个封包分散在0V到编程验证(program-verify，PV)电压之间。如果封包的分布的宽度较大，其相邻两个封包的尾端很可能重叠。如果读取的数据所应...
【技术保护点】
1.一种在步进编程脉冲操作中决定快速通过写入操作的方法，该步进编程脉冲操作是先对存储单元阵列的多个存储单元施加，该快速通过写入操作是栅极电压达到比一编程验证电压小的一预先编程验证电压后开始采用快速通过写入操作，其中由该预先编程验证电压到该编程验证电压有一电压差值，该快速通过写入操作是在步进编程脉冲操作中同时施加一位线电压，该决定快速通过写入操作的方法包括：/n依照变化在第一范围内的多个该位线电压以及变化在第二范围内的多个该电压差值，估计在该位线电压与该电压差值下所得到阈值电压分布宽度的缩减量，得到缩减量地形图；/n依照多个该位线电压以及多个该电压差值，估计施加该步进编程脉冲...
【技术特征摘要】
20191029 US 16/667,6531.一种在步进编程脉冲操作中决定快速通过写入操作的方法，该步进编程脉冲操作是先对存储单元阵列的多个存储单元施加，该快速通过写入操作是栅极电压达到比一编程验证电压小的一预先编程验证电压后开始采用快速通过写入操作，其中由该预先编程验证电压到该编程验证电压有一电压差值，该快速通过写入操作是在步进编程脉冲操作中同时施加一位线电压，该决定快速通过写入操作的方法包括：
依照变化在第一范围内的多个该位线电压以及变化在第二范围内的多个该电压差值，估计在该位线电压与该电压差值下所得到阈值电压分布宽度的缩减量，得到缩减量地形图；
依照多个该位线电压以及多个该电压差值，估计施加该步进编程脉冲操作达到该编程验证电压所需要的编程枪数，得到编程枪数地形图；以及
将缩减量地形图与编程枪数地形图叠置后，决定由该位线电压的施加范围以及该电压差值的施加范围所构成的操作区域。
2.根据权利要求1所述的决定快速通过写入操作的方法，其中该阈值电压分布宽度的该缩减量是针对每一个该位线电压在一步进电压下进行估计，包括:
在对应该位线电压及该步进电压下，估计不同的该电压差值的阈值电压相对栅极电压的变化曲线；
依照该变化曲线，估计在该电压差值下位于该编程验证电压的斜率；以及
依照该斜率及该步进电压估计相对该位线电压是0V的该缩减量，
其中该位线电压是由0V到一预定值的多个分离分析值。
3.根据权利要求1所述的决定快速通过写入操作的方法，其中该操作区域包括三角形，该三角形的底部是该位线电压的范围。
4.根据权利要求1所述的决定快速通过写入操作的方法，其中该缩减量地形图是根据该位线电压的高度决定第一选取区域，该编程枪数地形图是根据该编程枪数的高度决定第二选取区域，该第一选取区域与该第二选取区域重叠区域的至少一部分设定为操作区域。
5.根据权利要求1所述的决定快速通过写入操作的方法，其中该阈值电压分布宽度的该缩减量的估计包括根据预定样本的该位线电压、该电压差值及该步进电压与实验数据进行模型比对，以确定模型的正确性。
6.一种在步...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄昱闳，程政宪，古绍泓，陈映仁，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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